27aYH-8 Siホールサブバンドの有効質量(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-08-18

著者

• 大門 寛

  奈良先端大物質

• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 武田 さくら

  奈良先端大物質創成

• 大門 寛

  奈良先端大

• 谷川 洋平

  奈良先端大物質創成

• 森田 誠

  奈良先端大物質創成

• 小池 潤一郎

  奈良先端大物質創成

• 山中 佑一郎

  奈良先端大物質創成

• 吉丸 正樹

  半導体理工学研究センター

• 今村 健

  半導体理工学研究センター

• 今村 健

  (株)半導体理工学研究センター

• 吉丸 正樹

  半導体理工学センター (starc)

• 吉丸 正樹

  半導体理工学センター

• 森田 誠

  奈良先端大・物質創成

• 武田 さくら

  奈良先端大学院大学物質創成科学研究科

• 武田 さくら

  奈良先端大

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