回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第4報) -a-Siの成膜速度の高速化-
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1997-10-01
著者
-
広瀬 喜久治
大阪大学
-
森 勇藏
大阪大学
-
遠藤 勝義
大阪大学大学院工学研究科
-
遠藤 勝義
大阪大学
-
木山 精一
三洋電機(株)
-
堂本 洋一
三洋電機(株)
-
片岡 俊彦
大阪大学大学院
-
芳井 熊安
大阪大学大学院工学研究科
-
安武 潔
大阪大学 大学院工学研究科
-
安武 潔
大阪大学
-
垣内 弘章
大阪大学 大学院工学研究科
-
樽井 久樹
三洋電機(株)
-
吉井 熊安
大阪大学工学部
-
阿武 潔
大阪大学大学院工学研究科
-
芳井 熊安
大阪大学工学部精密工学科
-
片岡 俊彦
大阪大 大学院工学研究科
-
木山 精一
(株)三洋電機
-
木山 精一
三洋電機株式会社 株式会社ジーティシー
-
片岡 俊彦
大阪大学 工学部
関連論文
- 水酸基による金属表面原子の除去加工の第一原理分子動力学シミュレーション
- 超平坦化加工を施した4H-SiC(0001)表面--高品質グラフェン作製への応用 (第29回表面科学学術講演会特集号(3))
- プラズマCVMおよびEEMによる放射光用X線ミラーの作製とその応用 : 二枚の平面ミラーを用いたX線干渉計の開発
- 超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第2報) : 超純水・高速せん断流によるCu除去メカニズムの研究
- 超純水・高速せん断流によるSi基板洗浄法の研究 : Si基板表面のDOP汚染の洗浄効果
- EEM (Elastic Emission Machining) およびプラズマ CVM (Chemical Vaporization Machining) による高精度X線全反射ミラーの開発
- 硬X線ナノ集光用超高精度楕円ミラーの作製と1次元集光性能の評価
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第2報) : 加工表面の原子像観察と構造評価
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第1報) : 半導体表面の超平坦化のための超清浄EEMシステムの開発
- 完全表面の創成をめざして : 大阪大学・超精密加工研究拠点(精密工学の最前線)
- 数値制御プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度加工に関する研究 : 回転電極とパイプ電極を併用した数値制御加工による水晶ウエハ厚さの均一化
- 数値制御プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度加工に関する研究 : 円筒型回転電極を用いた数値制御加工による水晶ウエハ厚さの均一化
- 数値制御プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度加工に関する研究 : 加工装置の開発と基本的加工特性の取得
- レーザ誘起蛍光分光法による大気圧・高周波CF_4プラズマ中のラジカル密度の空間分布計測
- モノシランとオゾンとの反応を用いた常圧光CVD法による酸化シリコン薄膜の形成
- 光散乱法を用いたナノパーティクル測定機の開発 : 標準ナノ粒子を用いた検出精度と洗浄効果の評価
- 超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第1報) : Si基板表面のCu汚染の洗浄効果
- ナノパーティクル測定機によるシリコンウエハ面のマイクロラフネス測定法
- 光散乱法を用いたSiウエハ表面のウエット洗浄によるナノパーティクル評価
- ナノパーティクル測定機によるシリコンウエハ面のナノ欠陥計測
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の原子像観察
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- SMTによる水素終端化Si(001)表面の昇温過程の観察
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- STMによる湿式洗浄Si(110)表面の昇温過程の観察
- STMによる溶液処理水素終端化Si(001)表面の原子構造観察
- STMによる溶液処理水素終端化Si(001)表面の観察
- STMによる水素終端化Si(001)ウェーハ表面の観察
- 超平坦化加工を施した4H-SiC(0001)表面 : 高品質グラフェン作製への応用
- STM/STSによるSiウェーハ表面の金属汚染物の極微量元素分析
- STM/STSによる金属吸着Si(001)表面の観察
- STM/STSによるSiウェーハ表面の金属原子の観察
- STM/STSによるSiウェーハ表面の金属汚染物の極微量元素分析
- 傾斜角積分法による超精密形状計測法の開発
- 傾斜角積分法による形状測定(第2報)-EEMよる修正加工前後の形状測定-
- 傾斜角積分法による形状測定(第1報)-製作した自動測定装置の性能-
- プラズマCVMによる集積型a-Si太陽電池の高速パターニングに関する研究
- 非経験的分子軌道法を用いた窒化物セラミックス薄膜形成における窒素分子と金属との反応解析
- 超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第2報) : 超純水・高速せん断流によるCu除去メカニズムの研究
- エキシマレーザによる基板表面凝集相の光化学反応
- 大気圧プラズマインピーダンス測定(第2報) : 測定装置内電磁界解析による測定原理の検証
- 大気圧プラズマインピーダンス測定(第1報) -測定原理, 測定結果, およびその測定精度について-
- 大気圧・高周波プラズマの特性-励起周波数, 圧力の違い-
- 大気圧RFプラズマの特性
- 機械工学年鑑(1997年) : 加工学・加工機器
- 光ファイバからの点光源回折球面波を計測の絶対基準とした位相シフト光干渉計の開発
- 光ファイバからの点光源回折球面波を計測の絶対基準とした位相シフト光干渉計の開発
- レーザ光散乱法によるSiウエハ表面上の超微小欠陥計測
- 光散乱法を用いたシリコンウエハ面の洗浄によるナノ構造評価
- レーザ光散乱法によるSiウエハ付着超微粒子計測
- レーザー光散乱法によるSiウエハ表面上のナノパーティクルの計測
- 光散乱法によるSiウエハ表面のナノ微細欠陥とナノ構造の計測と評価
- シリコンウエハ表面上の微粒子・微小欠陥による光散乱 : 散乱光強度およびレンズによる像形成の計算
- エキシマレーザによる基板表面凝集相の光化学反応
- 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法の開発 (第5報) : Siウエハ表面に対する洗浄前後の微粒子測定による表面評価
- レーザー光散乱によるSiウェーハ表面上の微粒子計測 -Siウェーハ表面の観察-
- ナノメータオーダの粒径測定機を用いたSiウエハ表面の微粒子および欠陥計測による表面評価
- レーザー光散乱によるSiウェーハ表面上の微粒子計測 -微小粒子の測定-
- ナノメータオーダの粒径測定機を用いたSiウェーハの洗浄による表面評価
- 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法 (第7報) -ウルトラクリーンルームでのSiウェーハ面の測定と微粒子測定表面評価-
- 関西支部の現況
- カーボンナノチューブを探針にしたSTM/SREMによるSi表面の観察
- STM/STSによるハロゲン吸着Si(001)2X1表面の観察(第3報)
- 数値制御プラズマCVM加工装置の開発(第1報)
- 光散乱法によるナノメートルオーダの微粒子の計測(超精密加工・計測を支える環境制御技術)
- 微粒子測定機による粗さ測定法とSiウエハ表面評価
- レーザ光散乱によるSiウェーハ表面上の微粒子計測 -P, S偏光による標準試料の測定-
- 微小共振球の近接場光学顕微鏡プローブへの応用
- 微小共振球をプローブとした近接場光学顕微鏡の開発 -微小共振球プローブの開発-
- 赤外半導体レーザー吸収分光法による大気圧・高周波プラズマ中のラジカル計測
- 液体金属の濡れ性に関する分子軌道計算による考察
- 炭素系基盤への金属原子拡散過程の分子軌道論的考察
- 超高真空中での液体金属の濡れ性測定と評価(第2報) : 液体金属の濡れ性と原子拡散の検討
- 固体表面での濡れ性制御に関する研究 第2報 -第一原理分子軌道計画(二原子分子モデル)による液体金属の濡れ性評価-
- 光散乱法によるSiウエハ表面上のナノ形状欠陥の計測
- 微粒子定機によるナノメータオーダのSiウエハ表面形状の測定
- 微粒子測定機を用いたSiウェハ表面におけるナノメータオーダのスクラッチ形状の測定
- 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法 (第6報) -Siウェーハ面の測定と微粒子付着分布による表面評価-
- モノシランとオゾンとの反応を用いた常圧光CVD法による酸化シリコン薄膜の形成
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第5報) -高速形成a-Si薄膜の特性-
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第4報) -a-Siの成膜速度の高速化-
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における切断加工に関する研究(第3報) -各種材料の切断加工特性-
- EEM(Elastic Emission Machining)に関する研究 : 加工液中の溶存酸素がSiウエハ表面に与える影響
- EEM(Elastic Emission Machining) 加工システムの超清浄化
- EEMにおける原子除去過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 金属窒化物セラミックスの薄膜成長過程の第一原理シミュレーション
- EEMにおける原子除去過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- レーザ光散乱法によるSiウエハ付着微粒子計測装置の開発
- 第一原理計算によるH原子吸着Si(001)表面のSTM像の解析
- 非経験的分子軌道法プログラムAMOSSの利用法 :-グラフィックス編 -
- STM/STSによるハロゲン原子が吸着したSi(001)2×1表面の観察
- He高圧力・高周波プラズマの特性 -電極材質による相違-
- 大気圧・高周波プラズマの特性
- 精密工学会創立75周年に寄せて : 私にとっての精密工学会(2.1 歴代会長より,2.諸先輩からのメッセージ,創立75周年記念)
- 精密工学における "物づくり" の研究に光を
- EEM(Elastic Emission Machining)における加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション (第3報) -化学結合の分子軌道計算-
- レーザー光散乱によるSiウェーハ表面上の微粒子計測 -冷却CCDカメラによる測定-
- 高圧力・高周波プラズマの計測と制御 -プラズマの時空間分解発光分光測定-
- 超精密加工技術を支援する計算機シミュレ-ション
- 25pPSB-35 Si(001)表面の超純水によるエッチング現象の第一原理計算(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))