15aPS-31 CF70 マウント型円筒鏡分析器 (CMA) の開発と内殻励起誘起脱離イオンの運動エネルギー測定への応用(領域 9)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
上野 信雄
千葉大工
-
間瀬 一彦
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
-
小林 英一
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
-
奥平 幸司
千葉大学工学部
-
南部 英
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
-
奥平 幸司
千葉大工
-
間瀬 一彦
物構研
-
小林 英一
物構研
-
南部 英
物構研
-
八木 秀樹
千葉大学大学院自然科学研究科
-
八木 秀樹
千葉大院
-
上野 信雄
千葉大融合科学
-
Ueno Nobuo
Department Of Materials Science Faculty Of Engineering Chiba University
-
上野 信雄
千葉大学工学部
関連論文
- 21pGS-1 ルブレン単結晶価電子バンド分散の角度分解光電子分光法による直接測定(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pGV-2 角度分解光電子分光による有機半導体のバンド分散・電子/振動相互作用(20pGV 領域7,領域9合同シンポジウム:有機半導体界面における電子状態プローブの新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aWR-7 準安定原子による表面誘起反応(表面局所光学現象/表面界面ダイナミクス)(領域9)
- 31pWD-4 Pt(111) 上ジクロロエタンの吸着状態 : HREELS と MAES による解析
- 高分解能オージェ電子-光電子コインシデンス分光, 電子-イオンコインシデンス分光兼用装置の開発
- シングルバンチ放射光とミニチュア円筒鏡型分析器(CMA)を用いた脱離イオンの質量と運動エネルギー分布の同時測定 : 凝縮NH_3の内殻励起誘起H^+脱離研究への応用
- 70mmコンフラットフランジマウント型加熱冷却機構付きシリコン単結晶ホルダー
- 25pPSB-39 電子-電子-イオンコインシデンス分光装置の開発と性能評価(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-38 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法によるH_2O/Siの4a_1←O 1s共鳴励起誘起H^+脱離の研究 : H_2O/Si(111)とH_2O/Si(100)の比較(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXJ-13 凝縮水、凝縮アンモニアの表面分子内殻共鳴励起、バルク分子内殻共鳴励起に由来するイオン脱離の比較(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 外径70mmのコンフラットフランジにマウントした電子銃内蔵リトラクタブルオージェ電子分光器の製作と評価
- 21aPS-49 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法によるH_2O/Si(111)の4a_1←0 1s共鳴励起誘起H^+脱離の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ミニチュア円筒鏡型分析器(CMA)を用いた脱離イオンの運動エネルギー分布測定 : 凝縮H_2Oの内殻励起誘起H^+脱離研究への応用
- 27aWB-11 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法を用いたH_20/Si(111)の内殻電子励起に由来するH^+脱離の研究(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pWB-2 オージェー光電子コインシデンス分光による凝縮SiF_3CH_2CH_2Si(CH_3)_3のサイト選択的オージェ過程の研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 15aPS-31 CF70 マウント型円筒鏡分析器 (CMA) の開発と内殻励起誘起脱離イオンの運動エネルギー測定への応用(領域 9)
- 14pXF-8 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法を用いた凝縮 NH_3 の内殻電子励起に由来する H^+ 脱離の研究(表面界面ダイナミクス, 領域 9)
- ミニチュア円筒鏡型電子エネルギー分析器(CMA)の製作と評価, オージェ-光電子コインシデンス分光法への応用
- 27aWP-11 オージェ-光電子コインシデンス分光装置の開発と性能評価(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
- 極角分解ミニチュア飛行時間型イオン質量分析器の製作と評価, 電子-イオンコインシデンス分光への応用
- 20aPS-52 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法による凝縮 NH_3 の内殻励起誘起イオン脱離研究
- 高感度同軸対称鏡型電子エネルギー分析器の製作と評価,コインシデンス分光への応用
- 29aZE-8 電子一極角分解イオンコインシデンス分光装置の開発と凝縮 H_2O の内殻励起誘起イオン脱離研究への応用
- 15aPS-35 レーザープラズマ真空紫外光源を用いた光励起脱離実験装置の開発(領域 9)
- 光電子強度計算を利用した角度分解紫外光電子スペクトル解析
- 有機分子薄膜の放射光励起角度分解紫外光電子分光--機能性有機分子超薄膜中の分子配向を決める
- 24pY-15 Cu(100)面上の n-C_H_単分子膜の角度分解紫外光電子分光(ARUPS)と理論計算による配向評価
- 28a-W-15 導電性高分子ポリ(p-フェニレン)モデル化合物配向蒸着膜の角度分解光電子分光 : 低重合体における波数保存則
- 22pPSA-21 改良型電子-電子-イオンコインシデンス分光装置の開発とサイト選択的イオン脱離研究への応用(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 外径70mmのコンフラットフランジにマウントしたミニチュア電子・イオン・軟X線検出器の製作
- 23aXA-4 π共役系分子/グラファイトの界面での振動状態 : HREELSおよびRaman分光法による研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- VACUUM2009第31回真空展の報告
- VACUUM2008第30回真空展の報告
- VACUUM2007第29回真空展の報告
- 24pYC-7 芳香族炭化水素固体のC-H解離における内殻励起効果の研究
- 18aTG-3 マンガンフタロシアニン薄膜の強い分子間相互作用に関連した電子構造(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pYF-6 配向有機超薄膜における軌道間相互作用 : 光電子分光による2t準位分裂の直接検出(26pYF 分子素子,有機FET 2,領域7(分子性固体・有機導体))
- Preparation Conditions of Pentacene Monolayer on Graphite Surface Studied by Photoemission Electron Microscopy
- 有機半導体における電子物性の解明と制御
- HREELSによる Pentacene/HOPG 界面の電子移動の検出
- 24aYC-2 多重散乱理論による金属基板上の有機薄膜からの角度分解紫外光電子分光法の解析(24aYC 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 角度分解紫外光電子分光における多重散乱効果の理論解析
- 国際ワークショップ「有機電子デバイスに関連した分子性物質界面の電子構造と電子過程」報告
- 29pRE-10 高配向有機薄膜における光電子放出強度の異方性とその分子間散乱因子(29pRE 光電子分光・逆光電子分光,放射光真空紫外分光,軟X線発光,領域5(光物性))
- 30aPS-22 分子振動が引き起こす界面電荷移動(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 準安定励起原子電子分光法による自己組織化単分子膜の研究 : 表面電子状態と表面選択反応
- 準安定励起原子電子放射顕微鏡
- 24pYS-6 多重散乱理論によるPTFEのF K-edge XANESの偏光依存性解析(X線・粒子線(X線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 24pWB-5 紫外光電子分光法によるペンタセン超薄膜中のHOMOホール-分子振動カップリングの直接検出(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pWB-4 有機薄膜中のキャリア輸送に対する分子振動の影響(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pWB-3 高分解能UPS測定でみる巨大分子吸着系における価電子帯ホール関連現象(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 22pPSA-95 分子構造の相違に起因する金属ナフタロシアニン-と金属フタロシアニン-基板間相互作用の違い(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 有機半導体の電子状態と界面の特徴--電気伝導の解明へ (特集 π電子系有機低分子固体の界面電子物性)
- 4p-S4-6 ポリジアセチレンLB膜の低エネルギー電子透過
- ポリマ-の崩壊に対するジアゾニウムテトラフルオロボラ-トの選択的触媒活性 (高分子の分解,劣化,及び安定化)
- 電子写真感光体電子親和力の絶対測定への試み
- 乾式平版のインキはく離機構
- 28a-B-10 固体→液体相転移における鎖状高分子ポリエチレンの伝導帯構造変化
- 6a-AE-12 直鎖アルカン分子結晶の二次電子エネルギー分布曲線と電子照射損傷
- 31a-CK-7 ヘキサトリアコンタン、オクタコサンの2次電子エネルギー分布曲線
- 10p-S-5 ナフタセンの電子散乱スペクトル
- 5p-P-2 低温蒸着ナフタセンの電子エネルギー損失スペクトル
- 6a-R-1 HeII線によるペンタセン・コロネンの光電子スペクトル
- 12a-A-10 コロネン、ペンタセン蒸着膜の電子散乱スペクトル
- 3a-N-6 ペリレン蒸着膜の光電子スペクトル
- 12a-N-4 テトラセン蒸着膜の光電子スペクトルと電子エネルギーロススペクトル
- 22pPSA-9 Sm/Si(111)におけるSm4d光電子・SmN_VVオージェコインシデンススペクトル(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 31p-F-5 メタステーブル電子放射顕微鏡による固体表面の観測 : SiO_2/Si(100)のエネルギー選別像
- 29a-PS-20 光電子-光イオン・コインシデンス分光法によるSi(100)-Fのサイト選択的イオン脱離の研究
- 29a-ZS-5 メタステーブル電子放射顕微鏡による2次元拡散過程の観測 : グラファイト上のCIAIフタロシアニン
- 24pPSA-43 in-PTCDAシステムの電子状態と界面形成過程の研究
- 24pPSA-39 低速電子透過法による界面ポテンシャル構造の研究 : 電子透過構造の原因
- 分子ファスナ-TTC8-TTFおよびTTC9-TTFの低エネルギ-電子透過--伝導帯構造の異常な温度変化
- 海外の放射光施設を訪ねて
- シンクロトロン放射光によるラングミュア-ブロジェット膜の角度分解光電子分光
- 25aT-10 TiO_2(110)表面からのイオン脱離-KFモデルの再検討
- 31a-S-4 CO/Si(100)の内殻励起イオン脱離
- VACUUM2010第32回真空展の報告
- 金属と有機半導体接触系の新電子構造 : In-PTCDA 接触系のバンドギャップ準位の原因とその特徴
- 31a-F-1 有機超薄膜表面におけるヘリウム励起原子のsinglet-triplet conversion
- 31a-S-3 新型 電子-イオン・コインシデンス装置の製作と評価
- 内殻電子励起による高分子のエネルギー依存反応 : 重水素化ポリスチレン
- 2p-YF-11 光電子-光イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮 Si(CH_3)_3CH_2SiF_3の内殻電子励起に由来するサイト選択的イオン脱離の研究
- 外径70mmのコンフラットフランジにマウントした簡易型金属蒸着源の製作
- 電子遷移誘起脱離研究の先駆者, 石川義興博士および太田芳雄博士の業績紹介
- 複雑系の電子分光 : PIES・UPS測定による2,4'-BPS薄膜表面での分子配向
- 固体表面からの内殻励起誘起イオン脱離の研究
- 2a-A-3 UPSによるCH_3[CH_2]_CH_3結晶融解追跡
- VACUUM2010第32回真空展の報告
- 27a-PS-22 オージェ電子-光イオン・コインシデンス分光法によるNH_3/Xeの共鳴オージェ刺激イオン脱離研究
- 表面に吸着した水の電子励起に由来する脱離
- 1p-YF-1 電子-イオン・コインシデンス分光法を用いた内殻電子励起に由来するイオン脱離機構の研究
- VACUUM2010第32回真空展の報告
- 高速光電子分光測定システム
- 27pPSA-29 高分解能コインシデンス分光によるSi清浄表面の表面サイトを選択した局所価電子状態の研究(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-40 NEXAFS分光法によるPTFE薄膜の分子配向の温度依存性(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 内殻電子励起に由来するイオン脱離の研究 -オージェ電子-光イオン・コインシデンス分光法による オージェ終状態を選別した研究-
- 高エネルギー加速器研究機構のBファクトリーとフォトンファクトリーにおける東日本大震災の被害
- VACUUM2011-真空展の報告
- 26pPSA-62 Si-LWオージェ電子-Si 2s光電子コインシデンス分光によるSi-2s内殻正孔緩和過程の研究(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))