5a-B-4 Si(001)水素終端化表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1997-09-16
著者
-
小畠 厳貴
荏原
-
後藤 英和
京工繊大
-
広瀬 喜久治
阪大工
-
坂本 正雄
阪大工
-
杉山 和久
阪大工
-
稲垣 耕治
阪大工
-
杉山 和久
高知高専
-
後藤 英和
阪大院工
-
森 勇蔵
阪大工
-
小野 倫也
阪大院・工
-
小畠 巌貴
阪大院
-
坂本 正雄
阪大・工・精密
関連論文
- 29a-PS-23 シリコンおよび金属表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
- 水酸基による金属表面原子の除去加工の第一原理分子動力学シミュレーション
- 水酸基と相互作用するシリコン単結晶(001)水素終端化表面の第1原理分子動力学シミュレーション
- 5a-B-4 Si(001)水素終端化表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
- 超純水のみによる電気化学的加工法の銅ダマシン配線形成プロセスへの応用
- 21710 次世代平坦化技術の比較(平坦化,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 超純水電解加工(超純水のみによる電気化学的加工方法)のCuダマシン平坦化プロセスへの適用開発 (特集:最近の興味深い将来加工技術)
- 超純水電解加工(超純水のみによる電気化学的加工方法)のCuダマシン平坦化プロセスへの適用開発
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極Al(001)表面における除去加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超純水のみによる電気化学的加工システムの開発と平坦化加工プロセスへの応用
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極表面における加工現象
- 超純水のみによる電気化学加工法のダマシン配線形成プロセスへの応用
- 超純粋超高速せん断流によるシリコンウエハ表面の洗浄:汚染微粒子の除去特性
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極Si(001)表面における除去加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陽極Si(001)表面の反応素過程
- 19pPSB-62 実空間差分法に基づく水分子解離過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 19pPSB-45 超純水のみによる電気化学的加工法 : Al (001)表面の陰極反応素過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 水素終端化されていないSi(001)表面原子とOHとの反応素過程
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : Si(001)水素終端化表面原子のOHによる加工現象の反応素過程
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : Si(001)水素終端化表面のOH^-イオンによる加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 触媒反応を利用した超純水中のOH^-イオン密度の増加方法
- EEM (elastic emission machining)の基礎研究 (第1報) : 極微小量弾性破壊の概念とその可能性
- EMM(Elastic Emission Machining)における表面原子除去過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超清浄数値制御EEM(Elastic Emission Machining)の開発(第2報) -ノズル噴射流れを利用した加工ヘッドの開発-
- 超清浄数値制御EEM(Elastic Emission Machining)の開発(第1報) -超純水静圧軸受けを用いた数値制御ステージシステムの開発-
- Elastic Emission Machiningにおける表面原子除去過程の解析とその機構の電子論的な解釈
- 21414 電解複合研磨(ECMP)によるCuクリアプロセスの検討(CMP,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)
- 傾斜角積分法による形状測定(第2報)-EEMよる修正加工前後の形状測定-
- 傾斜角積分法による形状測定(第1報)-製作した自動測定装置の性能-
- シンクロトロン放射光用ミラーの超精密形状測定装置の開発
- 28pPSB-61 第一原理計算によるフラーレン鎖の電気特性の解析
- 20aTF-1 表面原子エッチングプロセスにおけるバックボンド弱体化機構のBond order DOSによる解析
- 第一原理分子動力学シミュレーションによるEEM(Elastic Emission Machining)加工特性の加工物材料(Si, Ge)依存性の解析
- 数値制御EEM(Elastic Emission Machining)加工システムの開発 : nmオーダでの加工精度の評価
- 29pPSA-39 水素終端化Si表面とZrO_2微粒子の水中での接触過程の第一原理計算による解析
- SPV(Surface Photo-voltage)スペクトロスコピーによる超精密加工表面評価法の開発
- 25pW-2 第一原理分子動力学によるフッ素および塩素のSi(001)表面への反応素過程シミュレーション
- 24aPS-49 第一原理分子動力学によるElastic Emission Machiningにおける表面反応の材料依存性の解析I : Si(001)表面とSiO_2, ZrO_2, TiO_2微粒子間の反応
- 25aPS-37 実空間差分法による水分子の解離過程の解析
- 液中放電現象の基礎研究-極間に鋼球を介在させた場合の電界強度分布-
- 29pPSB-34 第一原理に基づくフラーレンダイマーの伝導計算(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aPS-33 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションIII(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25pPSA-27 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションII(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 24aPS-25 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーション(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 29pPSB-1 酸化ゲルマニウムの原子構造および電子状態解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-48 第一原理に基づくフラーレンポリマーの電気伝導特性計算(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-19 第一原理電気伝導特性計算を用いたC_2H_2分子吸着Si(001)表面におけるSTM像解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28pXH-1 第一原理計算によるAlNナノチューブの分極の計算(28pXH 電子系(密度汎関数法),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 5p-DQ-10 イオン結晶における固溶軟化 II
- 超純水のみによる電気化学的加工システムの開発と平坦化加工プロセスへの応用
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極表面における加工現象
- 放電加工における異常放電に関する研究
- 双曲型偏微分方式の数値解法プログラムの研究開発(III)-減衰項を付加出来る波動方程式-
- 20pYE-5 第一原理計算によるフラーレン鎖の電気特性の解析 II
- 20aPS-46 水素ラジカルによる水素終端化 Si(001)2×1 表面からの水素引き抜き反応の運動エネルギーを保存した第一原理分子動力学シミュレーション
- 8a-YJ-8 GGAを用いた実空間差分電子状態計算II
- 量子力学の第一原理に基づく電子状態の計算 -Si光反射率スペクトルの面方位依存性の解析-
- 24aPS-134 第一原理電気伝導計算による水素原子が吸着したSi(001)表面のSTM像の解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aPS-9 ワニエ関数を用いた誘電率の計算(領域11,領域12合同ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 27pPSA-52 第一原理計算によるナノストラクチャーの電気伝導特性の予測(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 20pYE-10 第一原理計算によるナトリウムナノワイヤーの電気伝導特性の予測
- 28pPSB-68 異なる結晶面方位を持つ Si 表面の光反射率スペクトルの差の解析 : (100) と (111) の比較
- 超純水のみによる電気化学的加工法の第一原理分子動力学シミュレーション : 陰極におけるA1(001)表面加工現象
- 31aZF-5 有限電圧下のナノワイヤーにおける負の微分コンダクタンス発生メカニズムの解明
- 28pPSB-52 金原子細線の電気伝導特性
- 20aWD-2 金原子細線の電気伝導
- 20aWD-1 アルカリ金属ナノワイヤーの電子状態と電気伝導特性の第一原理計算
- 25pWD-6 積分方程式を用いた方法による原子架橋の電子状態計算
- 25pWD-5 ブロッホ波に接続する固体表面電子状態の決定 其の弐
- 24pPSA-29 スラブモデルを用いない半無限系における表面電子状態計算手法の開発
- 24aPS-5 ブロッホ波に接続する固体表面電子状態の法定
- 19pPSB-20 半無限モデルを用いたシリコン表面電子状態計算
- 28aYQ-5 Si(001)S_AステップでのSTMバイアス依存性に関する電子状態計算
- 金属・半導体と水酸イオンの電気化学反応及び超純水による加工への応用(第3報)
- 金属・半導体と水酸イオンの電気化学反応及び超純水による加工への応用(第2報)
- ハロゲンによるSi表面エッチング過程の第一原理分子動力学シミュレーション : エッチング過程とガス材料依存性
- 22pPSA-20 水素終端化Si(001)面と(111)面の反射率差スペクトルの第一原理計算による解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30aPS-12 表面構造を持つ水素終端化シリコン(001)表面光反射率スペクトルの第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- EEM(Elastic Emission Machining)における加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション (第3報) -化学結合の分子軌道計算-
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション(第5報)-Si表面とハロゲン原子の相互作用の解析(その3)-
- STM探針をプローブとしたオージェ電子分光法の開発
- Si(001)表面におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 5p-DQ-9 イオン結晶における固溶軟化 I
- 金属・半導体と水酸イオンの電気化学反応及び超純水による加工への応用(第1報)
- 30p-YH-15 GGAを用いた実空間差分電子状態計算I
- 28pPSB-49 第一原理計算によるナノチューブの電気伝導特性の予測
- 23a-L-7 アルカリハライド高濃度固溶体単結晶における降伏応力の温度依存性
- 6pPSB-55 ハロゲンガスを用いたSi表面のプラズマエッチングにおける第一原理分子動力学シミュレーション : Oラジカルによるハロゲン生成促進効果の解析(表面界面結晶成長,領域9)
- 6pPSB-62 第一原理計算による電界下でのナノ構造と電気伝導(表面界面結晶成長,領域9)
- 5p-M-15 強電場中でのKCl-Ca^結晶の塑性変形II
- 11p-N-7 強電場中でのKCl-Ca^結晶の塑性変形
- 11p-N-6 固溶体におけるathermal stressとその解釈
- 4a-M-13 アルカリハライド高濃度固溶体における降伏応力の濃度依存性
- 11p-Q-12 アルカリハライド高濃度固溶体の降伏応力の温度依存性 III
- 4p-KM-2 アルカリハライド高濃度固溶体の降伏応力の温度依存とその計算機実験II
- 7aSP-12 リチウム内包フラーレンの物性研究(表面ナノ構造量子物性,領域9)
- 6pPSB-61 金原子細線と電極構造に関わる電気伝導特性(表面界面結晶成長,領域9)
- 25pPSB-47 EEM (Elastic Emission Macining)における表面原子除去能率の考察(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 27aYF-10 金細線の電気伝導特性(27aYF 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))