芳井 熊安 | 大阪大学工学部精密工学科
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
芳井 熊安
大阪大学工学部精密工学科
-
芳井 熊安
大阪大学大学院工学研究科
-
安武 潔
大阪大学 大学院工学研究科
-
垣内 弘章
大阪大学大学院工学研究科
-
吉井 熊安
大阪大学工学部
-
阿武 潔
大阪大学大学院工学研究科
-
垣内 弘章
大阪大学 大学院工学研究科
-
安武 潔
大阪大学大学院工学研究科
-
垣内 弘章
大阪大学工学部
-
森 勇藏
大阪大学大学院 工学研究科
-
森 勇藏
大阪大学大学院工学研究科
-
大参 宏昌
大阪大学 大学院工学研究科
-
竹内 昭博
大阪大学大学院
-
大参 宏昌
大阪大学大学院工学研究科
-
森 勇蔵
大阪大学大学院工学研究科
-
安武 潔
大阪大学
-
清水 正男
(株)日本アイ・ビー・エム
-
森 勇蔵
大阪大学工学部精密工学科
-
芳井 熊安
大阪大学工学部
-
中濱 康治
シャープ(株)
-
江畑 裕介
シャープ(株)
-
川辺 秀昭
大阪職業能力開発短期大学校
-
木山 精一
三洋電機(株)
-
堂本 洋一
三洋電機(株)
-
樽井 久樹
三洋電機(株)
-
清水 正男
日本IBM
-
片岡 俊彦
大阪大 大学院工学研究科
-
木山 精一
(株)三洋電機
-
木山 精一
三洋電機株式会社 株式会社ジーティシー
-
須崎 嘉文
高松工業高等専門学校高機能化技術教育研究センター
-
森 勇蔵
大阪大学 工学部
-
遠藤 勝義
大阪大学大学院工学研究科
-
片岡 俊彦
大阪大学大学院
-
和田 勝男
株式会社シリコンテクノロジー
-
和田 勝男
(株)シリコンテクノロジー
-
森 勇蔵
大阪大 工
-
森 勇臓
大阪大学大学院工学研究所
-
広瀬 喜久治
大阪大学大学院工学研究科
-
中村 恒夫
シャープ(株)
-
押鐘 寧
大阪大学大学院工学研究科
-
須崎 嘉文
香川大学工学部
-
竹内 博明
シャープ(株)
-
北條 義之
シャープ(株)
-
古川 和彦
シャープ(株)
-
山本 達志
シャープ(株)
-
川辺 秀昭
大阪大学工学部
-
井上 尚三
姫路工業大学産業機械工学科
-
松井 優貴
大阪大学大学院
-
川邉 秀昭
大阪職業能力開発短期大学校
-
安武 潔
大阪大学工学研究科
-
広瀬 喜久治
大阪大学
-
森 勇藏
大阪大学
-
宮川 治
大阪大学
-
遠藤 勝義
大阪大学
-
遠藤 勝義
大阪大学大学院
-
森 勇藏
大阪大学工学部
-
広瀬 喜久治
大阪大学工学研究科
-
根岸 伸幸
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
芳井 熊安
阪大院工
-
山本 達志
シャープ(株)精密技術開発センター
-
竹内 博明
シャープ株式会社
-
北條 義之
シャープ株式会社
-
江畑 裕介
シャープ株式会社
-
中村 恒夫
シャープ株式会社
-
古川 和彦
シャープ株式会社
-
大山 貴裕
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
浅香 浩
大阪大学
-
清水 正男
大阪大学大学院工学研究科
-
文 承啓
日本アイ・ビー・エム(株)
-
遠藤 勝義
大阪大学工学部
-
片岡 俊彦
大阪大学工学研究科
-
片岡 俊彦
大阪大学 工学部
-
野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
-
野中 誠
昭和大学藤が丘病院呼吸器外科
-
坂本 正雄
阪大工
-
広瀬 喜久治
阪大院工
-
稲垣 耕司
阪大院工
-
堤 建一
日本電子(株)
-
加藤 直子
株式会社アイテス品質技術部
-
井上 尚三
兵庫県大
-
森 勇蔵
大阪大学工学部
-
渡辺 勢夫
三菱電機株式会社応用機器研究所
-
渡辺 勢夫
三菱電機 応用機器研究所
-
梅野 正隆
阪大
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
-
森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
-
中澤 弘一
大阪大学大学院工学研究科
-
山田 康一
三菱電機
-
中野 元博
大阪大学大学院工学研究科
-
青木 稔
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
安武 潔
阪大院工
-
垣内 弘章
阪大院工
-
大参 宏昌
阪大院工
-
中濱 康冶
シャープ(株)
-
松本 光弘
三洋電機(株)
-
芳井 熊安
阪大
-
山田 朝治
大阪大学工学部
-
後藤 英和
阪大院工
-
梅野 正隆
阪大・工
-
中村 茂昭
高松工業高等専門学校
-
久保 高啓
三菱電機 中研
-
久保 高啓
三菱電機
-
三宅 崇之
大阪大学
-
谷屋 周平
大阪大学
-
西嶋 健一
大阪大学
-
松本 光弘
三洋電機
-
鹿間 共一
高松工業高等専門学校
-
加藤 直子
アイテス 技術事業部
-
川島 雅人
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
清水 正男
日本アイ・ビー・エム(株)
-
田中 亮
大阪大学
-
村上 健
大阪大学
-
安川 貴清
大阪大学大学院
-
岩井 敬文
阪大院・工
-
大参 宏昌
阪大院・工
-
竹内 昭博
阪大院・工
-
垣内 弘章
阪大院・工
-
安武 潔
阪大院・工
-
芳井 熊安
阪大院・工
-
森 勇藏
阪大院・工
-
角谷 哲司
大阪大学大学院
-
奥山 佳正
日本たばこ産業(株)
-
山田 裕一
松下電子部品(株)
-
萩原 琢也
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
竹内 昭博
大阪大学工学研究科
-
安見 正博
大阪大学大学院
-
西山 浩司
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
川辺 秀昭
阪大産研
-
西川 明
(株)アイテス半導体故障解析
-
加藤 直子
(株)アイテス 技術事業部 品質技術部
-
中村 茂昭
高松工業高等専門学校高機能化技術教育研究センター
-
鹿間 共一
高松高専
-
梅野 正隆
大阪大
-
川辺 秀昭
大阪大学職業能力開発短期大学校
-
稲垣 耕司
阪大院工:jst-crest
-
川辺 秀昭
阪大工
-
押鐘 寧
大阪大 大学院工学研究科
-
坂本 正雄
阪大・工・精密
-
辻井 ます美
(株)アイテス
-
坂本 正雄
新技術事業団
-
後藤 英和
京都大学工芸繊維大学工芸学部
-
堤 建一
大阪大学大学院
-
鹿間 共一
高松工業高等専門学校高機能化技術教育研究センター
-
多賀 豊
トヨタ自動車工業(株)
-
渡辺 勢夫
三菱電機 応用機器研
-
川島 雅人
阪大院
-
多賀 豊
大阪大学工学部大学院
著作論文
- 大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH_4濃度の影響
- 大気圧プラズマCVDによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第2報) : 成膜パラメータの最適化による膜構造の改善
- 大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiN_x薄膜の構造と成膜パラメータの相関
- 大気圧プラズマCVDによる高速形成したa-SiC薄膜の光学的特性
- 大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性
- 大気圧プラズマCVD法によるSiN_xの成膜特性
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法による多結晶Siの成膜特性
- 20pYD-12 第一原理分子動力学法による CVD エピタキシャル Si 成長初期過程の研究
- 大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報) : エピタキシャルSi成長条件の検討
- 大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 : NH_3/SiH_4比の最適化
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第3報) : 成膜速度と温度の関係
- 大気圧プラズマCVD法による太陽電池用アモルファスSiの超高速成膜
- スパッタ法により作製したa-Si/a-SiC超格子薄膜の構造
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiN-X膜の成膜に関する研究(SiH4/NH3系成膜)
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究:薄膜太陽電池デバイスの分光感度特性について
- 紫外光半導体レーザ用AIN単結晶薄膜の作製
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 : 太陽電池変換効率のパラメーター依存性について
- 大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャルの成長
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiNx膜の成膜過程に関する研究
- 大気圧・高周波プラズマの特性-励起周波数, 圧力の違い-
- 大気圧RFプラズマの特性
- ナノ構造作製へ向けた単色原子ビームの生成
- 注入同期法による色素レーザの増幅
- Li原子ビームのレーザコリメーション
- 中性原子ビーム速度分光装置の開発
- レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発 : フッ素ラジカルの生成と準安定状態の寿命測定
- 原子光学用レーザーの周波数安定化と光の増幅
- 単色Li原子ビームの生成とナノリソグラフィーへの応用
- レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発
- 中性原子ビームのコリメーションとナノリソグラフィーへの応用
- Si(111)基板上AIN単結晶薄膜のドーピングに関する研究
- Si(111)基板上AlN単結晶薄膜のドーピングに関する研究
- レーザー冷却法による中性原子ビームのコリメーション
- 光電流および光ホール電圧過渡分光法による半絶縁性GaAs単結晶中の欠陥準位評価
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第2報) : Si薄膜の構造および電気・光学特性
- InGaAs/GaAs単一ひずみ量子井戸薄膜の低温成長に関する研究
- TeO_2単結晶表面の熱損傷および光照射損傷に関する研究
- ラジカルソースMBE法によるSi(111)基板上AIN薄膜の成長第2報)-成膜条件の最適化-
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Si薄膜の低温成長に関する研究(第4報) -結晶粒の大粒径化に関する検討-
- ラジカルソースMBE法を用いたSi(111)基板上AIN薄膜のエピタキシャル成長
- 半導体素子特性に対するコンタクトホール内部の残留有機物薄膜の影響
- スパッタ法により作製したa-Si( : H)/a-SiC( : H)超格子薄膜の量子井戸効果
- スパッタリングにより作製したアモルファスSi_1_-_xC_x薄膜の結晶化
- アモルファスSiC薄膜の製作とその構造評価
- スパッタ法によるa-Si_1_-_xC_x薄膜の構造
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第1報)
- 3)レーザー光による金属薄膜への記録(録画研究会(第53回)光・フィルム技術研究会(第47回)合同)
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第3報) : 高速形成a-Si薄膜の電気・光学特性
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 (第2報) : 成膜速度の高速化
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第1報) : 回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第5報) -高速形成a-Si薄膜の特性-
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第4報) -a-Siの成膜速度の高速化-
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第3報) -a-Si : H成膜プロセスにおけるパウダーの影響-
- 大気圧プラズマCVDシステムにおけるプロセス雰囲気の清浄化
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第1報) : 成膜速度および膜構造の検討
- 半導体素子保護用ポリイミド表面のプラズマ処理
- 回転電極を用いた高圧力プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第1報) -成膜装置の試作とその成膜特性-
- Si(001)表面におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- (2-35) 純 Al の引張破壊部近傍の転位組織状態について