熱化学反応を用いたSi_3N_4の除去加工
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概要
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A low power CO_2 laser was used to perform localized etching on Si_3N_4 coated with an aqueous KOH solution, and the etching characteristics were investigated. The laser power density is less then 10 kW/cm^2,and Si_3N_4 cannot be etched only by laser irradiation. However, coating with an aqueous KOH solution, the surface can be etched by laser irradiation. The etching process is not accompanied by melting but by oxidation. The etching rate depends on the laser power density and the concentration of the KOH solution. The etched area is restricted to the laser irradiated area. The etched hole diameter depends on the laser power density, and it is possible to form an etched hole whose diameter is less than the one of the laser beam.
- 公益社団法人精密工学会の論文
- 1988-01-05
著者
-
宮崎 眞
京都工芸繊維大学大学院
-
後藤 英和
京都工芸繊維大学工芸学部
-
土屋 八郎
京都工芸繊維大学
-
森 勇蔵
大阪大学工学部
-
山内 和人
大阪大学工学研究科
-
後藤 英和
阪大院工
-
遠藤 勝義
大阪大学工学部
-
西 雅文
三洋電機(株)
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