24pWB-2 オージェー光電子コインシデンス分光による凝縮SiF_3CH_2CH_2Si(CH_3)_3のサイト選択的オージェ過程の研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2005-03-04
著者
-
垣内 拓大
愛媛大学理学部化学科
-
間瀬 一彦
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
-
田中 正俊
横浜国立大学工学部知能物理工学科
-
小林 英一
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
-
南部 英
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
-
瀬尾 淳哉
横国大院工
-
高橋 修
広大院理
-
田中 正俊
横国大院工
-
間瀬 一彦
KEK物構研
-
南部 英
KEK物構研
-
小林 英一
KEK物構研
-
垣内 拓大
愛媛大理
-
大下 浄治
広大院工
-
長岡 伸一
愛媛大理
-
長岡 伸一
愛媛大院理工
-
長岡 伸一
愛媛大学理学部
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