21pXF-4 Ce@C_<82> 異性体 II の構造
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2003-08-15
著者
-
久保園 芳博
岡山大院自然
-
高林 康裕
岡山大理
-
高林 康裕
Univ. of Durham
-
力石 好恵
岡山大理
-
細川 知子
岡山大院自然
-
柴田 佳奈
岡山大理
-
力石 好恵
岡山大院自然
-
柴田 佳奈
岡山大院自然
-
高林 康裕
岡山大院自然
-
高林 康裕
岡山大院
-
力石 好恵
岡山大院
関連論文
- 21aGR-10 光電子分光によるポタシウムドープピセンの電子状態(21aGR 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGS-9 ピセン薄膜FETデバイスのnチャネル動作(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGS-10 種々の有機薄膜FETのイオン液体ゲートキャパシタによる低電圧駆動(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGR-12 Rb,Cs,Naをドープしたピセンの物性と構造(21aGR 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aGR-7 フタロシアニン/フラーレン系太陽電池の特性とデバイス制御(23aGR 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGS-11 イオン液体を用いたC_およびpicene薄膜FETのESR測定(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aWF-5 Cs_3C_における圧力誘起超伝導(T_c=38K)(21aWF フラーレン・超伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYD-3 光電子分光による芳香族多環縮合炭化水素ピセンの電子状態(新物質・新物性・超伝導I,領域7,分子性固体・有機導体)
- 29pYG-11 C_/ピセンpnヘテロ接合の形成と光照射効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-11 C_/ピセンpnヘテロ接合の形成と光照射効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pTG-10 C_TDAEの圧力下構造測定II(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 23pRC-5 C_TDAE高圧相の構造測定(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 6p-D-13 NaならびにC_sドープC_の構造の温度変化
- 21aWF-6 Cs_3C_におけるT_cの圧力依存性(21aWF フラーレン・超伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGR-13 Caをドープしたピセンの物性と構造(21aGR 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aGR-11 K_xpiceneの物性のドープ量依存性(21aGR 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pGV-1 はじめに(20pGV 領域7,領域9合同シンポジウム:有機半導体界面における電子状態プローブの新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYD-1 Rb_xpiceneの超伝導(新物質・新物性・超伝導I,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYD-11 piceneならびに関連誘導体を使ったFETの特性(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYD-2 有機芳香族分子電界効果トランジスタの低電圧駆動と界面制御(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aWF-4 価数秩序転移を示すRE_C_(RE=Sm,Eu)の磁性(22aWF フラーレン・その他,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-6 アルカリドープ芳香族多環縮合炭化水素化合物の超伝導(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-6 アルカリドープ芳香族多環縮合炭化水素化合物の超伝導(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aYD-1 C_/picene及びPCBM/picene接合系のキャリア輸送特性(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 12aWH-5 Pr@C_ の紫外光電子スペクトル(フラーレン, 領域 7)
- 29pYG-10 伝導性高分子電極を用いた有機薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-8 仕事関数の異なる種々の金属ならびに導電性高分子をソース・ドレイン電極とするピセン薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-10 伝導性高分子電極を用いた有機薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29pYG-8 仕事関数の異なる種々の金属ならびに導電性高分子をソース・ドレイン電極とするピセン薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aWN-5 Eu@C_およびC_の電子特性および結晶構造(フラーレン固体物性)(領域7)
- 27aZP-5 強誘電性および高分子絶縁膜を用いたC_およびC_FETの作製とその特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
- 27aZP-5 強誘電性および高分子絶縁膜を用いたC_およびC_FETの作製とその特性(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
- 26pTG-3 有機薄膜電界効果トランジスタのトラップ準位と動作特性の相関(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26pTG-4 有機FETの電極-活性層界面の電子状態評価(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRB-6 スピンコート膜とLB膜を利用した有機FETデバイスの動作特性と制御(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRB-10 FETデバイスにおける電極から有機活性層へのキャリア注入の定量評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aTB-10 ピセン薄膜FETにおける界面トラップと伝達特性に現れるヒステリシス(22aTB 有機FET1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23pXB-3 STM探針からのキャリア注入によるフラーレンの構造制御(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aXD-6 Cs_3C_超伝導相の輸送特性
- 25pYF-4 Cs_3C_・A15相の高圧の構造と物性
- 23aS-13 Cs_C_(α=0.0〜1.0)の常圧ならびに高圧での物性
- 24pRL-7 二次元拡張系芳香族分子に対するEDLキャパシタによる電界効果ドーピングと化学ドーピング(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aRL-6 新規有機物質の正・逆光電子分光による電子状態の観測(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aYF-8 フラーレン電界効果デバイスの動作特性制御と集積回路設計(24aYF フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pRB-8 有機炭化水素系物質の超伝導(25pRB 領域7シンポジウム:有機超伝導体の発見から30年を経て,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aRL-5 アルカリ土類ドープピセンの構造と物性(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYN-4 M_xC_ならびにM@C_の構造と電子的特性(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pRL-9 一次元・二次元有機芳香族拡張系FETの特性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pXF-8 金属内包フラーレンの薄膜およびナノスケール物性
- 21pXF-4 Ce@C_ 異性体 II の構造
- 29pZB-5 金属内包フラーレン固体・薄膜の XAFS および分光研究
- 29pZB-3 Ce@C_ 異性体の構造
- 18pWF-12 Dy@C_異性体IとIIの構造
- 18pWF-11 Dy@C_異性体IとIIの電子的特性
- 18pWF-10 M@C_(M: Y, Dy)固体の物性
- 18pWF-4 Ca, SrおよびCsドープC_の高圧での物性
- 27aYG-9 Cs_3C_の室温常圧における光反射率測定(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pXF-6 Eu@C_ の構造と電子的特性
- 30aXD-3 Dy@C_固体の構造と物性
- 25pYF-9 二次元ポリマー相Na_4C_の構造と物性III
- 25pYF-5 Ca_xC_の高圧での構造と物性
- 25aS-6 Eu@C_固体の構造と物性
- 26aRL-7 芳香族有機金属・超伝導体の電子・フォノン物性(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aRL-3 超伝導体K_3piceneの圧力効果(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aRL-3 CuPc/C_系,pentacene/C_系太陽電池とその界面制御(25aRL 分子デバイス・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pRL-5 ゲート電極によるEDLキャパシタ・有機FETの特性制御(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pXG-9 種々のフラーレン薄膜 FET の基本特性とその応用
- 28aTN-4 Picene単結晶を用いた有機FETの基本特性と物性制御(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTN-5 高誘電固体絶縁膜を用いた有機芳香族FETの基本特性(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTG-4 有機芳香族単結晶を用いたFETの基本特性と物性制御(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTG-5 イオン液体を用いる電気二重層トランジスタと電気化学トランジスタ(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pYF-11 有機芳香族超伝導体の合成(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pYF-11 有機芳香族超伝導体の合成(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 25pYF-8 フェナセン系有機電界効果トランジスタの特性(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 25pYF-8 フェナセン系有機電界効果トランジスタの特性(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aSB-5 グラフェンエッジの電気伝導測定(27aSB 領域7,領域4合同 グラフェン(ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aSB-11 イオン液体を用いた数層グラフェンFETの伝導特性(24aSB 領域4,領域7合同 グラフェン(不純物・界面・伝導特性),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pGA-8 FeSe_Te_x極薄単結晶デバイスの表面電子状態と伝導特性制御(21pGA 鉄砒素系6(11系),領域8(強相関系:高温超伝導強相関f電子系など))
- 19aFH-12 高分解能光電子分光によるピセン薄膜の電子状態のKドープ依存性(19aFH 電界効果・化学ドーピング,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19aFH-11 アルカリ金属をドープしたtriphenyleneの物性(19aFH 電界効果・化学ドーピング,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pEC-7 グラフェンエッジの電気伝導測定 II(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pEC-6 数層グラフェンの量子キャパシタンス測定(21pEC 領域7,領域4合同 グラフェン(エッジ状態・ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pGA-7 FeSe_Te_x(x=0.9, 0.95)単結晶の極薄化による構造相転移の抑制と超伝導転移の出現(21pGA 鉄砒素系6(11系),領域8(強相関系:高温超伝導強相関f電子系など))
- 21pFE-7 有機芳香族超伝導体の合成 II(21pFE 超伝導物質2(ラットリング,合成,高圧など),領域8(強相関系:高温超伝導強相関f電子系など))
- 26pXZE-8 FeSe_Te_x単結晶デバイスの伝導特性制御(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pXZE-8 FeSe_Te_x単結晶デバイスの伝導特性制御(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pXF-4 アンモニア合成法を用いた芳香族超伝導体の合成(26pXF 化学ドーピング,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pXF-3 ドープ芳香族炭化水素超伝導体の電子状態(26pXF 化学ドーピング,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28pXB-4 芳香族超伝導の実験(28pXB 領域8,領域7合同シンポジウム:相関電子系の超伝導-実験と理論の連携が生み出す俯瞰,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pEA-6 伝導効果のキャリアドーピングしたFeSe_Te_の伝導特性の温度依存性(電界効果,領域8,領域7合同,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pDK-5 電界効果による数層グラフェンのバンド制御(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pEA-6 電界効果キャリアドーピングしたFeSe_Te_の伝導特性の温度依存性(電界効果,領域8,領域7合同,領域7(分子性個体・有機導体))
- 28aEC-8 アンモニア溶媒を用いて金属ドーピングされたFeSe_Te_x超伝導体の圧力依存性(鉄砒素系5(関連物質・合成),領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aDF-2 Kドープピセン膜の伝導性および電子状態(分子性個体・高圧物性,領域7(分子性個体・有機導体))
- 28aEC-9 液体アンモニアによるFeSe_Te_x(x=0.2,0.5,0.7)への金属ドーピングとその物理特性(鉄砒素系5(関連物質・合成),領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28pXB-4 芳香族超伝導の実験(28pXB 領域8,領域7合同シンポジウム:相関電子系の超伝導-実験と理論の連携が生み出す俯瞰,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aCG-10 電界効果キャリアドープによる無機・有機二次元層状物質の物性制御(27aCG 領域8,(後半のみ領域7と合同) 遷移金属・電界効果,領域8(強相関系))
- 27pCE-2 液体アンモニアを使うFeSe_Te_x(x=0.2,0.5,0.7)へのアルカリ・アルカリ土類金属ドーピングと超伝導特性(27pCE 鉄砒素系2(合成・関連物質),領域8(強相関系))
- 27pCE-4 アンモニア溶媒を用いて金属ドーピングされたFeSe_Te_xの超伝導の圧力依存性(27pCE 鉄砒素系2(合成・関連物質),領域8(強相関系))
- 27pCL-5 電子供与性・受容性分子のドーピングによるグラフェンの電子状態制御(27pCL 領域7,領域4合同 グラフェン(輸送特性),領域7(分子性固体))