大気圧プラズマCVD法によるSiN_xの成膜特性
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概要
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Silicon nitride (SiN_x) films were fabricated with extremely high deposition rate using the atmospheric pressure plasma CVD technique. The films were prepared on Si(001) wafers at atmospheric pressure in a very high frequency (150MHz) plasma of gas mixtures containing He, H_2, SiH_4 and N_2 or NH_3. Film properties (structure and composition of SiN_x) were studied as a function of each deposition parameter by Fourier transformation infrared (FTIR) absorption spectroscopy and Auger electron spectroscopy. The maximum deposition rate was 120nm/s, which was 40 times as fast as that achieved by the conventional plasma CVD technique. It was found that SiN_x films with uniform structure could be deposited using NH_3 as the N source gas. When N_2 was used, however, the composition of the film changed in the normal direction of the surface.
- 社団法人精密工学会の論文
- 2004-02-05
著者
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森 勇藏
大阪大学大学院工学研究科
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森 勇藏
大阪大学大学院 工学研究科
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大参 宏昌
大阪大学大学院工学研究科
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垣内 弘章
大阪大学大学院工学研究科
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中濱 康治
シャープ(株)
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安武 潔
大阪大学大学院工学研究科
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芳井 熊安
大阪大学大学院工学研究科
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安武 潔
大阪大学 大学院工学研究科
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垣内 弘章
大阪大学 大学院工学研究科
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大参 宏昌
大阪大学 大学院工学研究科
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垣内 弘章
大阪大学工学部
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吉井 熊安
大阪大学工学部
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阿武 潔
大阪大学大学院工学研究科
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芳井 熊安
大阪大学工学部精密工学科
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