アモルファスSiC薄膜の製作とその構造評価
スポンサーリンク
概要
著者
-
須崎 嘉文
香川大学工学部
-
芳井 熊安
大阪大学大学院工学研究科
-
芳井 熊安
大阪大学工学部
-
須崎 嘉文
高松工業高等専門学校高機能化技術教育研究センター
-
井上 尚三
姫路工業大学産業機械工学科
-
芳井 熊安
大阪大学工学部精密工学科
関連論文
- 436 薄膜材料を対象とした二軸引張試験技術の開発(T09-3 微小機械システムにおけるマイクロ・ナノ力学(3) マイクロ・ナノ実験力学,大会テーマセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 大気圧非平衡マイクロ波プラズマジェットを用いたPENフィルム表面処理における基礎特性
- Ti-Ni薄膜の形状回復力を用いた高接触力MEMSプローブカードの試作
- 大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH_4濃度の影響
- 大気圧プラズマCVDによる多結晶Siの高速成膜プロセスにおける成膜速度の決定因子
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第2報) : 成膜パラメータの最適化による膜構造の改善
- 大気圧プラズマCVD法により高速形成したSiN_x薄膜の構造と成膜パラメータの相関
- 高温軸受材料としてのMo高速度鋼の高温強度
- 大気圧プラズマCVDによる高速形成したa-SiC薄膜の光学的特性
- 大気圧プラズマCVDによる超高速形成アモルファスSiを発電層とした薄膜太陽電池の基礎特性
- 大気圧プラズマCVD法によるSiN_xの成膜特性
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法による多結晶Siの成膜特性
- 20pYD-12 第一原理分子動力学法による CVD エピタキシャル Si 成長初期過程の研究
- 大気圧プラズマCVD法によるエピタキシャルSiの低温かつ高速成長(第1報) : エピタキシャルSi成長条件の検討
- 大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 : NH_3/SiH_4比の最適化
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第3報) : 成膜速度と温度の関係
- 大気圧プラズマCVD法による太陽電池用アモルファスSiの超高速成膜
- T0302-1-4 Al/Ni発熱多層膜を含むAgSnはんだ接合部材の強度評価(マイクロ・ナノ力学とシステム設計論(1))
- 437 Ag-Snはんだ接合微小要素の強度試験(T09-3 微小機械システムにおけるマイクロ・ナノ力学(3) マイクロ・ナノ実験力学,大会テーマセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- スパッタ法により作製したa-Si/a-SiC超格子薄膜の構造
- 大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiN-X膜の成膜に関する研究(SiH4/NH3系成膜)
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究:薄膜太陽電池デバイスの分光感度特性について
- 紫外光半導体レーザ用AIN単結晶薄膜の作製
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 : 太陽電池変換効率のパラメーター依存性について
- 大気圧プラズマCVDによるSiの高速エピタキシャルの成長
- 回転電極型大気圧プラズマCVD法によるSiNx膜の成膜過程に関する研究
- 大気圧・高周波プラズマの特性-励起周波数, 圧力の違い-
- 大気圧RFプラズマの特性
- ナノ構造作製へ向けた単色原子ビームの生成
- 注入同期法による色素レーザの増幅
- Li原子ビームのレーザコリメーション
- 中性原子ビーム速度分光装置の開発
- レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発 : フッ素ラジカルの生成と準安定状態の寿命測定
- 原子光学用レーザーの周波数安定化と光の増幅
- 単色Li原子ビームの生成とナノリソグラフィーへの応用
- レーザー冷却法を用いた異方性ドライエッチングプロセスの開発
- 中性原子ビームのコリメーションとナノリソグラフィーへの応用
- Si(111)基板上AIN単結晶薄膜のドーピングに関する研究
- Si(111)基板上AlN単結晶薄膜のドーピングに関する研究
- レーザー冷却法による中性原子ビームのコリメーション
- 光電流および光ホール電圧過渡分光法による半絶縁性GaAs単結晶中の欠陥準位評価
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第2報) : Si薄膜の構造および電気・光学特性
- InGaAs/GaAs単一ひずみ量子井戸薄膜の低温成長に関する研究
- TeO_2単結晶表面の熱損傷および光照射損傷に関する研究
- ラジカルソースMBE法によるSi(111)基板上AIN薄膜の成長第2報)-成膜条件の最適化-
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Si薄膜の低温成長に関する研究(第4報) -結晶粒の大粒径化に関する検討-
- ラジカルソースMBE法を用いたSi(111)基板上AIN薄膜のエピタキシャル成長
- He大気圧プラズマによるZnO薄膜の作製における酸素流量の効果
- 大気圧低温HeプラズマによるZnO薄膜の作製における原料加熱の効果
- 大気圧開放下で発生させた低温プラズマによるZnO薄膜の作製
- 大気圧低温プラズマを用いたZnO薄膜の作製
- SUS304鋼ターゲットを用いた非平衡マグネトロンスパッタ法によるステンレス鋼薄膜
- T0302-1-3 環境制御型引張試験システムを用いたAl合金薄膜の機械的特性評価(マイクロ・ナノ力学とシステム設計論(1))
- 2836 ラマン計測援用単軸引張試験による単結晶Siマイクロ構造体の平面応力定量評価(S08-3 微小機械設計・開発のための実験力学の新展開(3),S08 微小機械設計・開発のための実験力学の新展開)
- 半導体素子特性に対するコンタクトホール内部の残留有機物薄膜の影響
- オープンエアー低温プラズマを用いたZnO薄膜の作製
- ウェハ上に浮遊微粒子が沈着した半導体デバイスの歩留まりとその予測
- イオンビームスパッタリング法によるITO薄膜の低温成膜におけるHeイオンビーム照射効果
- イオンビームスパッタリング法によるITO薄膜の低温成膜におけるイオンビーム照射効果
- スパッタ法により作製したa-Si( : H)/a-SiC( : H)超格子薄膜の量子井戸効果
- スパッタ法によるa-SiC:H薄膜中の水素濃度および熱放出
- スパッタリングにより作製したアモルファスSi_1_-_xC_x薄膜の結晶化
- アモルファスSiC薄膜の製作とその構造評価
- スパッタ法によるa-Si_1_-_xC_x薄膜の構造
- 高周波スパッタ蒸着法による多結晶Siの低温成膜に関する研究(第1報)
- 233 高速度工具鋼へのa-SiC コーティングについて(セラミックスII)
- 薄膜の引っ張り特性 (薄膜の機械的性質の評価法(技術ノ-ト))
- 3)レーザー光による金属薄膜への記録(録画研究会(第53回)光・フィルム技術研究会(第47回)合同)
- レーザ光による金属薄膜への記録
- 2-27 Al 合金の引張破壊過程における微視的研究
- 非平衡スパッタリング法によるTi-Ni形状記憶合金薄膜の作製とその通電加熱に伴う形状記憶挙動
- 実効周期可変型機械式長周期ファイバグレーティング(光エレクトロニクス)
- SiO2誘電体ターゲットの高周波マグネトロンスパッタリングにおける2重円環状侵食パターンの形成および均一性の検討
- チューナブル長周期ファイバグレーティングの製作と特性評価(光エレクトロニクス)
- 二段階方式によるファイバグレーティングの温度補償(光エレクトロニクス)
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第3報) : 高速形成a-Si薄膜の電気・光学特性
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究 (第2報) : 成膜速度の高速化
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiの高速成膜に関する研究(第1報) : 回転電極型大気圧プラズマCVD装置の設計・試作
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第5報) -高速形成a-Si薄膜の特性-
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第4報) -a-Siの成膜速度の高速化-
- 回転電極を用いた大気圧プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第3報) -a-Si : H成膜プロセスにおけるパウダーの影響-
- 434 金属薄膜のヤング率測定法の提案
- 336 異材接合材の引掻き試験に関する基礎的研究
- 大気圧プラズマCVDシステムにおけるプロセス雰囲気の清浄化
- 大気圧プラズマCVD法によるアモルファスSiCの高速成膜に関する研究(第1報) : 成膜速度および膜構造の検討
- 半導体素子保護用ポリイミド表面のプラズマ処理
- ポイント露光法によって作製した長周期ファイバーグレーティングにおけるスペクトル特性のシミュレーションを用いた検討
- 連結ファイバーグレーティングのスペクトル評価
- 回転電極を用いた高圧力プラズマCVDによるSi薄膜の高速成膜に関する研究(第1報) -成膜装置の試作とその成膜特性-
- 二光束干渉計を用いて作製したファイバーブラッググレーティングの反射特性におけるアポダイゼーション
- 1-16 アルミニウム薄膜の引張クラック近傍の透過電子顕微鏡観察
- Si(001)表面におけるアンモニア吸着過程の第一原理分子動力学シミュレーション
- 長周期ファイバグレーティング透過スペクトルの長さ依存性
- (2-35) 純 Al の引張破壊部近傍の転位組織状態について
- 連結ファイバーグレーティングのスペクトル評価
- 大気圧非平衡DCパルス放電プラズマの発光分光計測及びPENフィルムの表面改質
- オイラー法による大気圧非平衡DCパルスプラズマ中のラジカルシミュレーション
- 116 長周期ファイバーグレーティングの作製(光関連材料,一般セッション)
- スーパーインポーズド・ファイバーグレーティングの重ね描き制限回数