SiC単結晶の研磨加工技術に関する基礎研究
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概要
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We developed the advanced chemo-mechanical pol ishing (CMP) technologies for Silicon Carbide (SiC) single crystal. In O2 atmosphere, we got the enough pol ishing rate on Si surface of 4H-SiC crystal. And we also got the enough pol ishing rate on same surface by adding H2O2SiC半導体は有利な物性を持ち､次世代のデバイスとして注目されている｡しかしSiCは難加工物質であり､従来のCMP加工条件のままでは加工が困難である｡そこで本研究では試作したBeｌl-Jar型CMP装置を用い､加工雰囲気を調整し､従来とは異なるアプローチで高品位かつ効率的なSiCのCMP加工を検討した｡また､上記結果を大気中でのCMPに応用できるかどうかを検討した｡
- 埼玉大学地域共同研究センターの論文
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