23pPSB-23 HラジカルによるSi表面エッチング過程の解析 : 飛来Hラジカル表面吸着確率の既吸着H原子数依存(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 2011-08-24
著者
-
森川 良忠
阪大院工
-
森川 良忠
産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体
-
広瀬 喜久治
阪大院工
-
稲垣 耕司
阪大院工
-
安武 潔
大阪大学 大学院工学研究科
-
森州 良忠
阪大産研
-
安武 潔
阪大院工
-
阿武 潔
大阪大学大学院工学研究科
-
稲垣 耕司
阪大院工:jst-crest
-
森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
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