プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における切断加工に関する研究 -切断加工用高速回転電極の試作とその加工特性-
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1996-03-01
著者
-
佐野 泰久
阪大院工
-
山内 和人
阪大院工
-
森 勇藏
大阪大学大学院工学研究科
-
山内 和人
大阪大学大学院工学研究科
-
山村 和也
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
佐野 泰久
大阪大学大学院工学研究科精密科学専攻
-
森 勇藏
大阪大学大学院 工学研究科
-
佐野 泰久
大阪大学大学院工学研究科
-
山村 和也
大阪大学大学院
関連論文
- 22pGQ-6 超平坦化加工した4H-SiC(0001)表面上のグラフェン(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSA-27 4H-SiC(0001)表面上のグラフェン形成過程の組成・構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 大気圧プラズマによるエッチングを応用した種々の加工法とその特性 (特集 最近の興味深いビーム加工技術と将来動向)
- Advanced Kirkpatrick-Baez ミラー光学系の開発
- 硬X線ナノ集光ビーム用波面誤差算出法の開発
- Unraveling Genuine First Order Bulk Valence Transition and Kondo Resonance Behaviors in YbInCu_4 by High Energy Photoelectron Spectroscopy
- 超純粋超高速せん断流によるシリコンウエハ表面の洗浄:汚染微粒子の除去特性
- Gravure & Interview 精密工学の最前線 未踏の光源、X線自由電子レーザー開発に挑む!--理研・JASRI X線自由電子レーザー計画合同推進本部
- プラズマCVMおよびEEMによる放射光用X線ミラーの作製とその応用 : 二枚の平面ミラーを用いたX線干渉計の開発
- プラズマCVMおよびEEMによる放射光用X線ミラーの作製とその応用 : 硬X線顕微鏡の開発
- コヒーレント照射でのX線全反射ミラー
- X線自由電子レーザー用大型集光ミラーの開発 (特集 X線自由電子レーザー開発と精密工学)
- 触媒基準エッチング法(CAtalyst Referred Ething: CARE)の開発--SiC, GaN基板加工への応用 (特集 グリーンエネルギー時代を支える先進加工技術とその課題)
- X線自由電子レーザ集光ミラーの開発
- 触媒基準エッチング法
- 22pTC-3 超高精度ミラーによる硬X線ナノビーム形成とその応用(領域10シンポジウム主題:X線・電子線による回折イメージングの最前線,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 高精度非球面ミラーの加工技術
- High-Spatial-Resolution Machining Utilizing Atmospheric Pressure Plasma : Machining Characteristics of Silicon
- Polishing Characteristics of Silicon Carbide by Plasma Chemical Vaporization Machining
- Ultraprecision Machining Utilizing Numerically Controlled Scanning of Localized Atmospheric Pressure Plasma
- 23aQE-5 High resolution hard X-ray(8keV) photoelectron spectroscopy of genuine bulk electronic structures of V and Yb compounds
- 高分解能硬X線顕微鏡のためのミラーマニピュレータの開発 : 硬X線領域における50nm以下の回折限界集光の実現
- EEM (Elastic Emission Machining) によるナノ精度加工
- 超純水・高速せん断流による洗浄法の開発(第2報) : 超純水・高速せん断流によるCu除去メカニズムの研究
- 超純水・高速せん断流によるSi基板洗浄法の研究 : Si基板表面のDOP汚染の洗浄効果
- 原子レベルで平坦な表面の創成技術
- 硬X線ナノ集光ミラーの形状計測
- EEM(Elastic Emission Machining)によるナノ精度加工 (特集 モノづくりと混相流(6)機能性微粒子技術を支える現象・要素技術)
- 硬X線ナノ集光用超高精度楕円ミラーの作製と1次元集光性能の評価
- EEM(Elastic Emission Machining)プロセスにおける微粒子表面の形態が加工表面に及ぼす影響
- EEM(Elastic Emission Machining)プロセスにおける加工液がSi(001)表面のマイクロラフネスに及ぼす影響
- EEM(Elastic Emission Machining)による4H-SiC(0001)表面の平滑化
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第2報) : 加工表面の原子像観察と構造評価
- EEM(Elastic Emission Machining)によるSi(001)表面の平坦化(第1報) : 半導体表面の超平坦化のための超清浄EEMシステムの開発
- 硬X線用斜入射平面ミラーの形状誤差が反射X線強度・位相分布に及ぼす影響の波動光学的評価
- Intermediate-Valence Behavior of YbCu_Al_x around Quantum Critical Point Measured by Resonant Inelastic X-ray Scattering at Yb L_3 Absorption Edge(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
- 数値制御プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度加工に関する研究 : 回転電極とパイプ電極を併用した数値制御加工による水晶ウエハ厚さの均一化
- 数値制御プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度加工に関する研究 : 円筒型回転電極を用いた数値制御加工による水晶ウエハ厚さの均一化
- 数値制御プラズマCVMによる水晶ウエハの高精度加工に関する研究 : 加工装置の開発と基本的加工特性の取得
- 27pPSA-45 第一原理分子動力学シミュレーションを用いたα-アルミナ表面の化学反応によるエッチングプロセスの探索(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 高精度X線ミラーのための干渉計を利用した形状計測システムの開発
- 数値制御プラズマCVM (Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- 数値制御プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)によるSOIの薄膜化 : 加工装置の開発と超薄膜SOIウエハの試作
- プラズマCVMおよびEEMによるシンクロトロン放射X線用楕円ミラーの作製と集光特性の評価
- プラズマCVMによるSOlの数値制御薄膜化:薄膜化した8インチSOlウエハのデバイス特性
- プラズマCVMおよびEEMによるX線平面ミラーの加工と放射光による評価
- 数値制御プラズマCVMおよび数値制御EEMによる硬X線集光用超精密非球面ミラーの加工
- プラズマCVMおよびEEMによるX線光学素子の加工と放射光による評価
- 原子レベルで平坦な表面の創成技術
- 数値制御プラズマ CVM(Chemical Vaporization Machining) によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- 超平坦化加工を施した4H-SiC(0001)表面 : 高品質グラフェン作製への応用
- プラズマCVMによる集積型a-Si太陽電池の高速パターニングに関する研究
- SPV(Surface Photo-voltage)スペクトロスコピーによる超精密加工表面評価法の開発
- プラズマCVM加工における電極/ワーク間ギャップセンサの開発
- 回転電極型プラズマCVM法におけるシリコンの加工速度向上に関する-検討
- 24aPS-73 4H-SiC(0001)上のグラフェン形成過程の追跡と層分解構造解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 大気圧プラズマインピーダンス測定(第2報) : 測定装置内電磁界解析による測定原理の検証
- 大気圧プラズマインピーダンス測定(第1報) -測定原理, 測定結果, およびその測定精度について-
- 大気圧・高周波プラズマの計測と制御 : 発光分光を中心としたCVM用プラズマ中のフリーラジカル密度の分光計測
- パイプ電極プラズマCVMによる光学平面の創成加工
- プラズマCVMによる光学面の形状創成 -第2報 : パイプ電極プラズマCVM装置による非球面加工-
- プラズマCVMによる光学部品の超精密加工 : 薄肉光学部品の加工特性
- 先端半球ロッド電極を用いたプラズマCVMによる光学面の加工
- マイクロ電極を用いたプラズマCVMによる複雑形状光学面の創成加工
- 数値制御プラズマCVM加工装置の開発(第1報)
- EEM (Elastic Emission Machining)用微粒子作製装置の開発
- 高圧力・高周波プラズマの計測と制御-赤外半導体レーザー吸収分光法によるプラズマ中のラジカル計測-
- 赤外半導体レーザー吸収分光法による大気圧・高周波プラズマ中のラジカル計測
- プラズマCVMによる機能材料の切断加工 : 内周刃型切断加工装置の試作とその切断加工特性
- プラズマCVMにおける切断加工に関する研究(第5報) : 加工ギャップのその場観察
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における切断加工に関する研究(第4報)-加工ギャップ制御方法-
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における切断加工に関する研究(第3報) -各種材料の切断加工特性-
- 数値制御プラズマCVMによるX線ミラーの加工に関する研究(第2報)
- プラズマCVMによるSOIの数値制御薄膜化 : 加工面のデバイス特性評価
- 数値制御プラズマCVMによるX線ミラーの加工に関する研究(第1報) : X線ミラー加工用装置の開発
- 数値制御プラズマCVM加工装置の開発(第4報)
- 数値制御プラズマCVM加工装置の開発(第3報)
- 数値制御プラズマCVM加工装置の開発(第2報)
- Plasma CVM(Chemical Vaporization Machining)におけるポリシング加工に関する研究(第3報) -加工面の平坦度と電極形状ならびに試料保持方法の相関(その2)-
- Plasma CVM(Chemical Vaporization Machining)におけるポリシング加工に関する研究(第1報) -ポリシング加工用高速回転型電極の試作とその加工特性-
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における切断加工に関する研究 -切断加工用高速回転電極の試作とその加工特性-
- Plasma CVM(Chemical Vaporization Machining)におけるNC加工に関する研究(第1報) -NC加工用高速回転型電極の試作とその加工特性-
- プラズマCVMの開発
- 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法の開発(第4報) : 光電子増倍管出力特性の定式化とダイナミックレンジの改善法
- 光散乱法によるナノメータオーダの粒径測定法 (第5報) -ダイナミックレンジの改善法と標準粒子の測定-
- EEM(Elastic Emission Machining)における加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション (第3報) -化学結合の分子軌道計算-
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)における加工現象の第一原理分子動力学シミュレーション(第5報)-Si表面とハロゲン原子の相互作用の解析(その3)-
- プラズマCVMにおける基礎研究 : 単結晶シリコンの加工における加工条件と表面粗さの相関
- プラズマCVMにおける高融点金属材料の加工特性
- プラズマCVM(Chemical Vaporization Machining)による超精密加工
- プラズマCVMによる高融点金属材料の表面加工 (第3報)
- プラズマCVMによる高融点金属材料の表面加工 (第2報)
- プラズマCVMによる高融点金属材料の表面加工
- SiC基板表面の原子レベル平坦化 (特集 最近のLEDとパワーデバイスの現状と将来)
- 触媒表面基準エッチングによる単結晶SiC、GaN表面の平滑化 (特集 先端部品のための高付価値研磨・切断加工技術)
- 触媒表面基準エッチングによる単結品SiC,GaN,ZnO表面の平滑化 (特集 酸化物表面のウェットプロセス)
- 触媒表面基準エッチングによる単結晶SiC,GaN表面の平滑化 (特集 先端電子デバイスの量産を支える超精密研磨技術)
- 触媒表面基準エッチングによる単結晶SiC, GaN, ZnO表面の平滑化
- 半導体SiC基板の新しい研磨技術 : 触媒表面反応を利用した研磨技術の開発(話題の材料を活かす加工技術)