30p-YH-15 GGAを用いた実空間差分電子状態計算I
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
水酸基と相互作用するシリコン単結晶(001)水素終端化表面の第1原理分子動力学シミュレーション
-
5a-B-4 Si(001)水素終端化表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
-
24aPS-4 Lippmann-Schwinger方程式を用いた半無限系固体表面の電子状態計算手法の開発
-
26aPS-6 Lippmann-Schwinger方程式を用いた半無限系固体表面の電子状態計算手法の開発
-
23aPS-4 第一原理分子動力学シミュレーションによる水分子解離過程の解析
-
22aPS-118 第一原理によるフラーレンポリマーの電子状態計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
20aPS-19 第一原理電気伝導特性計算を用いたC_2H_2分子吸着Si(001)表面におけるSTM像解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
29pXJ-9 第一原理に基づく半無限結晶電極に挟まれたナノストラクチャーの電子状態計算(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
5p-DQ-10 イオン結晶における固溶軟化 II
-
25aWB-2 第一原理に基づく半無限結晶電極に挟まれたナノストラクチャーの電子状態計算手法(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
27pPSA-6 第一原理計算に基づくオーダーN電子状態計算手法の開発II(領域9ポスターセッション)(領域9)
-
20pYE-4 第一原理計算に基づくオーダー N 電子状態計算手法の開発
-
双曲型偏微分方式の数値解法プログラムの研究開発(III)-減衰項を付加出来る波動方程式-
-
8a-YJ-8 GGAを用いた実空間差分電子状態計算II
-
量子力学の第一原理に基づく電子状態の計算 -Si光反射率スペクトルの面方位依存性の解析-
-
30pWP-2 金属原子鎖の構造と電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ)(領域9)
-
20pYE-2 第一原理計算による金属原子鎖の電気伝導特性解析
-
31aZF-9 金属単原子鎖の構造と導電性 III
-
6p-B-2 STM-XMA法における電界中の電子状態計算
-
EEM(Elastic Emission Machining)における加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション (第3報) -化学結合の分子軌道計算-
-
プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション(第5報)-Si表面とハロゲン原子の相互作用の解析(その3)-
-
STM探針をプローブとしたオージェ電子分光法の開発
-
Si(001)表面におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション
-
5p-DQ-9 イオン結晶における固溶軟化 I
-
21pRA-4 第一原理計算によるナノスケール構造の電気伝導予測
-
27pYD-11 螺旋周期境界条件を用いた実空間差分法による第一原理電子状態計算
-
30p-YH-15 GGAを用いた実空間差分電子状態計算I
-
28a-PS-131 Simulated Annealingによる電子系エネルギー最小化
-
30p-YF-5 GGAを用いた実空間差分電子状態計算III
-
28a-PS-124 実空間差分法による第一原理分子動力学シミュレーション
-
23a-L-7 アルカリハライド高濃度固溶体単結晶における降伏応力の温度依存性
-
5p-M-15 強電場中でのKCl-Ca^結晶の塑性変形II
-
11p-N-7 強電場中でのKCl-Ca^結晶の塑性変形
-
11p-N-6 固溶体におけるathermal stressとその解釈
-
4a-M-13 アルカリハライド高濃度固溶体における降伏応力の濃度依存性
-
11p-Q-12 アルカリハライド高濃度固溶体の降伏応力の温度依存性 III
-
4p-KM-2 アルカリハライド高濃度固溶体の降伏応力の温度依存とその計算機実験II
-
25pPSB-52 金属表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理分子動力学シミュレーション(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク