宇理須 恒雄 | 分子研
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概要
関連著者
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宇理須 恒雄
分子研
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宇理須 恒雄
総合研究大学院大学分子科学研究所
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宇理須 恒雄
分子科学研究所 反応動力学部門
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宇理須 恒雄
分子科学研究所
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間瀬 一彦
分子研
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田中 慎一郎
分子研
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永園 充
SPring-8
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永園 充
分子科学研究所
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田中 慎一郎
阪大産研
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永園 充
分子研
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吉越 章隆
日本原子力研究所関西研究所表面科学研究グループ
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平野 真也
総合研究大学院大学分子科学研究所
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間瀬 一彦
高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所
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細川 知子
岡山大院自然
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藤木 聰
岡山大理:crest
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藤木 聡
総研大
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藤木 聡
岡山大理:crest
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藤原 明比古
北陸先端大
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長岡 伸一
愛媛大理
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長岡 伸一
愛媛大院理工
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力石 好恵
岡山大理
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長岡 伸一
愛媛大学理学部
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今泉 吉明
東北大学金属材料研究所
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野田 英之
日立中央研究所
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銘苅 春隆
分子科学研究所
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宇理須 恒雄
総合研究大学院大学
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力石 好恵
岡山大院
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久保園 芳博
岡山大院自然
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服部 正
日本電装株式会社基礎研究所
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鎌田 雅夫
分子研
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鎌田 雅夫
佐賀大slセンター
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吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
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永久保 雅夫
日本電装(株)基礎研究所
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吉越 章隆
豊橋技術科学大学
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久保園 芳博
CREST
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藤原 明比古
CREST
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春山 祐介
岡山大院自然
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野田 英之
総合研究大学院大学分子科学研究所
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吉越 章隆
豊橋技科大
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吉越 章隆
総合研究大学院大学
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間瀬 一彦
分子科学研究所
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宮前 孝行
分子科学研究所
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銘苅 春隆
総合研究大学院大学
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平野 真也
分子研
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服部 正
日本電装
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大原 淳士
日本電装
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久保園 芳博
分子研
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細川 知子
CREST
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力石 好恵
CREST
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宇理須 恒雄
総研大
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力石 好恵
岡山大院自然
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宇理須 恒夫
分子研
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春山 祐介
岡山大理
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菅原 孝宜
岡山大理
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菅原 孝宜
東北大・金研
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菅原 孝宜
東北大金研:理研
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王 志宏
総合研究大学院大学分子科学研究所
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細川 知子
岡大理
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菅原 孝宜
岡大理
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山村 周作
総合研究大学院大学分子科学研究所
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津坂 佳幸
分子科学研究所
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永園 充
(分子研)
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間瀬 一彦
(分子研)
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田中 慎一郎
(分子研)
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宇理須 恒雄
(分子研)
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今泉 吉明
総合研究大学院大学
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山村 周作
総合研究大学院大学
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吉越 章隆
日本原子力研究所
著作論文
- 埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収分光法と放射光励起表面反応
- 放射光励起による表面光反応プロセス
- 赤外反射吸収分光法 - 放射光励起プロセスのその場観察 -
- 埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収スペクトル法による放射光励起半導体プロセス反応のその場観察
- 放射光励起プロセス研究用多層膜ミラービームライン
- 29a-PS-20 光電子-光イオン・コインシデンス分光法によるSi(100)-Fのサイト選択的イオン脱離の研究
- 放射光励起プロセス反応のその場観察--赤外反射吸収分光法 (特集 シンクロトロン放射光の利用技術)
- 28aWN-12 STM/STSを用いた金属内包フラーレンの構造と電子状態の観察(フラーレン固体物性)(領域7)
- 21pXF-8 金属内包フラーレンの薄膜およびナノスケール物性
- 2p-YF-11 光電子-光イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮 Si(CH_3)_3CH_2SiF_3の内殻電子励起に由来するサイト選択的イオン脱離の研究
- 28a-F-11 光電子-光イオン・コインシデンス(PEPICO)分光法による表面凝縮Si(CH_3)_4の内殻励起誘起イオン脱離の研究
- 高エネルギー光励起によるPZT(Pb(Zr_X, Ti_)O_3)の表面改質
- 29pZB-4 STM/STS による M@C_ (M=Ce, Dy) の構造と電子状態の観察
- 埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収分光(BML-IRRAS)によるSi表面反応の研究
- S02I5 イオンチャンネルバイオセンサーの開発と応用(分子コンピュータと分子通信:生物機能を利用した新たな情報処理・情報通信システム,シンポジウム,第45回日本生物物理学会年会)
- 27a-PS-22 オージェ電子-光イオン・コインシデンス分光法によるNH_3/Xeの共鳴オージェ刺激イオン脱離研究
- 7a-PS-57 オージェ電子-光イオン・コインシデンス分光法による凝縮メタノールの内殻電子励起に起因するイオン脱離の研究
- 28a-F-12 電子-イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮NH_3の共鳴オージェ刺激脱離研究
- 電子-イオン・コインシデンス分光法による低温凝縮したNH_3とND_3のオージェ刺激脱離研究
- 電子-イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮H_2Oの共鳴オージェ刺激脱離研究
- 電子-イオン・コインシデンス分光法によるSi(001)表面上に単層吸着したH_2Oのオージェ刺激脱離研究
- 31p-PSB-70 放射光誘起表面ダイナミックス研究用光電子-光イオン・コインシデンス測定装置の開発
- 31a-K-11 放射光励起によるオージェ電子-光イオンコインシデンス測定法を用いた、低温凝縮したH_2Oの内殻励起イオン脱離の研究
- 学術としてのバイオインターフェイス
- 単色放射光励起によって堆積したAl膜組成の励起エネルギー依存性
- 渉外幹事この一年
- シンクロトロン放射光によるナノメートル加工と原子分子レベルでの反応評価
- 放射光励起プロセスの現状と将来展望
- 渉外幹事この一年
- 放射光Al-CVDにおけるサイトスペシフィック効果
- 高輝度X線源の利用技術-半導体プロセスへの応用-
- 5a-R-11 表面研究のための電子-イオン・コインシデンス測定装置の開発