Si(001)表面におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 公益社団法人精密工学会の論文
- 1995-12-05
著者
-
坂本 正雄
阪大工
-
森 勇藏
大阪大学大学院工学研究科
-
広瀬 喜久治
大阪大学大学院工学研究科
-
堤 建一
日本電子(株)
-
森 勇藏
大阪大学大学院 工学研究科
-
垣内 弘章
大阪大学大学院工学研究科
-
安武 潔
大阪大学大学院工学研究科
-
芳井 熊安
大阪大学大学院工学研究科
-
安武 潔
大阪大学 大学院工学研究科
-
後藤 英和
阪大院工
-
芳井 熊安
大阪大学工学部精密工学科
-
坂本 正雄
阪大・工・精密
-
坂本 正雄
新技術事業団
-
後藤 英和
京都大学工芸繊維大学工芸学部
-
堤 建一
大阪大学大学院
関連論文
- 水酸基と相互作用するシリコン単結晶(001)水素終端化表面の第1原理分子動力学シミュレーション
- 5a-B-4 Si(001)水素終端化表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
- 超純水のみによる電気化学的加工法の銅ダマシン配線形成プロセスへの応用
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極Al(001)表面における除去加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超純水のみによる電気化学的加工システムの開発と平坦化加工プロセスへの応用
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極表面における加工現象
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陰極Si(001)表面における除去加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 陽極Si(001)表面の反応素過程
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 水素終端化されていないSi(001)表面原子とOHとの反応素過程
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : Si(001)水素終端化表面原子のOHによる加工現象の反応素過程
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : Si(001)水素終端化表面のOH^-イオンによる加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究 : 触媒反応を利用した超純水中のOH^-イオン密度の増加方法
- 高精度非球面ミラーの加工技術
- EEM (Elastic Emission Machining) によるナノ精度加工
- 超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第2報) : 超純水・高速せん断流によるCu除去メカニズムの研究
- 超純水・高速せん断流によるSi基板洗浄法の研究 : Si基板表面のDOP汚染の洗浄効果
- EEM (Elastic Emission Machining) およびプラズマ CVM (Chemical Vaporization Machining) による高精度X線全反射ミラーの開発
- コヒーレントX線のための高精度全反射ミラーの開発
- 硬X線ナノ集光用超高精度楕円ミラーの作製と1次元集光性能の評価
- EEM(Elastic Emission Machining)プロセスにおける微粒子表面の形態が加工表面に及ぼす影響
- EEM(Elastic Emission Machining)プロセスにおける加工液がSi(001)表面のマイクロラフネスに及ぼす影響
- EEM(Elastic Emission Machining)による4H-SiC(0001)表面の平滑化
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第1報) : 半導体表面の超平坦化のための超清浄EEMシステムの開発
- 完全表面の創成をめざして : 大阪大学・超精密加工研究拠点(精密工学の最前線)
- 数値制御プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度加工に関する研究 : 円筒型回転電極を用いた数値制御加工による水晶ウエハ厚さの均一化
- 数値制御プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度加工に関する研究 : 加工装置の開発と基本的加工特性の取得
- 高精度X線ミラーのための干渉計を利用した形状計測システムの開発
- 数値制御プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- 数値制御プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : 加工装置の開発と超薄膜SOIウエハの試作
- プラズマCVMおよびEEMによるシンクロトロン放射X線用楕円ミラーの作製と集光特性の評価
- 光散乱法を用いたナノパーティクル測定機の開発 : 標準ナノ粒子を用いた検出精度と洗浄効果の評価
- 超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第1報) : Si基板表面のCu汚染の洗浄効果
- 大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH_4濃度の影響
- 大気圧プラズマCVDによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第2報) : 成膜パラメータの最適化による膜構造の改善
- 大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiN_x薄膜の構造と成膜パラメータの相関
- ナノパーティクル測定機によるシリコンウエハ面のマイクロラフネス測定法
- 超清浄EEM(Elastic Emission Machining)システムに関する研究 : 最適加工条件の探索
- ナノパーティクル測定機によるシリコンウエハ面のナノ欠陥計測
- Elastic Emission Machiningにおける表面原子除去過程の解析とその機構の電子論的な解釈
- 数値制御プラズマ CVM(Chemical Vaporization Machining) によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- 大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性
- 大気圧プラズマCVD法によるSiN_xの成膜特性
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法による多結晶Siの成膜特性
- 大気圧プラズマCVD法による太陽電池用アモルファスSiの超高速成膜
- 数値制御EEM(Elastic Emission Machining)加工システムの開発 : nmオーダでの加工精度の評価
- SPV(Surface Photo-voltage)スペクトロスコピーによる超精密加工表面評価法の開発
- 超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第2報) : 超純水・高速せん断流によるCu除去メカニズムの研究
- 大気圧RFプラズマの特性
- 注入同期法による色素レーザの増幅
- Li原子ビームのレーザコリメーション
- 中性原子ビーム速度分光装置の開発
- 原子光学用レーザーの周波数安定化と光の増幅
- 単色Li原子ビームの生成とナノリソグラフィーへの応用
- 中性原子ビームのコリメーションとナノリソグラフィーへの応用
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第2報) : Si薄膜の構造および電気・光学特性
- レーザ光散乱法によるSiウエハ表面上の超微小欠陥計測
- レーザ光散乱法によるSiウエハ付着超微粒子計測
- レーザー光散乱法によるSiウエハ表面上のナノパーティクルの計測
- シリコンウエハ表面上の微粒子・微小欠陥による光散乱 : 散乱光強度およびレンズによる像形成の計算
- 5p-DQ-10 イオン結晶における固溶軟化 II
- パイプ電極プラズマCVMによる光学平面の創成加工
- プラズマCVMによる光学面の形状創成 -第2報 : パイプ電極プラズマCVM装置による非球面加工-
- レーザー光散乱によるSiウェーハ表面上の微粒子計測 -微小粒子の測定-
- ナノメータオーダの粒径測定機を用いたSiウェーハの洗浄による表面評価
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第1報)
- 光散乱法によるナノメートルオーダの微粒子の計測(超精密加工・計測を支える環境制御技術)
- 微粒子測定機による粗さ測定法とSiウエハ表面評価
- レーザ光散乱によるSiウェーハ表面上の微粒子計測 -P, S偏光による標準試料の測定-
- 双曲型偏微分方式の数値解法プログラムの研究開発(III)-減衰項を付加出来る波動方程式-
- 液体金属の濡れ性に関する分子軌道計算による考察
- 炭素系基盤への金属原子拡散過程の分子軌道論的考察
- 超高真空中での液体金属の濡れ性測定と評価(第2報) : 液体金属の濡れ性と原子拡散の検討
- 超高真空中での液体金属の濡れ性測定と評価
- 微粒子定機によるナノメータオーダのSiウエハ表面形状の測定
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第3報) : 高速形成a-Si薄膜の電気・光学特性
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 (第2報) : 成膜速度の高速化
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第1報) : 回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作
- プラズマCVMによる機能材料の切断加工 : 内周刃型切断加工装置の試作とその切断加工特性
- EEM(Elastic Emission Machining)に関する研究 : 加工液中の溶存酸素がSiウエハ表面に与える影響
- 8a-YJ-8 GGAを用いた実空間差分電子状態計算II
- レーザ光散乱法によるSiウエハ付着微粒子計測装置の開発
- 量子力学の第一原理に基づく電子状態の計算 -Si光反射率スペクトルの面方位依存性の解析-
- 大気圧プラズマCVDシステムにおけるプロセス雰囲気の清浄化
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第1報) : 成膜速度および膜構造の検討
- 超純水のみによる電気化学的加工法の研究
- 超精密加工専門委員会 : 水の化学的機能を利用した新しい生産プロセス(専門委員会・分科会研究レビュー)
- EEM(Elastic Emission Machining)における加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション (第3報) -化学結合の分子軌道計算-
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション(第5報)-Si表面とハロゲン原子の相互作用の解析(その3)-
- STM探針をプローブとしたオージェ電子分光法の開発
- Si(001)表面におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 5p-DQ-9 イオン結晶における固溶軟化 I
- 30p-YH-15 GGAを用いた実空間差分電子状態計算I
- 23a-L-7 アルカリハライド高濃度固溶体単結晶における降伏応力の温度依存性
- 5p-M-15 強電場中でのKCl-Ca^結晶の塑性変形II
- 11p-N-7 強電場中でのKCl-Ca^結晶の塑性変形
- 11p-N-6 固溶体におけるathermal stressとその解釈
- 4a-M-13 アルカリハライド高濃度固溶体における降伏応力の濃度依存性
- 11p-Q-12 アルカリハライド高濃度固溶体の降伏応力の温度依存性 III
- 4p-KM-2 アルカリハライド高濃度固溶体の降伏応力の温度依存とその計算機実験II