20aGQ-3 Si(111)-(7x7)の表面電子構造:再訪II(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2010-03-01
著者
-
森川 良忠
阪大工
-
金崎 順一
阪大産研
-
谷村 克己
阪大産研
-
谷村 克己
大阪大学産業科学研究所
-
森川 良忠
阪大院工
-
森州 良忠
阪大産研
-
Fauste T.
Erlangen Univ.
-
谷村 克巳
阪大産研
-
谷村 克己
大阪大 産科研
関連論文
- 20aGQ-2 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学II(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGQ-1 Si(001)表面のレーザー光電子分光(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aGL-2 Au(111)表面におけるHe^*の脱励起過程(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXF-1 擬1次元結晶ポリジアセチレンTCDUのフェムト秒時間分解反射分光(光誘起相転移)(領域5)
- 23pYH-8 グラファイト表面における光誘起構造相転移の研究(23pYH 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pXJ-1 フェムト秒パルスレーザー励起によるグラファイト表面構造変化III(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pXA-8 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造変化のトンネル顕微鏡観察II(光誘起相転移(鉄錯体・低次元系),領域5,光物性)
- 27aVD-8 グラファイトのフェムト秒時間分解反射分光(27aVD 光誘起相転移(鉄錯体系・その他),領域5(光物性))
- ダイヤファイトと可視光誘起グラファイト-ダイヤモンド相転移初期過程の理論
- 21aYD-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造変化のトンネル顕微鏡観察(21aYD 光誘起相転移II(鉄錯体系・その他),領域5(光物性))
- 23aRJ-7 フェムト秒レーザー光励起によるグラファイト表面原子層の剥離(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aRJ-8 フェムト秒レーザー光励起によるグラファイト表面構造変化 IV(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aRE-7 可視光誘起グラファイト-ダイヤモンド構造相転移の理論(27aRE 光誘起相転移,領域5(光物性))
- 26pXD-1 フェムト秒パルスレーザー励起によるグラファイト表面構造の変化(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 26pYC-6 キャリア注入によるInP(110)-(1×1)表面におけるボンド切断(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXJ-1 Si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化機構VI(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-9 Si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化機構V(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pWR-2 Si(111)-(2x1)表面における光誘起構造変化機構III(表面界面ダイナミクス(電子励起・摩擦))(領域9)
- 20pYD-3 Si 再構成表面における光誘起表面構造変化機構
- 31p-PSB-47 Si(111)-7x7表面におけるレーザー誘起原子放出 : 放出原子の速度分布
- 2a-YG-4 電荷移動錯体TTF-CAにおけるCT励起子生成による光誘起相転移 III
- 8a-G-2 電荷移動錯体TTF-CAにおけるCT励起子生成による光誘起相転移 II
- 31p-YC-2 電荷移動錯体TTF-CAにおけるCT励起子生成による光誘起相転移
- 25aYH-7 Si(001)表面における励起電子ダイナミクスの温度依存性(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aWH-8 低温におけるSi(001)表面の励起電子動力学II(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pYC-9 Si表面における超高速キャリアダイナミクス : 励起波長依存性(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXJ-7 Si(001)表面のキャリアダイナミクスにおける温度依存性(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-8 波長可変時間分解2光子光電子分光によるSi(001)-(2×1)表面のキャリアーダイナミクス(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-153 Si(001)(2×1)表面における局所構造とキャリアダイナミクスの相関(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-27 Si(001)(2×1) 表面の時間分解 2 光子光電子分光 IV(領域 9)
- 28pWR-1 Si(001)(2x1)表面の時間分解2光子光電子分光III(表面界面ダイナミクス(電子励起・摩擦))(領域9)
- 20pYD-4 Si(001)(2x1) 表面の時間分解 2 光子光電子分光 II
- 20aGQ-3 Si(111)-(7x7)の表面電子構造:再訪II(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYG-1 Si(111)-(7×7)の表面電子構造 : 再訪(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 14pXA-3 光誘起磁性体スピネル型フェライト薄膜 (Al, Ru, Fe)_3O_4 のフェムト秒分光(光誘起相転移・超伝導体・強相関系, 領域 5)
- 12p-Q-11 クラスターDV-Xα法による酸化物表面の電子状態の計算
- 28pYG-4 擬一次元電荷移動錯体TTF-CAにおける光誘起相転移効率の分子内遷移域での励起波長依存性
- 28aYG-9 擬1次元荷移動錯体TTF-CAにおける光誘起相転移のフェムト秒分光III
- 23pXD-14 アルカリハライド結晶における温度に依存するF中心生成の起源
- 23pRA-2 擬一次元電荷移動錯体TTF-CAにおける光誘起相転移のフェムト秒分光I
- 24aYC-5 擬一次元電荷移動錯体TTF-CAにおけるCT励起子生成による光誘起相転移 V
- 29p-ZH-2 電荷移動錯体における光誘起相転移
- 28p-ZG-1 擬一次元電荷移動錯体TTF-CAにおけるCT励起子生成による光誘起相転移IV
- 27p-YM-2 励起子の自己束縛 : 局所的構造変化から相転移へ
- 21aGV-4 Ultrafast dynamics of electron-lattice systems of reconstructed semiconductor surfaces studied by fs time-resolved photoemission(Elucidation of ultrafast dynamics on the surface and the nanoscale with the short wavelength sources)
- 26aYG-6 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aTE-6 Si(111)7x7表面における光励起ボンド切断における温度の効果II(28aTE 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-1 角度分解2光子光電子分光法によるSi(111)-(7×7)表面電子構造の高分解測定(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXB-4 Si(111)7×7表面における光励起ボンド切断における温度の効果(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXB-3 高分解能低エネルギー電子線励起によるSi(111)7×7表面構造変化の機構(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYG-2 フェムト秒時間分解2光子光電子分光によるキャリヤー動力学II(20aYG 超高速現象,領域5(光物性))
- 24aYJ-8 フェムト秒時間分解2光子光電子分光によるキャリヤー動力学I : Siにおけるhot electronダイナミクス(非線形光学・超高速現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aRJ-13 Si(001)-(2×1)表面上のimage-potential共鳴状態 II(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 30p-YD-14 アルカリハライド結晶中で光生成された正孔の特性 : 非局在・局在の問題
- F中心生成過程の動的機構
- 3a-Z-4 フェムト秒分光法によるKI結晶中のF-H対生成過程
- フェムト秒時間分解2光子光電子分光によるSi表面の超高速キャリヤー動力学
- 23aWX-2 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学III(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-83 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aRC-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : 励起波長依存性(23aRC 光誘起相転移(錯体化合物,グラファイト),領域5(光物性))
- 28aZF-9 Si(111)-(2×1) 表面における光誘起構造変化機構 II
- 19pTF-5 Si(111)-(2×1)表面上の光誘起構造変化に対する表面励起状態の役割
- 有機分子エレクトロニクスへの第一原理計算の応用 (
- 20pYD-2 電子励起による InP(110) 表面構造変化
- 28aZF-7 Si(001)-(2×1) 表面における光誘起 Si 原子クラスター形成過程
- 19pTF-6 Si(100)-(2×1)表向からのレーザー誘起Si原子脱離の励起波長依存性II
- 19pTF-4 InP(110)-(1x1)表面における光誘起構造変化の励起波長依存性II
- 24aRE-12 中性相TTF-CA結晶における分子内励起状態からイオン性電荷移動秩序の形成過程(24aRE 領域5,領域7合同 光誘起相転移(有機化合物),領域5(光物性))
- 21pXL-2 Si(111)-7×7表面キャリアダイナミクス2(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXL-3 Si(100)-(2x1)表面上のimage-potential共鳴状態(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aWH-7 2光子光電子分光スペクトルにおけるSiパルク電子状態ピークの起源(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aXJ-8 Si(111)-(7x7)表面キャリアダイナミクス(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24pRC-14 フェムト秒時間分解電子回折法による超高速構造動力学II(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
- 24pRC-13 フェムト秒時間分解電子回折法による超高速構造動力学I(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
- 27aXJ-3 InP(110)-(1x1)表面の光誘起ボンド切断におけるサイト相関2(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 14pXF-11 InP(110)-(1x1) 表面の光誘起ボンド切断におけるサイト相関(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
- 21aWH-4 H/Si(001)2x1表面における低エネルギー電子線誘起結合切断機構(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 半導体表面におけるレーザー光誘起脱離とその電子的機構
- 26pYC-8 Si(100)2×1-H表面における電子線励起誘起結合切断機構(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXJ-2 低エネルギー電子線励起によるSi(111)-(7x7)表面構造の変化IV(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31aWD-2 Si(001)(2×1) 表面の時間分解 2 光子光電子分光
- 23aWX-3 Siにおける結晶伝導帯ホットエレクトロンの高速表面状態遷移(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 領域9,3「反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道」(第63回年次大会シンポジウムの報告)
- 15pXE-7 n-アルカンと金属表面との相互作用(表面界面電子物性, 領域 9)
- 31a-YD-8 CdWO_4結晶における自己活性化蛍光機構と電子-正孔対の緩和過程
- 25pXD-2 低エネルギー電子線励起によるSi(111)-(7×7)表面構造の変化III(表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13aXF-13 低エネルギー電子線励起による Si(111)-(7×7)表面構造の変化 II(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
- 25aHC-11 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : パルス幅依存性(25aHC 光誘起相転移(錯体化合物,TTF-CA,グラファイト),領域5(光物性))
- 28aHC-4 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
- 21aRB-1 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学II(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 21pHA-4 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着II(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pTC-5 励起パルス時間幅に依存するグラファイト光構造相転移の核形成過程(23pTC 領域5,領域7合同 光誘起相転移,領域5(光物性))
- 26pBL-7 フェムト秒時間分解光電子分光による半導体価電子正孔系の超高速動力学(26pBL 超高速現象,領域5(光物性))
- 20aHB-12 直接遷移型半導体における超高速キャリア動力学 : フェムト秒時間分解光電子分光II(20aHB 非線形光学・超高速現象,領域5(光物性))
- 20aHB-11 直接遷移型半導体における超高速キャリア動力学 : フェムト秒時間分解光電子分光I(20aHB 非線形光学・超高速現象,領域5(光物性))
- 25aWB-7 有機-金属界面の第一原理量子シミュレーション(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pCC-8 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着III(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pEJ-5 直接遷移型半導体における超高速キャリア動力学 : フェムト秒時間分解光電子分光III(28pEJ 超高速現象,領域5(光物性))
- 27pDB-7 直接遷移型半導体における超高速キャリア動力学 : フェムト秒時間分解光電子分光 IV(超高速現象,領域5(光物性))
- 27pDB-9 半導体中の高励起電子状態の超高速緩和過程(超高速現象,領域5(光物性))