大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響
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概要
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- 2002-03-01
著者
-
森 勇蔵
大阪大学大学院工学研究科
-
森 勇藏
大阪大学大学院 工学研究科
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和田 勝男
株式会社シリコンテクノロジー
-
大参 宏昌
大阪大学大学院工学研究科
-
垣内 弘章
大阪大学大学院工学研究科
-
安武 潔
大阪大学大学院工学研究科
-
芳井 熊安
大阪大学大学院工学研究科
-
安武 潔
大阪大学 大学院工学研究科
-
垣内 弘章
大阪大学 大学院工学研究科
-
大参 宏昌
大阪大学 大学院工学研究科
-
和田 勝男
(株)シリコンテクノロジー
-
垣内 弘章
大阪大学工学部
-
吉井 熊安
大阪大学工学部
-
森 勇蔵
大阪大学工学部精密工学科
-
阿武 潔
大阪大学大学院工学研究科
-
芳井 熊安
大阪大学工学部精密工学科
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