市林 拓 | 阪大産研
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概要
関連著者
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市林 拓
阪大産研
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谷村 克己
阪大産研
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谷村 克巳
阪大産研
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谷村 克己
大阪大学産業科学研究所
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田中 慎一郎
阪大産研
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田中 慎一郎
京大理
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金崎 順一
阪大産研
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谷村 克己
大阪大 産科研
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森川 良忠
阪大工
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森川 良忠
阪大産研
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森川 良忠
阪大院工
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前野 浩介
阪大院基礎工
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森州 良忠
阪大産研
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前野 浩介
阪大産研
著作論文
- 20aGQ-2 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学II(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26pYC-9 Si表面における超高速キャリアダイナミクス : 励起波長依存性(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXJ-7 Si(001)表面のキャリアダイナミクスにおける温度依存性(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-8 波長可変時間分解2光子光電子分光によるSi(001)-(2×1)表面のキャリアーダイナミクス(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYG-1 Si(111)-(7×7)の表面電子構造 : 再訪(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYG-6 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXA-1 角度分解2光子光電子分光法によるSi(111)-(7×7)表面電子構造の高分解測定(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYG-2 フェムト秒時間分解2光子光電子分光によるキャリヤー動力学II(20aYG 超高速現象,領域5(光物性))
- 24aYJ-8 フェムト秒時間分解2光子光電子分光によるキャリヤー動力学I : Siにおけるhot electronダイナミクス(非線形光学・超高速現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aRJ-13 Si(001)-(2×1)表面上のimage-potential共鳴状態 II(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXL-2 Si(111)-7×7表面キャリアダイナミクス2(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXL-3 Si(100)-(2x1)表面上のimage-potential共鳴状態(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aWH-7 2光子光電子分光スペクトルにおけるSiパルク電子状態ピークの起源(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aXJ-8 Si(111)-(7x7)表面キャリアダイナミクス(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))