25pPSB-38 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法によるH_2O/Siの4a_1←O 1s共鳴励起誘起H^+脱離の研究 : H_2O/Si(111)とH_2O/Si(100)の比較(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-08-18
著者
-
間瀬 一彦
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
-
小林 英一
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
-
奥平 幸司
千葉大学工学部
-
奥平 幸司
千葉大工
-
間瀬 一彦
物構研
-
小林 英一
物構研
-
瀬尾 淳哉
横国大院工
-
高橋 修
広大院理
-
間瀬 一彦
高エネルギー加速器研究機構
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