Polishing Characteristics of Silicon Carbide by Plasma Chemical Vaporization Machining
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概要
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- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2006-10-30
著者
-
山内 和人
阪大院工
-
ISHIKAWA Tetsuya
SPring-8/Riken
-
SANO Yasuhisa
Graduate School of Engineering, Osaka University
-
WATANABE Masayo
Graduate School of Engineering, Osaka University
-
YAMAMURA Kazuya
Graduate School of Engineering, Osaka University
-
YAMAUCHI Kazuto
Graduate School of Engineering, Osaka University
-
ISHIDA Takeshi
Graduate School of Engineering, Osaka University
-
ARIMA Kenta
Graduate School of Engineering, Osaka University
-
KUBOTA Akihisa
Faculty of Engineering, Kumamoto University
-
MORI Yuzo
Graduate School of Engineering, Osaka University
-
Yamamura K
Kyoto Univ. Kyoto
-
Yamauchi Kazuto
Department Of Precision Science And Technology Graduate School Of Engineering Osaka University
-
Mori Y
Research Center For Ultra-precision Science And Technology Graduate School Of Engineering Osaka Univ
-
Ishikawa Tetsuya
Riken Spring-8 Center Harima Institute
-
Arima Kenta
Graduate School Of Engineering Osaka University
-
Mori Yoshihiro
Ulsi Process Technology Development Center Semiconductor Company Matsushita Electronics Corp.
-
Mori Y
Osaka Univ. Suita Jpn
-
Sano Y
Division Of Precision Science And Technology And Applied Physics Graduate School Of Engineering Osak
-
Kubota Akihisa
Faculty Of Engineering Kumamoto University
-
Yamamura K
Graduate School Of Science Kyoto University
-
Watanabe Masayo
Graduate School Of Engineering Osaka University
-
Yoshimura Kazuyoshi
Graduate School Of Science Kyoto University
-
Mori Yuzo
Department Of Mechanical Engineering Kochi National College Of Technology
-
Yamamura Kazuya
Osaka University
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