基板の平滑化・平坦化加工技術 - 主として半導体基板の超精密ポリシング/CMP技術 -
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 高圧マイクロジェット(HPMJ)を用いたCMPパッドコンディショニング法の開発 : 酸化膜ILDの連続CMPにおける研磨特性とパッド表面状態の評価
- 21413 シリコンウェーバ製造時の研磨におけるウェーハエッジ形状の影響(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 427 極座標型ロボットによる非球面研磨の基礎検討(OS12 研削・砥粒加工)
- 第1回環太平洋プラナリゼーションCMPとその応用技術に関する国際会議2004
- プラナリゼーション/CMPとその応用
- 4H-SiC(0001)面の高能率研削
- 高圧マイクロジェットの洗浄力に関する研究 : 粒子挙動解析と洗浄実験による考察
- 超高圧マイクロジェットによる半導体CMPパッドの洗浄・コンディショニング技術
- 豊かな人間性と創造力を養うものづくり教育に関する研究(第六報) : 間題解決能力を養う技術科カリキュラムの改善と教材開発
- 高圧マイクロジェット(HPMJ)を用いたCMPパッドコンディショニングに関する研究 : 蛍光スラリーを利用したパッド溝内のスラリー残渣の洗浄性確認
- 半導体プロセスにおけるCMP技術と適用材料の最新動向
- 豊かな人間性と創造力を養うものづくり教育に関する研究(第5報)「生活する力」を育てる技術科カリキュラムの検討
- 高圧マイクロジェットを用いたCMPパッドコンディショニング技術
- 新しい高圧マイクロジェット洗浄技術の提案とその装置化 : ポリッシングパッドのコンディショニングへの適用
- 平坦化CMPにおけるナノトポグラフィとその低減を目指すマイクロモーション機構導入の両面同時ポリシング装置
- 加工雰囲気を制御したベルジャー型ポリシング(CAP)装置とそのCMP特性
- プラナリゼーション CMP とアメリカにおけるその最新動向
- 金属アルコキシドを用いた湿式化学法によるCdTe膜の形成と特性評価
- リン酸含有系スラリーによるCu-CMP特性
- 新しいベルジャー型CMP装置(第二報) : ベルジャー内の雰囲気ガスによるCu-CMP特性と加工メカニズム
- 半導体プロセスにおけるプラナリゼーションCMP技術
- 問題解決能力を養う技術科カリキュラムの設計及びロボット教材の再検討
- 新しいベルジャー型CMP装置(第1報):ベルジャー型CMP法の提案と基本的CMP特性
- 金属Cuの鏡面研磨加工(5):LSIデバイス電極材料のCu膜のCMPおよびCuヌル非球面ミラーのポリシングの基礎検討
- 問題解決能力を養う技術科教材の開発と中学校における実践及び学習評価方法
- 半導体産業の進展経緯に関する考察(第1報):半導体産業の現状と今後の動向分析
- 小片工具による研磨のシミュレーション:熟練技能者を想定した研磨操作運動
- 多軸研磨ヘッドを用いた非球面研磨
- アルミニウム合金のスーパースムーズ鏡面研磨(2)
- プラナリゼーションCMP用固定砥粒型パッドの試作とその加工特性
- フッ素樹脂を用いた平坦化CMP用パッドの試作とその加工特性
- ULSI基板のプラナリゼーションCMPに関する研究(第3報)形状溝によるスラリー層の流体挙動に関する基礎的考察
- 豊かな人間性と創造力を養うものづくり教育に関する研究(第4報)問題解決能力を養う新技術科カリキュラムの実践と評価方法の検討
- アルミニウム合金のスーパースムーズ鏡面研磨
- 多軸ポリシャヘッドの試作
- 超LSIデバイスウェハーの平坦化CMPに関する研究
- 金属Cuの鏡面研磨加工(4) : LSIデバイス電極材料のCu膜のCMPおよびCuヌル非球面ミラーのポリシングに基礎検討
- 問題解決能力を養う技術科教材と開発と中学校における実践
- LEGO MINDSTORMSを教材としたメカトロニクスを学ぶ授業の開発(2) : 学習評価方法の検討
- 鉄系材料の回転バレル研磨による鏡面加工
- 炭化ケイ素セラミックスのELID鏡面研削特性
- 基板の平滑化・平坦化加工技術 - 主として半導体基板の超精密ポリシング/CMP技術 -
- 豊かな人間性と創造力を養うものづくり教育に関する研究(第3報)RoboCupJr.と関連付けた新技術科カリキュラムにおける教材開発
- 水素イオン活量に支配されない分散剤レス高純度CMPスラリーの製造技術
- CMPスラリーのインラインにおける均一希釈技術と装置
- 微細気泡を含有しない分散剤レス高純度CMPスラリーの製造技術
- プラナリゼーション・ポリシング/CMPの基礎的検討 : 硬質パッドへのダイヤモンド砥粒の適応を可能とする均一微粒子化並びに固定に関する技術
- 酸化膜のCMP特性-添加物フリーのスラリー作製-
- 分散材を使用しないCMPスラリーの製造技術, 及びそのスラリーの精密分粒とそのコントロール技術
- 高圧酸素環境場で光触媒反応を重畳させた革新的加工法 : 密閉式ベルジャ型CMP装置(トピックス)
- 差動トランス(LVDT)を応用した終点検出機構の特性-2step Cu CMPへの適用-
- CMP研磨特性の考察 : エアーフロート型ヘッドにおけるウェーハの挙動
- 固定砥粒による非球面補正加工
- ELIDを援用した固定砥粒による非球面X線ミラーのポリシングに関する研究
- 509 窒化アルミのELIDラップ研削加工特性(機械工作・生産工学)
- 酸化膜プラナリゼーションシ・ポリシング/CMPの基礎的検討-ダイレクトエアー加圧法とパッドの効果-
- メタル膜CMPの終端検出
- デバイスウェハの表面基準研磨加工
- 21106 電解複合CMPにおける加工レートと電解液充填率との関係(プロセス技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
- ポリシングによるガラス内在欠陥の検出
- 新しいドラム式ポリシング装置の開発 : ツインドラム式装置の試作
- 古代の玉類加工技術に関する一検討
- 低誘電率SOG膜のプラナリゼーションポリシング/CMPの検討
- ウェハの保持方法とプラナリゼーションポリシング特性
- 新しい線接触形ポリシング法の開発(第2報) -シミュレーションによる加工形状解析-
- 磨製出土品の再現加工実験に関する考察(第1報) -勾玉の古式法による砥粒加工実験-
- X線ミラー材のELID研削特性
- これまでの研磨加工の研究の反省と今後の展開 : 研磨加工における環境保全・省エネルギー・省資源について(2)
- プラナリゼーションCMP技術に関する研究--アリゾナ大学との共同研究
- ILDのCMPにおけるパッド溝形状の効果
- SiC単結晶の研磨加工技術に関する基礎研究
- 半導体基板の平滑化加工技術 (特集 表面処理技術の展望)
- CMP特性に及ぼすパッド溝断面の傾斜角の影響
- セラミックス材料のELIDラップ研削特性
- 硬脆材料のELID研削特性 第一報:加工時間と加工特性
- 鉄系材料の回転バレル研磨による粗面加工
- X線ミラー材のELID研削特性
- 20306 ECMPの研磨圧力依存性シミュレーション(OS3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS)(2),オーガナイズドセッション)
- 315 加工環境制御型密閉式両面CMP装置の設計試作とその加工特性(GS 生産加工II)
- 320 CMP用パッドのコンディショニング特性の定量的評価法とその考察(GS 生産加工III)
- 308 SiC基板の精密加工/CMPプロセスへの酸化マンガン系スラリーの適用(GS 生産加工I)
- 114 ダイレクトドライブCNC座標測定機の開発(GS 潤滑I)
- ガラス材料のELIDラップ研削特性
- 粗粒砥石ラップによるセラミックスのELIDラップ研削
- ELIDラップ研削特性に及ぼす電極面積の影響
- CMP用スラリーのリサイクルとそのインパクト (特集 砥粒・研磨剤・砥石のリサイクル技術)
- スモールツールによる非球面の補正ポリシング
- CMP用スラリーのリサイクルとそのインパクト
- 超高圧ジェット精密洗浄技術のポリッシング工程への適応
- レーザ誘導方式深穴評価システムの開発
- K43 フユームドシリカスラリーによるCu-CMP特性とスクラッチの簡易評価法(K4 CMPIII)
- OS1-3 マイクロ歯車のかみ合いとその精度計測のための微小径ロータリエンコーダの開発(OS1-I・A1 機械要素の強度評価と性能向上・加工)
- K31 Sic微粒子の性状把握とスラリーへの応用可能性の検討(K3 CMPII)