SiC単結晶の研磨における研磨ダメージの低減に関する検討
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概要
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SiC のダイヤモンドによる研磨加工に於いて、研磨ダメージによる結晶格子の乱れ（破砕層）は、デバイス形成に対する大きな弊害となる。ダイヤモンドの分散溶媒の種類により、同一粒径のダイヤモンドによる研磨において、研磨ダメージの強弱が変化することを見いだした。また、ポリウレタン系研磨布を使用することにより、研磨ダメージを軽減できることを見いだした。
- 埼玉大学総合研究機構地域共同研究センター産学連携推進部門の論文
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