29a-PS-20 光電子-光イオン・コインシデンス分光法によるSi(100)-Fのサイト選択的イオン脱離の研究
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-03-15
著者
-
間瀬 一彦
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
-
田中 慎一郎
分子研
-
田中 慎一郎
阪大産研
-
間瀬 一彦
分子研
-
平野 真也
総合研究大学院大学分子科学研究所
-
宇理須 恒雄
総合研究大学院大学分子科学研究所
-
平野 真也
分子研
-
宇理須 恒雄
分子研
関連論文
- 20aGQ-1 Si(001)表面のレーザー光電子分光(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 高分解能オージェ電子-光電子コインシデンス分光, 電子-イオンコインシデンス分光兼用装置の開発
- 7a-PS-47 Pt(133)上の吸着酸素分子のNEXAFSと分子配向
- 27a-E-10 NEXAFSによるPt(110)(1x2)表面の吸着酸素の分子配向
- シングルバンチ放射光とミニチュア円筒鏡型分析器(CMA)を用いた脱離イオンの質量と運動エネルギー分布の同時測定 : 凝縮NH_3の内殻励起誘起H^+脱離研究への応用
- 70mmコンフラットフランジマウント型加熱冷却機構付きシリコン単結晶ホルダー
- 25pPSB-39 電子-電子-イオンコインシデンス分光装置の開発と性能評価(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-38 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法によるH_2O/Siの4a_1←O 1s共鳴励起誘起H^+脱離の研究 : H_2O/Si(111)とH_2O/Si(100)の比較(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXJ-13 凝縮水、凝縮アンモニアの表面分子内殻共鳴励起、バルク分子内殻共鳴励起に由来するイオン脱離の比較(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 外径70mmのコンフラットフランジにマウントした電子銃内蔵リトラクタブルオージェ電子分光器の製作と評価
- 21aPS-49 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法によるH_2O/Si(111)の4a_1←0 1s共鳴励起誘起H^+脱離の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ミニチュア円筒鏡型分析器(CMA)を用いた脱離イオンの運動エネルギー分布測定 : 凝縮H_2Oの内殻励起誘起H^+脱離研究への応用
- 27aWB-11 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法を用いたH_20/Si(111)の内殻電子励起に由来するH^+脱離の研究(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pWB-2 オージェー光電子コインシデンス分光による凝縮SiF_3CH_2CH_2Si(CH_3)_3のサイト選択的オージェ過程の研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-31 CF70 マウント型円筒鏡分析器 (CMA) の開発と内殻励起誘起脱離イオンの運動エネルギー測定への応用(領域 9)
- 14pXF-8 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法を用いた凝縮 NH_3 の内殻電子励起に由来する H^+ 脱離の研究(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
- ミニチュア円筒鏡型電子エネルギー分析器(CMA)の製作と評価, オージェ-光電子コインシデンス分光法への応用
- 27aWP-11 オージェ-光電子コインシデンス分光装置の開発と性能評価(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 極角分解ミニチュア飛行時間型イオン質量分析器の製作と評価, 電子-イオンコインシデンス分光への応用
- 20aPS-52 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法による凝縮 NH_3 の内殻励起誘起イオン脱離研究
- 高感度同軸対称鏡型電子エネルギー分析器の製作と評価,コインシデンス分光への応用
- 29aZE-8 電子一極角分解イオンコインシデンス分光装置の開発と凝縮 H_2O の内殻励起誘起イオン脱離研究への応用
- 15aPS-35 レーザープラズマ真空紫外光源を用いた光励起脱離実験装置の開発(領域 9)
- 28a-F-13 炭素K殼エネルギー領域におけるベンゼン薄膜のAEPICOスペクトル
- 22pPSA-21 改良型電子-電子-イオンコインシデンス分光装置の開発とサイト選択的イオン脱離研究への応用(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 外径70mmのコンフラットフランジにマウントしたミニチュア電子・イオン・軟X線検出器の製作
- 5a-G-6 発光と光電子の同時測定 : BaF_2の照射効果
- 13a-DC-4 SR光照射したNaCl単結晶の光電子スペクトル
- 30pRG-6 九大タンデムにおけるビームの高効率パルス化(30pRG イオン源・イオンリング・FFAG,ビーム物理領域)
- 29pWB-10 E_=2.4MeV近傍での^4He(^C,^O)γ反応断面積絶対値の測定(29pWB 実験核物理領域,理論核物理領域合同 宇宙核物理,実験核物理領域)
- 30aWF-1 超薄SiN_x膜を用いた気体標的と吹込型膜なし冷却気体標的(30aWF イオン源・ターゲット・測定器・核モーメント,実験核物理領域)
- 27aWG-1 九大におけるE_=2.4MeV近傍での^4He(^C,^O)γ反応断面積直接測定(実験核物理,理論核物理合同天体核物理(超新星爆発・元素合成),実験核物理)
- 29pSA-3 長時間チョッパー及び多重極電磁石を用いた ^4He(^C, ^O) γ反応断面積直接測定(学際・加速器・測定器, 実験核物理)
- 27aZB-8 長時間チョッパーによる天体核反応測定BGの除去(検出器等)(実験核物理)
- 12aSF-5 時間幅を持った反応粒子に対するチョッパーの開発
- 22aWA-1 レーザーアニールを利用したSi(111)清浄表面の電子状態
- 28a-Q-4 レーザーアニールによるSi(111)清浄表面の高温における電子状態
- 28p-G-7 Zn-Mg-Ho準結晶の正逆光電子分光
- 25aZF-7 集団スピンの実時間制御(量子エレクトロニクス(量子情報),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 30pSD-11 仮想磁場効果を用いた集団スピンの量子トモグラフィ(30pSD 量子エレクトロニクス(量子縮退原子気体),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- VACUUM2009第31回真空展の報告
- VACUUM2008第30回真空展の報告
- VACUUM2007第29回真空展の報告
- 24pYC-7 芳香族炭化水素固体のC-H解離における内殻励起効果の研究
- 29p-P-5 内殻励起子の共鳴オージェ崩壊
- 28a-YR-2 高分解能光電子分光法による(Ag,Cu)/Si(111)表面の研究
- 25aYH-7 Si(001)表面における励起電子ダイナミクスの温度依存性(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aWH-8 低温におけるSi(001)表面の励起電子動力学II(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pYC-9 Si表面における超高速キャリアダイナミクス : 励起波長依存性(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXJ-7 Si(001)表面のキャリアダイナミクスにおける温度依存性(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20pXA-8 波長可変時間分解2光子光電子分光によるSi(001)-(2×1)表面のキャリアーダイナミクス(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-153 Si(001)(2×1)表面における局所構造とキャリアダイナミクスの相関(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 22pPSA-9 Sm/Si(111)におけるSm4d光電子・SmN_VVオージェコインシデンススペクトル(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 29p-PSB-13 (Fe_V_x)_3Alの正逆光電子分光
- 26a-Y-7 Si(100)表面上のKとClの共吸着
- 29a-PS-20 光電子-光イオン・コインシデンス分光法によるSi(100)-Fのサイト選択的イオン脱離の研究
- 25aT-10 TiO_2(110)表面からのイオン脱離-KFモデルの再検討
- 24pYC-6 紫外および極端紫外領域におけるポリエステルフィルムの反射スペクトル
- 31a-S-4 CO/Si(100)の内殻励起イオン脱離
- 31p-YF-8 内殻励起によるCaF_2(111)表面からのイオン脱離
- 31a-YM-3 透過法によるポリエステルフィルムの軟X線吸収スペクトル
- 8a-B-1 Pd(110)に吸着した原子・分子のフェルミレベル近傍の電子状態 : クーパーミニマム領域の光電子分光
- VACUUM2010第32回真空展の報告
- 31a-S-3 新型 電子-イオン・コインシデンス装置の製作と評価
- 28a-W-17 SR光照射によるLiFからの励起Li原子の放出
- 3a-F-6 Naハライドからの励起Na原子放出の時間応答性II(温度変化)
- 28p-W-8 GaAs(111)からの光電子放出の円偏光依存性
- 28p-YQ-2 アルカリクロライドの表面内殻エキシトンと光電子放出
- 3a-F-5 アルカリハライド薄膜表面の内殻吸収スペクトル
- 2p-YF-11 光電子-光イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮 Si(CH_3)_3CH_2SiF_3の内殻電子励起に由来するサイト選択的イオン脱離の研究
- 28a-F-11 光電子-光イオン・コインシデンス(PEPICO)分光法による表面凝縮Si(CH_3)_4の内殻励起誘起イオン脱離の研究
- 31p-S-2 物理吸着分子と化学吸着分子の相互作用 : N_2/Pd(110)
- ポリエステル(PET, PEN)フィルムの内殻吸収スペクトル
- 29a-H-12 ポリエステルフィルムの内殻吸収スペクトル---II
- 30a-P-1 ポリエステルフィルムの内殻吸収スペクトル
- 外径70mmのコンフラットフランジにマウントした簡易型金属蒸着源の製作
- 電子遷移誘起脱離研究の先駆者, 石川義興博士および太田芳雄博士の業績紹介
- 固体表面からの内殻励起誘起イオン脱離の研究
- VACUUM2010第32回真空展の報告
- Cl/Cs/Si(100)系の内殻光電子分光
- 27a-PS-22 オージェ電子-光イオン・コインシデンス分光法によるNH_3/Xeの共鳴オージェ刺激イオン脱離研究
- 7a-PS-57 オージェ電子-光イオン・コインシデンス分光法による凝縮メタノールの内殻電子励起に起因するイオン脱離の研究
- 電子-イオン・コインシデンス分光法による低温凝縮したNH_3とND_3のオージェ刺激脱離研究
- 電子-イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮H_2Oの共鳴オージェ刺激脱離研究
- 電子-イオン・コインシデンス分光法によるSi(001)表面上に単層吸着したH_2Oのオージェ刺激脱離研究
- 31p-PSB-70 放射光誘起表面ダイナミックス研究用光電子-光イオン・コインシデンス測定装置の開発
- 31a-K-11 放射光励起によるオージェ電子-光イオンコインシデンス測定法を用いた、低温凝縮したH_2Oの内殻励起イオン脱離の研究
- 29a-WC-1 アルカリハライドからの励起アルカリ原子放出の時間応答性
- 13a-DC-3 Naハライドからの励起Na原子放出の励起光エネルギー依存性
- 26a-ZD-4 SR光射によるNaハライドからの励起Na原始の放出の時間応答性
- 28a-ZF-1 シンクロトロン放射光によるKハライドからの励起K原子の放出
- 28a-B-5 シンクロトロン放射光によるNaハライドからのNa原子の放出II
- 表面に吸着した水の電子励起に由来する脱離
- 1p-YF-1 電子-イオン・コインシデンス分光法を用いた内殻電子励起に由来するイオン脱離機構の研究
- VACUUM2010第32回真空展の報告
- 27pPSA-29 高分解能コインシデンス分光によるSi清浄表面の表面サイトを選択した局所価電子状態の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 内殻電子励起に由来するイオン脱離の研究 -オージェ電子-光イオン・コインシデンス分光法による オージェ終状態を選別した研究-
- Si(100)vicinal表面のRASスペクトルの温度依存性
- 高エネルギー加速器研究機構のBファクトリーとフォトンファクトリーにおける東日本大震災の被害
- VACUUM2011-真空展の報告