瀬尾 淳哉 | 横国大院工
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概要
関連著者
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間瀬 一彦
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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小林 英一
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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瀬尾 淳哉
横国大院工
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間瀬 一彦
物構研
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小林 英一
物構研
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南部 英
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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間瀬 一彦
高エネルギー加速器研究機構
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田中 正俊
横浜国立大学工学部知能物理工学科
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奥平 幸司
千葉大学工学部
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奥平 幸司
千葉大工
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高橋 修
広大院理
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田中 正俊
横国大院工
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南部 英
物構研
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上野 信雄
千葉大工
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垣内 拓大
愛媛大学理学部化学科
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間瀬 一彦
KEK物構研
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南部 英
KEK物構研
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小林 英一
KEK物構研
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垣内 拓大
愛媛大理
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大下 浄治
広大院工
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長岡 伸一
愛媛大理
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上野 信雄
千葉大融合科学
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長岡 伸一
愛媛大院理工
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Ueno Nobuo
Department Of Materials Science Faculty Of Engineering Chiba University
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長岡 伸一
愛媛大学理学部
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上野 信雄
千葉大学工学部
著作論文
- 25pPSB-38 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法によるH_2O/Siの4a_1←O 1s共鳴励起誘起H^+脱離の研究 : H_2O/Si(111)とH_2O/Si(100)の比較(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aXJ-13 凝縮水、凝縮アンモニアの表面分子内殻共鳴励起、バルク分子内殻共鳴励起に由来するイオン脱離の比較(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aPS-49 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法によるH_2O/Si(111)の4a_1←0 1s共鳴励起誘起H^+脱離の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aWB-11 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法を用いたH_20/Si(111)の内殻電子励起に由来するH^+脱離の研究(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 24pWB-2 オージェー光電子コインシデンス分光による凝縮SiF_3CH_2CH_2Si(CH_3)_3のサイト選択的オージェ過程の研究(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面, 結晶成長))