酸素吸着Ti/Si(001)の走査トンネル顕微鏡(STM)観察

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概要

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•   Formation of titanium silicide islands by the coadsorption of titanium and oxygen on a Si(001) surface is studied by means of scanning tunneling microscopy. When the coverage of titanium is at 2 ML, subsequent oxygen exposure at 973 K produces defects preferentially near the titanium silicide islands. On the other hand, when the coverage of titanium is at around 0.1 ML, step morphology is largely changed by oxygen exposure and subsequent annealing to 873 K. This phenomenon does not change with the heating process when the oxidation precedes the titanium deposition or vice versa. Mechanism of the enhanced step-retreat process is attributed to the desorption of SiO species promoted by titanium silicide islands.

• 日本真空協会の論文
• 2008-05-20

著者

• 田中 正俊

  横浜国立大学工学部知能物理工学科

• 首藤 健一

  横国大工

• 大野 真也

  横国大工

• 青木 健志

  横浜国立大学工学府

• 大野 真也

  横浜国立大学工学部知能物理工学科

• 首藤 健一

  横浜国立大学工学部知能物理工学科

• 佐藤 和成

  横浜国立大学工学府

• 飯田 貴則

  横浜国立大学工学府

• 寅丸 雅光

  横浜国立大学工学府

• 田中 正俊

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

• 大野 真也

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

• 首藤 健一

  横浜国立大学工学部

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• 27a-PS-28 Si(111)への塩素吸着過程の表面微分反射分光
• 小特集を企画するにあたって
• 24aPS-63 水吸着Si(100)表面における酸化促進反応の解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aWX-8 チタン薄膜直下におけるSi(001)酸化促進反応の解析(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-29 Si(001)表面の反射率差分光スペクトル構造の温度依存性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aPS-33 Si(111)表面上のハロゲン吸着におけるサイト選択性(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
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• 24pPSA-7 クラスターモデル計算によるW(001)表面の酸素吸着構造の研究
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• 21aPS-26 酸素吸着Si(001)表面光反射スペクトルのクラスター計算による検討(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• サマリー・アブストラクト
• 高温Si(001)表面上のアルカリ金属原子吸着・脱離過程のリアルタイム光学測定
• Si(111)表面上のアルカリ金属原子(K, Cs)吸着構造 : 半層程度吸着時に観測されるクラスター形成
• 27pPSA-27 シリコン表面上のカリウムナノクラスターのSTM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-29 高分解能コインシデンス分光によるSi清浄表面の表面サイトを選択した局所価電子状態の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pYC-11 Si(001)初期酸化過程における反射率差分光スペクトル構造の検討(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-21 イオン衝撃グラファイト表面の電子状態(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• Si(111)表面反射スペクトルのクラスター計算による評価
• 22aHA-5 イオン衝撃によるグラファイト表面の半金属-金属転移(22aHA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-16 STMで観察されるSi(111)-7x7に吸着したK原子の表面拡散(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-3 Si(001)表面上でのCO吸着脱離のダイナミクス(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-17 表面修飾Si(001)表面上のオリゴチオフェン分子の構造と電子状態(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSA-17 Si(113)表面上におけるH原子吸着脱離過程のリアルタイム計測(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 26pPSB-3 Si(001)表面上の鉄シリサイドの電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-22 表面修飾Si(001)表面上のα-sexithiophene分子の構造と電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
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