山内 和人 | 阪大工
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概要
関連著者
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山内 和人
阪大工
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山内 和人
阪大院工
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山内 和人
大阪大学大学院工学研究科
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佐野 泰久
阪大院工
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佐野 泰久
大阪大 大学院工学研究科
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Yamauchi Kazuto
Department Of Precision Science And Technology Graduate School Of Engineering Osaka University
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Yamamura K
Kyoto Univ. Kyoto
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有馬 健太
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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有馬 健太
大阪大学 大学院工学研究科
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三村 秀和
阪大院工
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三村 秀和
大阪大 大学院工学研究科
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山内 和人
大阪大学大学院 工学研究科
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岡本 武志
阪大院工
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服部 梓
阪大院工
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広瀬 喜久治
阪大工
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石川 哲也
理化学研究所
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有馬 健太
阪大院工
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稲垣 耕司
阪大工
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杉山 和久
高知高専
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石川 哲也
理化学研究所 播磨研究所 構造生物物理研究室
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矢橋 牧名
JASRI
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玉作 賢治
理研
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石川 哲也
理研
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森 勇藏
阪大工
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石川 哲也
JASRI
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松山 智至
阪大院工
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木村 隆志
阪大院工
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西野 吉則
理研
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玉作 賢治
理化学研究所播磨研究所
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矢橋 牧名
財団法人高輝度光科学研究センター
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矢橋 牧名
高輝度光科学研究センター放射光研究所
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矢橋 牧名
理研・jasri X線自由電子レーザー合同計画推進本部
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矢橋 牧名
(財)高輝度光科学研究センタービームライン・技術部門
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西野 吉則
理化学研究所
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石川 哲也
理化学研究所放射光科学総合研究センター
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玉作 賢治
独立行政法人理化学研究所播磨研究所
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石川 哲也
独立行政法人理化学研究所播磨研究所放射光科学総合研究センター
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石川 哲也
理化学研究所播磨研究所x線干渉光学研究室
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湯本 博勝
高輝度光科学研究センター
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石川 哲也
(独)理化学研究所・播磨研究所・放射光科学総合研究センター
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神尾 豪
阪大工
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佐野 泰久
大阪大学大学院工学研究科
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湯本 博勝
Jasri
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矢橋 牧名
理化学研究所 放射光科学総合研究センターXFEL研究開発部門 ビームライン研究開発グループ
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加藤 有香子
JASRI
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石川 哲也
理研XFEL
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松井 文彦
奈良先端大物質創成
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加藤 有香子
Jasri Spring-8
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西嘉山 徳之
奈良先端大物質
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後藤 謙太郎
奈良先端大物質
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前島 尚行
奈良先端大物質
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松井 公佑
奈良先端大物質
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松下 智裕
JASRI, SPring-8
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橋本 美絵
奈良先端大物質
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大門 寛
奈良先端大物質
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田中 攻
奈良先端大物質創成
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大門 寛
奈良先端科学技術大学院大学
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前島 尚行
奈良先端大物質創成:jasri Spring-8
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石川 哲也
理研・播磨研
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半田 宗一郎
阪大院工
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湯本 博勝
JASRI/SPring-8
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松下 智裕
Jasri
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松下 智裕
(財)高輝度光科学研究センター
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矢橋 牧名
理化学研究所
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石川 哲也
(独)理化学研究所播磨研究所
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村田 順二
阪大院工
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遠藤 勝義
阪大院工
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大門 寛
奈良先端大
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石川 哲也
独立行政法人理化学研究所播磨研究所
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杉山 和久
高知高専専門学校
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後藤 謙太郎
奈良先端大物質創成
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西嘉山 徳之
奈良先端大物質創成
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橋本 美絵
奈良先端大物質創成
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松井 公佑
奈良先端大物質創成
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三村 秀和
大阪大学
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有馬 健太
大阪大学大学院工学研究科 精密科学・応用物理学専攻
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山内 和人
大阪大学
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神尾 豪
大阪大学大学院工学研究科
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稲垣 耕司
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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森 勇蔵
阪大工
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中越 亮佑
阪大工
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藤原 宏樹
Ntn(株):大阪大学大学院工学研究科
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辻本 崇
Ntn(株)
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湯本 博勝
Jasri Spring-8
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石倉 寛之
大阪大学
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後藤 謙太郎
奈良先端大
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前島 尚行
奈良先端大
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橋本 美絵
奈良先端大
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松井 公佑
奈良先端大
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有馬 健太
大阪大学大学院工学研究科
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後藤 健太郎
奈良先端大物質
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松下 智裕
SPring-8/JASRI
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松井 文彦
奈良先端大
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大橋 治彦
理研XFEL
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杉山 和久
阪大工
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辻村 学
(株)荏原製作所
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辻村 学
株式会社荏原製作所精密・電子事業本部
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大橋 治彦
理研xfel:jasri
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大橋 治彦
(財)高輝度光科学研究センター
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藤井 正輝
阪大院工
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脇岡 敏之
阪大院工
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山川 大輔
阪大院工
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玉作 賢治
理研/SPring-8
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西野 吉則
理研/SPring-8
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定国 峻
阪大院工
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大橋 治彦
高輝度光科学研究センター放射光研究所
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神尾 崇
阪大工
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香村 芳樹
理研
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東 保男
高エネルギー加速器研究機構
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佐野 泰久
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
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遠藤 勝義
大阪大学大学院工学研究科
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香村 芳樹
(独)理化学研究所播磨研究所
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東保 男
高エ研
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高富 俊和
高エネ研
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東 保男
高エネ研
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遠藤 勝義
大阪大学大学院
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大橋 治彦
Jasri
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幾島 悠喜
住友重機械工業株式会社
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高富 俊和
高エネルギー加速器研究機構
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佐野 泰久
大阪大学 大学院工学研究科
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原 英之
大阪大学 大学院工学研究科
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山内 和人
大阪大学 大学院工学研究科
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香村 芳樹
理化学研究所播磨研究所
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中越 亮佑
大阪大学大学院工学研究科
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打越 純一
大阪大学
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西野 吉則
北海道大学 電子科学研究所
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服部 梓
大阪大学大学院工学研究科附属超精密科学研究センター
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岡本 武志
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
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定國 峻
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
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村田 順二
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
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小池 重明
高エネ研
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遠藤 勝義
阪大工
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打越 純一
阪大工
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山本 幸治
阪大工
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東 保男
Kek
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藤原 宏樹
Ntn(株)
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石川 哲也
理化学研究所 放射光科学総合研究センター
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大橋 治彦
(財) 高輝度光科学研究センター
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横山 光
阪大院工
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今井 将太
阪大院工
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西野 吉則
北海道大学
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小池 重明
高エ研
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三村 秀和
東京大学大学院工学系研究科
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小山 貴久
高輝度光科学研究センター
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松下 智裕
財団法人高輝度光科学研究センター 制御・情報部門
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松下 智裕
財団法人高輝度光科学研究センター
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松井 文彦
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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大橋 治彦
JASRI:SPrin-8
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高富 俊和
高エ研
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山内 和人
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専
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八木 圭太
(株)荏原製作所精密・電子事業カンパニーCMP事業部CMPプロセス室プロセス開発グループ
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松下 智裕
JASRI-SPring-8
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辻村 学
(株)荏原製作所精密・電子事業カンパニー
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佐野 泰久
大阪大学大学院工学研究科精密科学応用物理学専攻攻
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玉作 賢治
理研/SP-8
-
西野 吉則
理研/SP-8
-
大橋 治彦
高輝度光科学研究センター/SPring-8
著作論文
- 22pGQ-6 超平坦化加工した4H-SiC(0001)表面上のグラフェン(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-27 4H-SiC(0001)表面上のグラフェン形成過程の組成・構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 大気圧プラズマによるエッチングを応用した種々の加工法とその特性 (特集 最近の興味深いビーム加工技術と将来動向)
- Advanced Kirkpatrick-Baez ミラー光学系の開発
- 硬X線ナノ集光ビーム用波面誤差算出法の開発
- 触媒基準エッチング法(CAtalyst Referred Ething: CARE)の開発--SiC, GaN基板加工への応用 (特集 グリーンエネルギー時代を支える先進加工技術とその課題)
- 原子レベルで平坦な表面の創成技術
- 超平坦化加工を施した4H-SiC(0001)表面 : 高品質グラフェン作製への応用
- 円すいころ軸受ころ大端面の最適曲率半径(機械要素,潤滑,設計,生産加工,生産システムなど)
- 円すいころ軸受ころ大端面の最適曲率半径 (特集 環境対応) -- (環境対応商品/技術)
- 大気中で使用する時のHe-Neレーザ光の特性
- 20aTF-1 表面原子エッチングプロセスにおけるバックボンド弱体化機構のBond order DOSによる解析
- 29pPSA-39 水素終端化Si表面とZrO_2微粒子の水中での接触過程の第一原理計算による解析
- 24aPS-49 第一原理分子動力学によるElastic Emission Machiningにおける表面反応の材料依存性の解析I : Si(001)表面とSiO_2, ZrO_2, TiO_2微粒子間の反応
- 24aPS-73 4H-SiC(0001)上のグラフェン形成過程の追跡と層分解構造解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 二次元硬X線 Sub-10nm 集光システムの構築
- 電鋳プロセスによるナノ精度形状転写法の開発 第2報 : 電析条件の高精度化と安定化
- 電鋳プロセスによるナノ精度形状転写法の開発 第1報 : 多孔質裏打ち電鋳法の提案と実証
- P3002-(4) 高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点「自然現象の精緻さによって製造技術をかえる」(【P3002】世界で活躍する若手研究者の育成に向けた大学院博士課程教育,特別企画)
- SiC基板表面の原子レベル平坦化 (特集 最近のLEDとパワーデバイスの現状と将来)
- 触媒表面基準エッチングによる単結晶SiC、GaN表面の平滑化 (特集 先端部品のための高付価値研磨・切断加工技術)
- SACLAにおける1μmコヒーレント集光装置の開発
- 触媒表面基準エッチングによる単結晶SiC, GaN, ZnO表面の平滑化
- 半導体SiC基板の新しい研磨技術 : 触媒表面反応を利用した研磨技術の開発(話題の材料を活かす加工技術)
- 25pPSB-47 EEM (Elastic Emission Macining)における表面原子除去能率の考察(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))