21pHA-3 Si(001)表面上でのCO吸着脱離のダイナミクス(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2011-08-24

著者

• 鈴木 隆則

  防衛大

• 大野 真也

  横国大工

• 田中 正俊

  横国大工

• 百瀬 辰哉

  横国大工

• 北嶋 武

  防衛大

• 大野 真也

  横浜国立大学工学部知能物理工学科

• 田中 正俊

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

• 百瀬 辰哉

  横浜国立大学工学府物理情報工学専攻

• 北嶋 武

  防衛大学校応用物理学科

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