22aXJ-8 オージェー光電子コインシデンス分光法による酸化シリコン超薄膜(SiO_2/Si(100))の表面・界面の局所価電子状態を反映したオージェ電子スペクトルの測定(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-08-21

著者

• 垣内 拓大

  総研大

• 垣内 拓大

  愛媛大学理学部化学科

• 藤田 斉彦

  横浜国立大学工学部知能物理工学科

• 間瀬 一彦

  総合研究大学院大学

• 藤田 斉彦

  横国大院工

• 間瀬 一彦

  総研大

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