表面差分反射分光と反射率差分光を用いたSi(001)表面初期酸化過程のリアルタイム解析

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概要

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• 2010-06-20

著者

• 田中 正俊

  横浜国立大学工学部知能物理工学科

• 首藤 健一

  横国大工

• 大野 真也

  横国大工

• 田中 正俊

  横国大工

• 大野 真也

  横浜国立大学工学部知能物理工学科

• 首藤 健一

  横浜国立大学工学部知能物理工学科

• 田中 正俊

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

• 大野 真也

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

• 首藤 健一

  横浜国立大学工学部

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• 小特集を企画するにあたって
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• 28pWR-3 シリコン(111)表面上のハロゲン反撥による吸着子相関(表面界面ダイナミクス(電子励起・摩擦))(領域9)
• 21aPS-26 酸素吸着Si(001)表面光反射スペクトルのクラスター計算による検討(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• サマリー・アブストラクト
• 高温Si(001)表面上のアルカリ金属原子吸着・脱離過程のリアルタイム光学測定
• Si(111)表面上のアルカリ金属原子(K, Cs)吸着構造 : 半層程度吸着時に観測されるクラスター形成
• 27pPSA-60 配列制御したガラス表面上の金微粒子からの第二高調波発生(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-27 シリコン表面上のカリウムナノクラスターのSTM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-29 高分解能コインシデンス分光によるSi清浄表面の表面サイトを選択した局所価電子状態の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pYC-11 Si(001)初期酸化過程における反射率差分光スペクトル構造の検討(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-21 イオン衝撃グラファイト表面の電子状態(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• Si(111)表面反射スペクトルのクラスター計算による評価
• 22aHA-5 イオン衝撃によるグラファイト表面の半金属-金属転移(22aHA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-16 STMで観察されるSi(111)-7x7に吸着したK原子の表面拡散(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-3 Si(001)表面上でのCO吸着脱離のダイナミクス(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-17 表面修飾Si(001)表面上のオリゴチオフェン分子の構造と電子状態(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSA-17 Si(113)表面上におけるH原子吸着脱離過程のリアルタイム計測(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 26pPSB-3 Si(001)表面上の鉄シリサイドの電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
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• 28pPSA-37 電解質溶液中におけるAu表面上のシステイン分子の吸着状態解析(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

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