23aPS-4 第一原理分子動力学シミュレーションによる水分子解離過程の解析
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
29a-PS-23 シリコンおよび金属表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
-
水酸基による金属表面原子の除去加工の第一原理分子動力学シミュレーション
-
水酸基と相互作用するシリコン単結晶(001)水素終端化表面の第1原理分子動力学シミュレーション
-
5a-B-4 Si(001)水素終端化表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
-
超純水のみによる電気化学的加工法の銅ダマシン配線形成プロセスへの応用
-
超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極Al(001)表面における除去加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
-
超純水のみによる電気化学的加工システムの開発と平坦化加工プロセスへの応用
-
超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極表面における加工現象
-
超純水のみによる電気化学加工法のダマシン配線形成プロセスへの応用
-
超純粋超高速せん断流によるシリコンウエハ表面の洗浄:汚染微粒子の除去特性
-
超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極Si(001)表面における除去加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
-
超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陽極Si(001)表面の反応素過程
-
19pPSB-62 実空間差分法に基づく水分子解離過程の第一原理分子動力学シミュレーション
-
19pPSB-45 超純水のみによる電気化学的加工法 : Al (001)表面の陰極反応素過程の第一原理分子動力学シミュレーション
-
超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
-
超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 水素終端化されていないSi(001)表面原子とOHとの反応素過程
-
超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : Si(001)水素終端化表面原子のOHによる加工現象の反応素過程
-
超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : Si(001)水素終端化表面のOH^-イオンによる加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
-
超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 触媒反応を利用した超純水中のOH^-イオン密度の増加方法
-
超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第2報) : 超純水・高速せん断流によるCu除去メカニズムの研究
-
超純水・高速せん断流によるSi基板洗浄法の研究 : Si基板表面のDOP汚染の洗浄効果
-
超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第1報) : Si基板表面のCu汚染の洗浄効果
-
原子論的生産技術における電子状態シミュレーション
-
STM/STSによるSiウェーハ表面の金属汚染物の極微量元素分析
-
24aPS-4 Lippmann-Schwinger方程式を用いた半無限系固体表面の電子状態計算手法の開発
-
26aPS-6 Lippmann-Schwinger方程式を用いた半無限系固体表面の電子状態計算手法の開発
-
第一原理計算に基づく超精密表面創成プロセスの開発
-
超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第2報) : 超純水・高速せん断流によるCu除去メカニズムの研究
-
懸架導体粒子が介在する極間における液中放電現象 : 小鋼球による浮遊加工くずの模擬化
-
液中放電現象の基礎研究-極間に鋼球を介在させた場合の電界強度分布-
-
28aPS-29 第一原理計算による色素増感型太陽電池の新色素設計手法のためのプログラム開発(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
-
28aPS-21 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションIV(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
-
29pPSB-34 第一原理に基づくフラーレンダイマーの伝導計算(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
30aPS-32 実空間差分法に基づく時間依存密度汎関数理論を用いた時間発展計算プログラムの開発と応用(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
23aPS-36 実空間差分法によるセルフコンシステント場における電子状態の時間発展計算(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
23aPS-33 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションIII(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
25pPSA-27 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーションII(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
-
25pPSA-38 時間依存密度汎関数理論による励起された電子状態の第一原理計算(ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
-
24aPS-25 Impulse-Response法によるナノ構造体の電子輸送シミュレーション(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
-
21aPS-20 経路積分繰り込み群法による長距離反発力をもつ多体電子系の取扱い(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
-
半無限電極に挟まれたナノジャンクションの第一原理電子状態計算法
-
23aPS-4 第一原理分子動力学シミュレーションによる水分子解離過程の解析
-
第一原理分子動力学シミュレーションコードのチューニング
-
21pXA-8 5d金属原子鎖の電子輸送特性に関する第一原理計算(21pXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22aPS-118 第一原理によるフラーレンポリマーの電子状態計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
20aPS-19 第一原理電気伝導特性計算を用いたC_2H_2分子吸着Si(001)表面におけるSTM像解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
29pXJ-9 第一原理に基づく半無限結晶電極に挟まれたナノストラクチャーの電子状態計算(29pXJ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
28pPSB-55 第一原理分子動力学法を用いた Nafion- 水クラスター間プロトンリレーのシミュレーション
-
24pPSA-22 Direct Energy Minimization (DEM)法による少数多体系の基底状態計算(24pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
25aWB-2 第一原理に基づく半無限結晶電極に挟まれたナノストラクチャーの電子状態計算手法(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
27pPSA-6 第一原理計算に基づくオーダーN電子状態計算手法の開発II(領域9ポスターセッション)(領域9)
-
20pYE-4 第一原理計算に基づくオーダー N 電子状態計算手法の開発
-
超純水のみによる電気化学的加工システムの開発と平坦化加工プロセスへの応用
-
超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極表面における加工現象
-
放電加工における異常放電に関する研究
-
放電加工現象の基礎研究 -極間に鋼球を介在させた場合の放電現象-
-
放電加工における異常アーク放電に関する研究
-
レーザ誘起熱化学反応によるセラミックスの加工機構と加工特性
-
Si表面上におけるハロゲン含有ガス分子の熱分解過程
-
レーザー誘起熱化学反応を利用したセラミックスの加工 : CF_4ガス雰囲気中での加工特性
-
熱化学反応を用いたSi_3N_4の除去加工
-
CO_2レーザによるSiおよびSi_3N_4表面酸化反応層の形成と表面層の除去機構
-
液体金属の濡れ性に関する分子軌道計算による考察
-
炭素系基盤への金属原子拡散過程の分子軌道論的考察
-
固体表面での濡れ性制御に関する研究(第3報) -炭素系基板上の液体金属の濡れ性, 相互拡散性の評価-
-
固体表面での濡れ性制御に関する研究 第2報 -第一原理分子軌道計画(二原子分子モデル)による液体金属の濡れ性評価-
-
ダンヤモンドと金属の表面原子間の結合力に関する研究
-
超高真空用大電流イオンビーム表面改質装置の開発
-
第一原理分子動力学シミュレーションデータの可視化
-
EEMにおける原子除去過程の第一原理分子動力学シミュレーション
-
金属窒化物セラミックスの薄膜成長過程の第一原理シミュレーション
-
EEMにおける原子除去過程の第一原理分子動力学シミュレーション
-
8a-YJ-8 GGAを用いた実空間差分電子状態計算II
-
固体表面間の相互作用力に関する研究(第1報) : 界面エネルギーの原子論的評価
-
30pWP-2 金属原子鎖の構造と電気伝導特性(ナノチューブ・ナノワイヤ)(領域9)
-
20pYE-2 第一原理計算による金属原子鎖の電気伝導特性解析
-
31aZF-9 金属単原子鎖の構造と導電性 III
-
超純水のみによる電気化学的加工法の研究
-
超精密加工専門委員会 : 水の化学的機能を利用した新しい生産プロセス(専門委員会・分科会研究レビュー)
-
超純水のみによる電気化学的加工プロセスの第一原理分子動力学シミュレーション
-
超純水のみによる電気化学的加工法の第一原理分子動力学シミュレーション : 陰極におけるA1(001)表面加工現象
-
6p-B-2 STM-XMA法における電界中の電子状態計算
-
金属・半導体と水酸イオンの電気化学反応及び超純水による加工への応用(第3報)
-
金属・半導体と水酸イオンの電気化学反応及び超純水による加工への応用(第2報)
-
水分子と相互作用するシリコン単結晶(001)水素終端化表面の第一原理分子動力学シミュレーション
-
材料表面現象の第一原理分子動力学シミュレーション : シリコン単結晶(001)表面の水素終端化反応
-
EEM(Elastic Emission Machining)における加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション (第3報) -化学結合の分子軌道計算-
-
プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション(第5報)-Si表面とハロゲン原子の相互作用の解析(その3)-
-
加工と量子力学
-
STM/STSによるハロゲン吸着Si(001)2x1表面の観察(第4報)
-
Si(001)表面におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション
-
28aPS-21 非直交基底による電子相関エネルギーの高精度計算手法(28aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
-
金属・半導体と水酸イオンの電気化学反応及び超純水による加工への応用(第1報)
-
21pRA-4 第一原理計算によるナノスケール構造の電気伝導予測
-
27pYD-11 螺旋周期境界条件を用いた実空間差分法による第一原理電子状態計算
-
30p-YH-15 GGAを用いた実空間差分電子状態計算I
-
28a-PS-131 Simulated Annealingによる電子系エネルギー最小化
-
30p-YF-5 GGAを用いた実空間差分電子状態計算III
-
28a-PS-124 実空間差分法による第一原理分子動力学シミュレーション
-
25pPSB-52 金属表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理分子動力学シミュレーション(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク