プラズマCVMによる集積型a-Si太陽電池の高速パターニングに関する研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1997-10-01
著者
-
佐野 泰久
阪大院工
-
森 勇藏
大阪大学
-
山村 和也
大阪大学
-
佐野 泰久
大阪大学
-
中野 昭一
三洋電機(株)
-
中野 昭一
三洋電機株式会社ニューマテリアル研究所
-
平野 均
三洋電機(株)
-
木山 精一
三洋電機(株)
-
堂本 洋一
三洋電機(株)
-
中野 真吾
三洋電機(株)
-
樽井 久樹
三洋電機(株)
-
平野 均
三洋電機
-
中野 昭一
三洋電機
-
中野 真吾
三洋電機株式会社ニューマテリアル研究所
-
木山 精一
(株)三洋電機
-
木山 精一
三洋電機株式会社 株式会社ジーティシー
関連論文
- 22pGQ-6 超平坦化加工した4H-SiC(0001)表面上のグラフェン(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-27 4H-SiC(0001)表面上のグラフェン形成過程の組成・構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 水酸基による金属表面原子の除去加工の第一原理分子動力学シミュレーション
- 大気圧プラズマによるエッチングを応用した種々の加工法とその特性 (特集 最近の興味深いビーム加工技術と将来動向)
- Advanced Kirkpatrick-Baez ミラー光学系の開発
- 硬X線ナノ集光ビーム用波面誤差算出法の開発
- プラズマCVMおよびEEMによる放射光用X線ミラーの作製とその応用 : 二枚の平面ミラーを用いたX線干渉計の開発
- プラズマCVMおよびEEMによる放射光用X線ミラーの作製とその応用 : 硬X線顕微鏡の開発
- 触媒基準エッチング法(CAtalyst Referred Ething: CARE)の開発--SiC, GaN基板加工への応用 (特集 グリーンエネルギー時代を支える先進加工技術とその課題)
- 触媒基準エッチング法
- 22pTC-3 超高精度ミラーによる硬X線ナノビーム形成とその応用(領域10シンポジウム主題:X線・電子線による回折イメージングの最前線,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 高精度非球面ミラーの加工技術
- 高分解能硬X線顕微鏡のためのミラーマニピュレータの開発 : 硬X線領域における50nm以下の回折限界集光の実現
- 硬X線ナノ集光用超高精度楕円ミラーの作製と1次元集光性能の評価
- EEM(Elastic Emission Machining)による4H-SiC(0001)表面の平滑化
- 硬X線用斜入射平面ミラーの形状誤差が反射X線強度・位相分布に及ぼす影響の波動光学的評価
- 完全表面の創成をめざして : 大阪大学・超精密加工研究拠点(精密工学の最前線)
- プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度ダメージフリー加工
- 集積型 a-Si 太陽電池のレーザパターニング
- 数値制御プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度加工に関する研究 : 回転電極とパイプ電極を併用した数値制御加工による水晶ウエハ厚さの均一化
- 数値制御プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度加工に関する研究 : 円筒型回転電極を用いた数値制御加工による水晶ウエハ厚さの均一化
- 数値制御プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度加工に関する研究 : 加工装置の開発と基本的加工特性の取得
- 27pPSA-45 第一原理分子動力学シミュレーションを用いたα-アルミナ表面の化学反応によるエッチングプロセスの探索(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 高精度X線ミラーのための干渉計を利用した形状計測システムの開発
- 数値制御プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- 数値制御プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : 加工装置の開発と超薄膜SOIウエハの試作
- プラズマCVMおよびEEMによるシンクロトロン放射X線用楕円ミラーの作製と集光特性の評価
- プラズマCVMによるSOlの数値制御薄膜化:薄膜化した8インチSOlウエハのデバイス特性
- プラズマCVMおよびEEMによるX線平面ミラーの加工と放射光による評価
- 数値制御プラズマCVMおよび数値制御EEMによる硬X線集光用超精密非球面ミラーの加工
- 金属電極膜の光励起エッチングによるレーザパターニング
- 動力
- 原子レベルで平坦な表面の創成技術
- 数値制御プラズマ CVM(Chemical Vaporization Machining) によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- 超平坦化加工を施した4H-SiC(0001)表面 : 高品質グラフェン作製への応用
- STM/STSによる金属吸着Si(001)表面の観察
- プラズマCVMによる集積型a-Si太陽電池の高速パターニングに関する研究
- SPV(Surface Photo-voltage)スペクトロスコピーによる超精密加工表面評価法の開発
- プラズマCVM加工における電極/ワーク間ギャップセンサの開発
- 回転電極型プラズマCVM法におけるシリコンの加工速度向上に関する-検討
- 24aPS-73 4H-SiC(0001)上のグラフェン形成過程の追跡と層分解構造解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- エキシマレーザによる基板表面凝集相の光化学反応
- 大気圧プラズマインピーダンス測定(第2報) : 測定装置内電磁界解析による測定原理の検証
- 大気圧プラズマインピーダンス測定(第1報) -測定原理, 測定結果, およびその測定精度について-
- 大気圧・高周波プラズマの計測と制御 : 発光分光を中心としたCVM用プラズマ中のフリーラジカル密度の分光計測
- パイプ電極プラズマCVMによる光学平面の創成加工
- プラズマCVMによる光学面の形状創成 -第2報 : パイプ電極プラズマCVM装置による非球面加工-
- プラズマCVMによる光学面の形状創成 -第1報 : パイプ電極を用いた数値制御プラズマCVM装置の開発-
- プラズマCVMによる光学部品の超精密加工 : 薄肉光学部品の加工特性
- 先端半球ロッド電極を用いたプラズマCVMによる光学面の加工
- マイクロ電極を用いたプラズマCVMによる複雑形状光学面の創成加工
- プラズマCVM加工面に影響を与える前加工面の加工変質層について
- 数値制御プラズマCVM加工装置の開発(第1報)
- 光散乱法によるナノメートルオーダの微粒子の計測(超精密加工・計測を支える環境制御技術)
- EEM (Elastic Emission Machining)用微粒子作製装置の開発
- 高圧力・高周波プラズマの計測と制御-赤外半導体レーザー吸収分光法によるプラズマ中のラジカル計測-
- 赤外半導体レーザー吸収分光法による大気圧・高周波プラズマ中のラジカル計測
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第5報) -高速形成a-Si薄膜の特性-
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第4報) -a-Siの成膜速度の高速化-
- プラズマCVMによる機能材料の切断加工 : 内周刃型切断加工装置の試作とその切断加工特性
- プラズマCVMにおける切断加工に関する研究(第5報) : 加工ギャップのその場観察
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における切断加工に関する研究(第4報)-加工ギャップ制御方法-
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における切断加工に関する研究(第3報) -各種材料の切断加工特性-
- EEM(Elastic Emission Machining) 加工システムの超清浄化
- 金属窒化物セラミックスの薄膜成長過程の第一原理シミュレーション
- EEMにおける原子除去過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 数値制御プラズマCVMによるX線ミラーの加工に関する研究(第2報)
- プラズマCVMによるSOIの数値制御薄膜化 : 加工面のデバイス特性評価
- 数値制御プラズマCVMによるX線ミラーの加工に関する研究(第1報) : X線ミラー加工用装置の開発
- 数値制御プラズマCVM加工装置の開発(第4報)
- 数値制御プラズマCVM加工装置の開発(第3報)
- 数値制御プラズマCVM加工装置の開発(第2報)
- 精密工学会創立75周年に寄せて : 私にとっての精密工学会(2.1 歴代会長より,2.諸先輩からのメッセージ,創立75周年記念)
- 精密工学における "物づくり" の研究に光を
- Plasma CVM(Chemical Vaporization Machining)におけるポリシング加工に関する研究(第3報) -加工面の平坦度と電極形状ならびに試料保持方法の相関(その2)-
- Plasma CVM(Chemical Vaporization Machining)におけるポリシング加工に関する研究(第1報) -ポリシング加工用高速回転型電極の試作とその加工特性-
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における切断加工に関する研究 -切断加工用高速回転電極の試作とその加工特性-
- Plasma CVM(Chemical Vaporization Machining)におけるNC加工に関する研究(第1報) -NC加工用高速回転型電極の試作とその加工特性-
- プラズマCVMの開発
- 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法の開発(第4報) : 光電子増倍管出力特性の定式化とダイナミックレンジの改善法
- 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法 (第5報) -ダイナミックレンジの改善法と標準粒子の測定-
- EEM(Elastic Emission Machining)における加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション (第3報) -化学結合の分子軌道計算-
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション(第5報)-Si表面とハロゲン原子の相互作用の解析(その3)-
- プラズマCVMにおける基礎研究 : 単結晶シリコンの加工における加工条件と表面粗さの相関
- プラズマCVMにおける高融点金属材料の加工特性
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)による超精密加工
- プラズマCVMによる高融点金属材料の表面加工 (第3報)
- プラズマCVMによる高融点金属材料の表面加工 (第2報)
- プラズマCVMによる高融点金属材料の表面加工
- レーザー光散乱によるSiウェーハ表面上の微粒子計測 -冷却CCDカメラによる測定-
- 高圧力・高周波プラズマの計測と制御 -プラズマの時空間分解発光分光測定-
- プラズマ援用研磨による4H-SiC(0001)表面の高品位仕上げ加工
- SiC基板表面の原子レベル平坦化 (特集 最近のLEDとパワーデバイスの現状と将来)
- 触媒表面基準エッチングによる単結晶SiC、GaN表面の平滑化 (特集 先端部品のための高付価値研磨・切断加工技術)
- 触媒表面基準エッチングによる単結品SiC,GaN,ZnO表面の平滑化 (特集 酸化物表面のウェットプロセス)
- 触媒表面基準エッチングによる単結晶SiC,GaN表面の平滑化 (特集 先端電子デバイスの量産を支える超精密研磨技術)
- 触媒表面基準エッチングによる単結晶SiC, GaN, ZnO表面の平滑化
- 半導体SiC基板の新しい研磨技術 : 触媒表面反応を利用した研磨技術の開発(話題の材料を活かす加工技術)
- 25pPSB-35 Si(001)表面の超純水によるエッチング現象の第一原理計算(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))