森川 良忠 | 阪大工
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概要
関連著者
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森川 良忠
阪大工
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森州 良忠
阪大産研
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森川 良忠
阪大院工
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森川 良忠
阪大産研
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大門 寛
奈良先端大
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森川 良忠
産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体
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柳澤 将
阪大院工
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服部 賢
奈良先端大
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稲葉 雄一
奈良先端大・物質創成
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森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
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安居 麻美
奈良先端大・物質創成
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大門 寛
奈良先端科学技術大学院大学
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金崎 順一
阪大産研
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谷村 克己
阪大産研
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谷村 克己
大阪大学産業科学研究所
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服部 賢
奈良先端大物質
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稲葉 雄一
奈良先端大物質創成
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安居 麻美
奈良先端大物質創成
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谷村 克巳
阪大産研
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柳澤 将
琉球大理
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関 一彦
名大院理
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青木 優
東大院総合文化
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増田 茂
東大院総合文化
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佐々木 恵太
東大院総合文化
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十河 真生
東大院総合文化
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大門 寛
奈良先端大物質
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市林 拓
阪大産研
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石井 久夫
千葉大学先進科学研究教育センター
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石井 久夫
東北大・通研
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関 一彦
名大物質国際研
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服部 賢
奈良先端大物質創成
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青木 優
東大院総合
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石井 久夫
東北大通研
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増田 茂
東大教養
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Fauste T.
Erlangen Univ.
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谷村 克己
大阪大 産科研
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柳澤 将
阪大工
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関 一彦
名古屋大学物質科学国際研究センター
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大門 寛
奈良先端大・物質創成
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服部 賢
奈良先端大・物質創成
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増田 茂
東大院総合
著作論文
- 21aGL-2 Au(111)表面におけるHe^*の脱励起過程(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGQ-3 Si(111)-(7x7)の表面電子構造:再訪II(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYG-1 Si(111)-(7×7)の表面電子構造 : 再訪(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aPS-83 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 有機分子エレクトロニクスへの第一原理計算の応用 (
- 領域9,3「反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道」(第63回年次大会シンポジウムの報告)
- 15pXE-7 n-アルカンと金属表面との相互作用(表面界面電子物性, 領域 9)
- 21pHA-4 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着II(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25aWB-7 有機-金属界面の第一原理量子シミュレーション(表面・界面電子物性(理論・シミュレーション),領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pCC-8 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着III(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))