30pRD-8 Si(111)√<3>×√<3>-Agの表面電子状態における原子ステップの効果の研究(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-03

著者

• 大門 寛

  奈良先端大物質

• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 武田 さくら

  奈良先端大物質創成

• 箕田 弘喜

  農工大工

• 大門 寛

  奈良先端大

• 森田 誠

  奈良先端大物質創成

• 矢澤 博之

  農工大工

• 森田 誠

  奈良先端大・物質創成

• 武田 さくら

  奈良先端大学院大学物質創成科学研究科

• 武田 さくら

  奈良先端大

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