28aWN-12 STM/STSを用いた金属内包フラーレンの構造と電子状態の観察(フラーレン固体物性)(領域7)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-03-03
著者
-
久保園 芳博
CREST
-
力石 好恵
岡山大理
-
細川 知子
岡山大院自然
-
宇理須 恒雄
総合研究大学院大学分子科学研究所
-
藤木 聰
岡山大理:crest
-
宇理須 恒雄
分子研
-
藤木 聡
総研大
-
細川 知子
CREST
-
力石 好恵
CREST
-
宇理須 恒雄
総研大
-
藤木 聡
岡山大理:crest
-
力石 好恵
岡山大院
関連論文
- 21pXA-3 溶液プロセスによるフラーレン系電界効果デバイスの作製とFET特性(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pXA-2 フラーレンを用いた機能性電界効果トランジスターの作製とキャラクタリゼーション(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 12aWH-5 Pr@C_ の紫外光電子スペクトル(フラーレン, 領域 7)
- 28aWN-5 Eu@C_およびC_の電子特性および結晶構造(フラーレン固体物性)(領域7)
- 埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収分光法と放射光励起表面反応
- 放射光励起による表面光反応プロセス
- 赤外反射吸収分光法 - 放射光励起プロセスのその場観察 -
- 埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収スペクトル法による放射光励起半導体プロセス反応のその場観察
- 30aXD-6 Cs_3C_超伝導相の輸送特性
- 25pYF-4 Cs_3C_・A15相の高圧の構造と物性
- 23aS-13 Cs_C_(α=0.0〜1.0)の常圧ならびに高圧での物性
- 放射光励起プロセス研究用多層膜ミラービームライン
- 29a-PS-20 光電子-光イオン・コインシデンス分光法によるSi(100)-Fのサイト選択的イオン脱離の研究
- 放射光励起プロセス反応のその場観察--赤外反射吸収分光法 (特集 シンクロトロン放射光の利用技術)
- 28aWN-12 STM/STSを用いた金属内包フラーレンの構造と電子状態の観察(フラーレン固体物性)(領域7)
- 27aZP-6 高次フラーレンFETの動作特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
- 27aZP-6 高次フラーレンFETの動作特性(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
- 21pXF-8 金属内包フラーレンの薄膜およびナノスケール物性
- 21pXF-4 Ce@C_ 異性体 II の構造
- 29pZB-5 金属内包フラーレン固体・薄膜の XAFS および分光研究
- 29pZB-3 Ce@C_ 異性体の構造
- 29pZB-2 金属内包フラーレンの電子的特性
- 18pWF-12 Dy@C_異性体IとIIの構造
- 18pWF-11 Dy@C_異性体IとIIの電子的特性
- 18pWF-10 M@C_(M: Y, Dy)固体の物性
- 18pWF-4 Ca, SrおよびCsドープC_の高圧での物性
- 30aXD-3 Dy@C_固体の構造と物性
- 25pYF-9 二次元ポリマー相Na_4C_の構造と物性III
- 25pYF-5 Ca_xC_の高圧での構造と物性
- SOI基板を用いたプレーナー型パッチクランプバイオセンサーの製作
- 2p-YF-11 光電子-光イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮 Si(CH_3)_3CH_2SiF_3の内殻電子励起に由来するサイト選択的イオン脱離の研究
- 28a-F-11 光電子-光イオン・コインシデンス(PEPICO)分光法による表面凝縮Si(CH_3)_4の内殻励起誘起イオン脱離の研究
- 高エネルギー光励起によるPZT(Pb(Zr_X, Ti_)O_3)の表面改質
- プレーナー方イオンチャネルバイオセンサーの開発と応用
- 29pZB-4 STM/STS による M@C_ (M=Ce, Dy) の構造と電子状態の観察
- 28pYD-10 高次フラーレンおよび金属内包フラーレン薄膜 FET の基本特性
- 埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収分光(BML-IRRAS)によるSi表面反応の研究
- 24pF-6 Cs_3C_ならびにCs_4C_の高圧ラマン
- 26pYN-5 STMによるC_最密充填構造への電子・ホール注入効果(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 12aWH-3 金属内包フラーレンおよび高次フラーレンの STM/STS 観察(フラーレン, 領域 7)
- 22pXG-9 種々のフラーレン薄膜 FET の基本特性とその応用
- 23pS-2 常圧ならびに高圧下でのNa_4C_の構造と電子的特性
- 24pF-8 Na_4C_の高圧下での物性
- 28p-XA-10 高圧下でのCs_3C_の物性
- S02I5 イオンチャンネルバイオセンサーの開発と応用(分子コンピュータと分子通信:生物機能を利用した新たな情報処理・情報通信システム,シンポジウム,第45回日本生物物理学会年会)
- 27a-PS-22 オージェ電子-光イオン・コインシデンス分光法によるNH_3/Xeの共鳴オージェ刺激イオン脱離研究
- 7a-PS-57 オージェ電子-光イオン・コインシデンス分光法による凝縮メタノールの内殻電子励起に起因するイオン脱離の研究
- 28a-F-12 電子-イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮NH_3の共鳴オージェ刺激脱離研究
- 電子-イオン・コインシデンス分光法による低温凝縮したNH_3とND_3のオージェ刺激脱離研究
- 電子-イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮H_2Oの共鳴オージェ刺激脱離研究
- 電子-イオン・コインシデンス分光法によるSi(001)表面上に単層吸着したH_2Oのオージェ刺激脱離研究
- 31p-PSB-70 放射光誘起表面ダイナミックス研究用光電子-光イオン・コインシデンス測定装置の開発
- 31a-K-11 放射光励起によるオージェ電子-光イオンコインシデンス測定法を用いた、低温凝縮したH_2Oの内殻励起イオン脱離の研究
- 学術としてのバイオインターフェイス
- 単色放射光励起によって堆積したAl膜組成の励起エネルギー依存性
- 渉外幹事この一年
- シンクロトロン放射光によるナノメートル加工と原子分子レベルでの反応評価
- 放射光励起プロセスの現状と将来展望
- 渉外幹事この一年
- 放射光Al-CVDにおけるサイトスペシフィック効果
- 高輝度X線源の利用技術-半導体プロセスへの応用-
- 分子による情報伝達 : 総研大生が開いた新分野
- 5a-R-11 表面研究のための電子-イオン・コインシデンス測定装置の開発
- 8aSD-6 金属内包フラーレン薄膜FETの作製と基本特性(電解効果ドーピング,領域7)
- 6pSE-3 金属ドープ金属内包フラーレン複合体の構造(フラーレン,領域7)
- 6pSE-2 金属内包フラーレンの輸送特性(フラーレン,領域7)
- 8aSD-2 フラーレンをベースにした種々のFET構造の作製とその動作特性(電解効果ドーピング,領域7)
- 25pXN-13 Dy@C_異性体IとIIの結晶構造(25pXN 金属内包フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体分野))
- 25pXN-14 Dy@C_およびDy@C_の輸送特性(25pXN 金属内包フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体分野))
- 27pXN-5 CaドープC_60の超伝導特性の圧力効果(27pXN ドープフラーレン,領域7(分子性固体・有機導体分野))
- 25pXN-12 金属内包C_の結晶構造(25pXN 金属内包フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体分野))