光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法の開発
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概要
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The present research aims at developing a method for measuring particle sizes of order of nanometer(nm) on the raw Si wafer using a light-scattering method with Ar^+ laser. According to the analysis for Mie and Rayleigh scattering theories, the measuring system is developed to detect the particle of nm order sizes with the ellipsoidal reflector collecting extremely weak light, the detected processing system, and the several optical instruments. Furthermore, a melting problem of the particle irradiated by the laser is clarified by analyzing the heat conduction to a particle theoretically. Consequently, it was verified theoretically that the measuring method developed in this study is applicable for detecting the nm order sizes nondestructively.
- 公益社団法人精密工学会の論文
- 1988-11-05
著者
-
土屋 八郎
京都工芸繊維大学
-
井出 敞
愛媛大学工学部
-
森 勇蔵
大阪大学工学部
-
杉山 和久
高知高専
-
山内 和人
大阪大学工学研究科
-
安 弘
大阪電気通信大学工学部
-
遠藤 勝義
大阪大学工学部
-
杉山 和久
大阪大学教養部
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