安武 潔 | 阪大院工
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概要
関連著者
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広瀬 喜久治
阪大院工
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稲垣 耕司
阪大院工
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安武 潔
大阪大学 大学院工学研究科
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安武 潔
阪大院工
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阿武 潔
大阪大学大学院工学研究科
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稲垣 耕司
阪大院工:jst-crest
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森川 良忠
阪大院工
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森川 良忠
産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体
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森州 良忠
阪大産研
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金井 良太
阪大工
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森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
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大参 宏昌
大阪大学大学院工学研究科
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垣内 弘章
大阪大学大学院工学研究科
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芳井 熊安
大阪大学大学院工学研究科
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垣内 弘章
大阪大学 大学院工学研究科
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大参 宏昌
大阪大学 大学院工学研究科
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垣内 弘章
阪大院工
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大参 宏昌
阪大院工
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芳井 熊安
阪大院工
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垣内 弘章
大阪大学工学部
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吉井 熊安
大阪大学工学部
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芳井 熊安
大阪大学工学部精密工学科
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金井 良太
阪大院工
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田代 崇
阪大工
著作論文
- 20pYD-12 第一原理分子動力学法による CVD エピタキシャル Si 成長初期過程の研究
- 24aPS-82 水素終端Si(001)2×1表面に過剰吸着したHの拡散(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pPSB-41 低速Hラジカル照射下におけるSi(001)2×1表面H被覆率の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29pPSB-25 第一原理分子動力学シミュレーションによる水素終端Si表面上へのSi成膜反応前駆体衝突時の反応解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pPSA-1 大気圧プラズマCVDによるSiエピタキシャル成膜過程の解明 : 表面拡散に影響をおよぼす表面温度の解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pPSA-46 HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pPSB-23 HラジカルによるSi表面エッチング過程の解析 : 飛来Hラジカル表面吸着確率の既吸着H原子数依存(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))