谷村 克己 | 大阪大学産業科学研究所
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概要
関連著者
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谷村 克己
大阪大学産業科学研究所
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谷村 克己
阪大産研
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谷村 克巳
阪大産研
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谷村 克己
大阪大 産科研
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金崎 順一
阪大産研
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市林 拓
阪大産研
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成瀬 延康
阪大産研
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稲見 栄一
阪大産研
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楊 金峰
阪大産研
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室岡 義栄
阪大産研
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田中 慎一郎
阪大産研
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田中 慎一郎
京大理
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楊 金峰
大阪大学産業科学研究所
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室岡 義栄
大阪大学産業科学研究所
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森川 良忠
阪大工
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森川 良忠
阪大院工
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森州 良忠
阪大産研
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大西 宏昌
物構研
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那須 奎一郎
KEK物構研
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浦川 順治
高エ研
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森川 良忠
阪大産研
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近藤 孝文
阪大産研
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伊東 千尋
和歌山大シス工
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前野 浩介
阪大院基礎工
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浦川 順治
高エネルギー加速器研究機構
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吉田 陽一
大阪大学産業科学研究所
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那須 圭一郎
阪大産研
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谷村 克巳
名大工名大理
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稲見 栄一
大阪大学産業科学研究所
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伊東 千尋
和歌山大システム工
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田中 慎一郎
大阪大学産業科学研究所
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Fauste T.
Erlangen Univ.
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菅 晃一
大阪大学産業科学研究所
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前野 浩介
阪大産研
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市橋 数理
阪大産研
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金崎 順一
大阪大学産業科学研究所
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那須 圭一郎
阪大産研:高エネ研
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金崎 純一
阪大産研
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浦川 順治
高エネルギー加速器研究開発機構
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成瀬 延康
大阪大学産業科学研究所
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近藤 孝文
大阪大学産業科学研究所
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伊東 千尋
和歌山大学大学院システム工学研究科
著作論文
- 20aGQ-2 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学II(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aGQ-1 Si(001)表面のレーザー光電子分光(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pXA-8 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造変化のトンネル顕微鏡観察II(光誘起相転移(鉄錯体・低次元系),領域5,光物性)
- 27aVD-8 グラファイトのフェムト秒時間分解反射分光(27aVD 光誘起相転移(鉄錯体系・その他),領域5(光物性))
- ダイヤファイトと可視光誘起グラファイト-ダイヤモンド相転移初期過程の理論
- 21aYD-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造変化のトンネル顕微鏡観察(21aYD 光誘起相転移II(鉄錯体系・その他),領域5(光物性))
- 23aRJ-7 フェムト秒レーザー光励起によるグラファイト表面原子層の剥離(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 23aRJ-8 フェムト秒レーザー光励起によるグラファイト表面構造変化 IV(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 13aXF-12 Si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化機構 IV(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
- 25aYH-7 Si(001)表面における励起電子ダイナミクスの温度依存性(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aWH-8 低温におけるSi(001)表面の励起電子動力学II(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- Si(001)(2×1)表面における励起電子動力学 : 時間分解フェムト秒2光電子分光法による研究
- 20aGQ-3 Si(111)-(7x7)の表面電子構造:再訪II(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYG-1 Si(111)-(7×7)の表面電子構造 : 再訪(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 電子遷移誘起脱離の小特集に寄せて
- 21aGV-4 Ultrafast dynamics of electron-lattice systems of reconstructed semiconductor surfaces studied by fs time-resolved photoemission(Elucidation of ultrafast dynamics on the surface and the nanoscale with the short wavelength sources)
- 26aYG-6 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aTE-6 Si(111)7x7表面における光励起ボンド切断における温度の効果II(28aTE 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22aXA-1 角度分解2光子光電子分光法によるSi(111)-(7×7)表面電子構造の高分解測定(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXB-4 Si(111)7×7表面における光励起ボンド切断における温度の効果(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXB-3 高分解能低エネルギー電子線励起によるSi(111)7×7表面構造変化の機構(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYG-2 フェムト秒時間分解2光子光電子分光によるキャリヤー動力学II(20aYG 超高速現象,領域5(光物性))
- 24aYJ-8 フェムト秒時間分解2光子光電子分光によるキャリヤー動力学I : Siにおけるhot electronダイナミクス(非線形光学・超高速現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23aRJ-13 Si(001)-(2×1)表面上のimage-potential共鳴状態 II(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- フェムト秒時間分解2光子光電子分光によるSi表面の超高速キャリヤー動力学
- 23aWX-2 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学III(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aRC-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : 励起波長依存性(23aRC 光誘起相転移(錯体化合物,グラファイト),領域5(光物性))
- 24aRE-12 中性相TTF-CA結晶における分子内励起状態からイオン性電荷移動秩序の形成過程(24aRE 領域5,領域7合同 光誘起相転移(有機化合物),領域5(光物性))
- 21pXL-2 Si(111)-7×7表面キャリアダイナミクス2(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXL-3 Si(100)-(2x1)表面上のimage-potential共鳴状態(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aWH-7 2光子光電子分光スペクトルにおけるSiパルク電子状態ピークの起源(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24pRC-14 フェムト秒時間分解電子回折法による超高速構造動力学II(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
- 24pRC-13 フェムト秒時間分解電子回折法による超高速構造動力学I(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
- 21aWH-4 H/Si(001)2x1表面における低エネルギー電子線誘起結合切断機構(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 半導体表面におけるレーザー光誘起脱離とその電子的機構
- 23aWX-3 Siにおける結晶伝導帯ホットエレクトロンの高速表面状態遷移(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aHC-5 フェムト秒時間分解電子回折法による超高速構造動力学III(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
- 25aHC-11 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : パルス幅依存性(25aHC 光誘起相転移(錯体化合物,TTF-CA,グラファイト),領域5(光物性))
- 26pHD-5 自己束縛励起子から光誘起構造相転移へ(26pHD 領域5,領域7,領域4合同シンポジウム:光励起の素過程と平衡からはるか遠くの相転移パラダイム,領域5(光物性))
- 28aHC-4 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
- 21aRB-1 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学II(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
- 21aTC-1 VO_2における光誘起相転移 : フェムト秒時間分解吸収分光(21aTC 光誘起相転移(酸化物・シアノ錯体),領域5(光物性))
- 23pTC-5 励起パルス時間幅に依存するグラファイト光構造相転移の核形成過程(23pTC 領域5,領域7合同 光誘起相転移,領域5(光物性))
- 22pTC-5 自己束縛励起子から光誘起構造相転移へ(22pTC 領域5,領域4,領域7合同シンポジウム:光励起の素過程と平衡からはるか遠くの相転移パラダイム,領域5(光物性))
- 極短パルス高周波電子銃
- 24pBL-1 フェムト秒時間分解電子回折法による超高速構造動力学IV(24pBL 光誘起相転移(酸化物・金属錯体など),領域5(光物性))
- 24pBL-2 フェムト秒時間分解電子回折法による超高速構造動力学V(24pBL 光誘起相転移(酸化物・金属錯体など),領域5(光物性))