24aPS-83 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2010-08-18

著者

• 森川 良忠

  阪大工

• 大門 寛

  奈良先端大物質

• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 大門 寛

  奈良先端大

• 森川 良忠

  阪大院工

• 森川 良忠

  産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体

• 服部 賢

  奈良先端大物質創成

• 服部 賢

  奈良先端大物質

• 稲葉 雄一

  奈良先端大物質創成

• 安居 麻美

  奈良先端大物質創成

• 森州 良忠

  阪大産研

• 柳澤 将

  阪大院工

• 服部 賢

  奈良先端大

• 柳澤 将

  阪大工

• 稲葉 雄一

  奈良先端大・物質創成

• 森川 良忠

  大阪大学大学院工学研究科

• 安居 麻美

  奈良先端大・物質創成

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