イオンビームスパッタリング法によるITO薄膜の低温成膜におけるHeイオンビーム照射効果
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概要
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Indium tin oxide (ITO) films were prepared on glass substrates at low temperatures by ion beam sputtering. Growth of the films was assisted by He ion beam irradiation. Optical transmission and electrical resistivity were then measured. In addition, FE-SEM was used to observe the films' microstructure, which was further studied by X-ray diffraction measurements. The relation between beam voltage, transmission rate and electrical resistivity is shown in this study. Finally, theoretical calculation of the Hall mobility and carrier density in ITO films by the Van der Pauw's method is discussed.
- 公益社団法人精密工学会の論文
- 2000-10-05
著者
-
須崎 嘉文
香川大学工学部
-
須崎 嘉文
高松工業高等専門学校高機能化技術教育研究センター
-
樋口 弘志
高松工業高等専門学校電気工学科
-
鹿間 共一
高松工業高等専門学校
-
田中 治
大倉工業(株)研究所
-
梶谷 孝啓
大倉工業(株)研究所
-
鹿間 共一
高松高専
-
福井 智史
高松工業高等専門学校
-
須崎 嘉文
香川大学
-
福井 智史
高松工業高等専門学校機械工学科
-
鹿間 共一
高松工業高等専門学校高機能化技術教育研究センター
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