24pCC-8 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着III(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2012-03-05

著者

• 森川 良忠

  阪大工

• 大門 寛

  奈良先端大

• 柳澤 将

  阪大院工

• 服部 賢

  奈良先端大

• 稲葉 雄一

  奈良先端大・物質創成

• 安居 麻美

  奈良先端大・物質創成

• 柳澤 将

  琉球大理

• 大門 寛

  奈良先端大・物質創成

• 服部 賢

  奈良先端大・物質創成

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