Si(001)(2×1)表面における励起電子動力学 : 時間分解フェムト秒2光電子分光法による研究
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
20aGQ-2 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学II(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20aGQ-1 Si(001)表面のレーザー光電子分光(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
7a-PS-47 Pt(133)上の吸着酸素分子のNEXAFSと分子配向
-
28a-F-13 炭素K殼エネルギー領域におけるベンゼン薄膜のAEPICOスペクトル
-
5a-G-6 発光と光電子の同時測定 : BaF_2の照射効果
-
30pRG-6 九大タンデムにおけるビームの高効率パルス化(30pRG イオン源・イオンリング・FFAG,ビーム物理領域)
-
29pWB-10 E_=2.4MeV近傍での^4He(^C,^O)γ反応断面積絶対値の測定(29pWB 実験核物理領域,理論核物理領域合同 宇宙核物理,実験核物理領域)
-
30aWF-1 超薄SiN_x膜を用いた気体標的と吹込型膜なし冷却気体標的(30aWF イオン源・ターゲット・測定器・核モーメント,実験核物理領域)
-
27aWG-1 九大におけるE_=2.4MeV近傍での^4He(^C,^O)γ反応断面積直接測定(実験核物理,理論核物理合同天体核物理(超新星爆発・元素合成),実験核物理)
-
29pSA-3 長時間チョッパー及び多重極電磁石を用いた ^4He(^C, ^O) γ反応断面積直接測定(学際・加速器・測定器, 実験核物理)
-
27aZB-8 長時間チョッパーによる天体核反応測定BGの除去(検出器等)(実験核物理)
-
12aSF-5 時間幅を持った反応粒子に対するチョッパーの開発
-
22aWA-1 レーザーアニールを利用したSi(111)清浄表面の電子状態
-
28a-Q-4 レーザーアニールによるSi(111)清浄表面の高温における電子状態
-
28p-G-7 Zn-Mg-Ho準結晶の正逆光電子分光
-
25pXA-8 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造変化のトンネル顕微鏡観察II(光誘起相転移(鉄錯体・低次元系),領域5,光物性)
-
27aVD-8 グラファイトのフェムト秒時間分解反射分光(27aVD 光誘起相転移(鉄錯体系・その他),領域5(光物性))
-
ダイヤファイトと可視光誘起グラファイト-ダイヤモンド相転移初期過程の理論
-
21aYD-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造変化のトンネル顕微鏡観察(21aYD 光誘起相転移II(鉄錯体系・その他),領域5(光物性))
-
23aRJ-7 フェムト秒レーザー光励起によるグラファイト表面原子層の剥離(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
23aRJ-8 フェムト秒レーザー光励起によるグラファイト表面構造変化 IV(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
25aZF-7 集団スピンの実時間制御(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
-
30pSD-11 仮想磁場効果を用いた集団スピンの量子トモグラフィ(30pSD 量子エレクトロニクス(量子縮退原子気体),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
13aXF-12 Si(111)-(2×1)表面における光誘起構造変化機構 IV(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
-
24pYC-7 芳香族炭化水素固体のC-H解離における内殻励起効果の研究
-
28a-YR-2 高分解能光電子分光法による(Ag,Cu)/Si(111)表面の研究
-
25aYH-7 Si(001)表面における励起電子ダイナミクスの温度依存性(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21aWH-8 低温におけるSi(001)表面の励起電子動力学II(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
26pYC-9 Si表面における超高速キャリアダイナミクス : 励起波長依存性(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
27aXJ-7 Si(001)表面のキャリアダイナミクスにおける温度依存性(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20pXA-8 波長可変時間分解2光子光電子分光によるSi(001)-(2×1)表面のキャリアーダイナミクス(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
-
24aPS-153 Si(001)(2×1)表面における局所構造とキャリアダイナミクスの相関(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
15aPS-27 Si(001)(2×1) 表面の時間分解 2 光子光電子分光 IV(領域 9)
-
Si(001)(2×1)表面における励起電子動力学 : 時間分解フェムト秒2光電子分光法による研究
-
28pWR-1 Si(001)(2x1)表面の時間分解2光子光電子分光III(表面界面ダイナミクス(電子励起・摩擦))(領域9)
-
20pYD-4 Si(001)(2x1) 表面の時間分解 2 光子光電子分光 II
-
20aGQ-3 Si(111)-(7x7)の表面電子構造:再訪II(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
26aYG-1 Si(111)-(7×7)の表面電子構造 : 再訪(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
電子遷移誘起脱離の小特集に寄せて
-
21aGV-4 Ultrafast dynamics of electron-lattice systems of reconstructed semiconductor surfaces studied by fs time-resolved photoemission(Elucidation of ultrafast dynamics on the surface and the nanoscale with the short wavelength sources)
-
26aYG-6 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
28aTE-6 Si(111)7x7表面における光励起ボンド切断における温度の効果II(28aTE 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
22aXA-1 角度分解2光子光電子分光法によるSi(111)-(7×7)表面電子構造の高分解測定(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20pXB-4 Si(111)7×7表面における光励起ボンド切断における温度の効果(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20pXB-3 高分解能低エネルギー電子線励起によるSi(111)7×7表面構造変化の機構(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
20aYG-2 フェムト秒時間分解2光子光電子分光によるキャリヤー動力学II(20aYG 超高速現象,領域5(光物性))
-
24aYJ-8 フェムト秒時間分解2光子光電子分光によるキャリヤー動力学I : Siにおけるhot electronダイナミクス(非線形光学・超高速現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
23aRJ-13 Si(001)-(2×1)表面上のimage-potential共鳴状態 II(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
フェムト秒時間分解2光子光電子分光によるSi表面の超高速キャリヤー動力学
-
23aWX-2 フェムト秒2光子光電子分光によるSi表面占有状態中に生成した正孔の超高速緩和動力学III(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
29p-PSB-13 (Fe_V_x)_3Alの正逆光電子分光
-
29a-PS-20 光電子-光イオン・コインシデンス分光法によるSi(100)-Fのサイト選択的イオン脱離の研究
-
25aT-10 TiO_2(110)表面からのイオン脱離-KFモデルの再検討
-
24pYC-6 紫外および極端紫外領域におけるポリエステルフィルムの反射スペクトル
-
31a-S-4 CO/Si(100)の内殻励起イオン脱離
-
31p-YF-8 内殻励起によるCaF_2(111)表面からのイオン脱離
-
31a-YM-3 透過法によるポリエステルフィルムの軟X線吸収スペクトル
-
8a-B-1 Pd(110)に吸着した原子・分子のフェルミレベル近傍の電子状態 : クーパーミニマム領域の光電子分光
-
19aTF-8 固体表面に2次元状に展開したDNAポリマーの電子状態 : XPS, XASによる評価
-
31a-S-3 新型 電子-イオン・コインシデンス装置の製作と評価
-
23aRC-10 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : 励起波長依存性(23aRC 光誘起相転移(錯体化合物,グラファイト),領域5(光物性))
-
2p-YF-11 光電子-光イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮 Si(CH_3)_3CH_2SiF_3の内殻電子励起に由来するサイト選択的イオン脱離の研究
-
電子-イオン・コインシデンス分光法を用いた表面分子の内殻電子励起に由来するイオン脱離の研究
-
28a-F-11 光電子-光イオン・コインシデンス(PEPICO)分光法による表面凝縮Si(CH_3)_4の内殻励起誘起イオン脱離の研究
-
22aXG-5 光電子分光法による DNA の電子状態の観測
-
31p-S-2 物理吸着分子と化学吸着分子の相互作用 : N_2/Pd(110)
-
24aRE-12 中性相TTF-CA結晶における分子内励起状態からイオン性電荷移動秩序の形成過程(24aRE 領域5,領域7合同 光誘起相転移(有機化合物),領域5(光物性))
-
21pXL-2 Si(111)-7×7表面キャリアダイナミクス2(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21pXL-3 Si(100)-(2x1)表面上のimage-potential共鳴状態(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
21aWH-7 2光子光電子分光スペクトルにおけるSiパルク電子状態ピークの起源(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
24pRC-14 フェムト秒時間分解電子回折法による超高速構造動力学II(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
-
24pRC-13 フェムト秒時間分解電子回折法による超高速構造動力学I(24pRC 超高速現象,領域5(光物性))
-
21aWH-4 H/Si(001)2x1表面における低エネルギー電子線誘起結合切断機構(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
-
半導体表面におけるレーザー光誘起脱離とその電子的機構
-
31aWD-2 Si(001)(2×1) 表面の時間分解 2 光子光電子分光
-
固体表面からの内殻励起誘起イオン脱離の研究
-
23aWX-3 Siにおける結晶伝導帯ホットエレクトロンの高速表面状態遷移(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
Cl/Cs/Si(100)系の内殻光電子分光
-
27a-PS-22 オージェ電子-光イオン・コインシデンス分光法によるNH_3/Xeの共鳴オージェ刺激イオン脱離研究
-
7a-PS-57 オージェ電子-光イオン・コインシデンス分光法による凝縮メタノールの内殻電子励起に起因するイオン脱離の研究
-
28a-F-12 電子-イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮NH_3の共鳴オージェ刺激脱離研究
-
電子-イオン・コインシデンス分光法による低温凝縮したNH_3とND_3のオージェ刺激脱離研究
-
電子-イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮H_2Oの共鳴オージェ刺激脱離研究
-
電子-イオン・コインシデンス分光法によるSi(001)表面上に単層吸着したH_2Oのオージェ刺激脱離研究
-
表面に吸着した水の電子励起に由来する脱離
-
1p-YF-1 電子-イオン・コインシデンス分光法を用いた内殻電子励起に由来するイオン脱離機構の研究
-
5a-G-3 イオン脱離によるCaF_2(111)表面の電子状態の研究
-
28a-F-3 H_2O/Si(100)表面のオージェ過程とイオン脱離
-
27pRD-6 集団的スピン状態に対する量子フィードバック制御(27pRD 量子エレクトロニクス(冷却原子・量子情報),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
28aHC-5 フェムト秒時間分解電子回折法による超高速構造動力学III(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
-
25aHC-11 フェムト秒光励起によるグラファイト表面構造相転移 : パルス幅依存性(25aHC 光誘起相転移(錯体化合物,TTF-CA,グラファイト),領域5(光物性))
-
26pHD-5 自己束縛励起子から光誘起構造相転移へ(26pHD 領域5,領域7,領域4合同シンポジウム:光励起の素過程と平衡からはるか遠くの相転移パラダイム,領域5(光物性))
-
28aHC-4 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
-
Si(100)vicinal表面のRASスペクトルの温度依存性
-
24aEE-7 量子フィードバック制御による量子ノイズの圧搾(24aEE 量子エレクトロニクス(冷却原子(量子情報,光格子中の原子)),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
21aRB-1 フェムト秒時間分解光電子分光によるSi価電子正孔系の超高速動力学II(21aRB 超高速現象,領域5(光物性))
-
21aTN-7 HOPGの低エネルギー角度分解光電子分光(21aTN 光電子分光(強相関系,表面・薄膜),領域5(光物性))
-
27aAC-2 Angle-resolved Constant Initial State分光によるHOPGの非占有軌道のマッピング(27aAC 放射光・真空紫外・X線吸収分光・MCD,領域5(光物性))
-
20aFJ-8 光電子分光によるグラファイトの電子フォノン散乱過程の直接観察(20aFJ 光電子分光,領域5(光物性))
-
28aDK-1 角度分解光電子分光による単結晶グラファイトフォノン分散の観測(グラフェン(分光・構造),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク