埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収分光法と放射光励起表面反応
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 1999-12-10
著者
-
吉越 章隆
日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター
-
吉越 章隆
日本原子力研究所関西研究所表面科学研究グループ
-
平野 真也
総合研究大学院大学分子科学研究所
-
野田 英之
総合研究大学院大学分子科学研究所
-
宇理須 恒雄
総合研究大学院大学分子科学研究所
-
宇理須 恒雄
分子研
-
野田 英之
日立中央研究所
-
宇理須 恒雄
総合研究大学院大学
-
吉越 章隆
日本原子力研究所
関連論文
- APPLE-2型アンジュレータの高速位相変調を用いた高分解能円二色性実験
- 22aPS-98 挿入光源の周期的位相駆動による軟X線円二色測定系の立ち上げ
- 超音速酸素分子ビームによる並進運動エネルギー誘起Ti(0001)表面酸化反応
- 超音速窒素分子ビームを用いたTi(0001)表面窒化反応のリアルタイム光電子分光観察
- 高輝度・高分解能放射光で見えてきた表面化学反応ダイナミクス : 超音速O_2分子線で誘起される表面酸化反応のその場光電子分光
- リアルタイム光電子分光によるTi(0001)表面酸化反応の観察
- Ti(0001)表面酸化における極薄酸化膜成長と酸化状態
- リアルタイム光電子分光によるTi(0001)表面酸化反応の「その場」観察
- シリコンと酸素の表面反応における運動エネルギーの影響
- シリコン表面の初期酸化における酸素分子線の運動エネルギー効果
- 放射光リアルタイム光電子分光で観たSi(111)表面の酸化過程
- Cu_3Au表面自然酸化のシンクロトロン放射光を用いた光電子分光研究
- Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 室温における酸素分子のSi(111)-7×7表面での初期吸着ダイナミクス
- Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い : リアルタイム光電子分光測定から(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超音速酸素分子線を用いたSi(001)表面の高温酸化過程における化学反応ダイナミクス
- 光電子ホログラフィーの新しい解析法
- 15aPS-45 Ge(001) のオージェ電子ホログラムからの立体的な原子配列の再構成(領域 9)
- 23aYD-11 単一波長の光電子ホログラフィーから原子の立体配列を再生する新しいアルゴリズム
- Wavelet 変換を利用した SPring-8 ID23による軌道変動の解析
- 埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収分光法と放射光励起表面反応
- 放射光励起による表面光反応プロセス
- 赤外反射吸収分光法 - 放射光励起プロセスのその場観察 -
- 埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収スペクトル法による放射光励起半導体プロセス反応のその場観察
- 放射光励起プロセス研究用多層膜ミラービームライン
- 29a-PS-20 光電子-光イオン・コインシデンス分光法によるSi(100)-Fのサイト選択的イオン脱離の研究
- 放射光励起プロセス反応のその場観察--赤外反射吸収分光法 (特集 シンクロトロン放射光の利用技術)
- 28aWN-12 STM/STSを用いた金属内包フラーレンの構造と電子状態の観察(フラーレン固体物性)(領域7)
- 21pXF-8 金属内包フラーレンの薄膜およびナノスケール物性
- SOI基板を用いたプレーナー型パッチクランプバイオセンサーの製作
- 5a-PS-5 シンクロトロン放射光照射によるSiO_2、Si_3N_4膜の脱離
- 放射光--軟X線多層膜とその応用
- 2p-YF-11 光電子-光イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮 Si(CH_3)_3CH_2SiF_3の内殻電子励起に由来するサイト選択的イオン脱離の研究
- 28a-F-11 光電子-光イオン・コインシデンス(PEPICO)分光法による表面凝縮Si(CH_3)_4の内殻励起誘起イオン脱離の研究
- 高エネルギー光励起によるPZT(Pb(Zr_X, Ti_)O_3)の表面改質
- 固体表面物性がサポーティッドメンブレンの形成過程と構造に及ぼす影響
- プレーナー方イオンチャネルバイオセンサーの開発と応用
- 29pZB-4 STM/STS による M@C_ (M=Ce, Dy) の構造と電子状態の観察
- 埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収分光(BML-IRRAS)によるSi表面反応の研究
- DNAシーケンサと応用物理
- 放射光リアルタイム光電子分光を用いた酸素ガスによる Si(OO1)表面の熱酸化初期過程の"その場"観察
- 1辺0.075mm超小型ICチップハンドリング
- SiO_2表面へのアビジン単分子層作製と脂質膜形成への応用
- 放射光プロセスの特徴とナノバイオエレクトロニクスへの応用 (特集/放射光利用とナノテクノロジー)
- S02I5 イオンチャンネルバイオセンサーの開発と応用(分子コンピュータと分子通信:生物機能を利用した新たな情報処理・情報通信システム,シンポジウム,第45回日本生物物理学会年会)
- 27a-PS-22 オージェ電子-光イオン・コインシデンス分光法によるNH_3/Xeの共鳴オージェ刺激イオン脱離研究
- 7a-PS-57 オージェ電子-光イオン・コインシデンス分光法による凝縮メタノールの内殻電子励起に起因するイオン脱離の研究
- 28a-F-12 電子-イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮NH_3の共鳴オージェ刺激脱離研究
- 電子-イオン・コインシデンス分光法による低温凝縮したNH_3とND_3のオージェ刺激脱離研究
- 電子-イオン・コインシデンス分光法による表面凝縮H_2Oの共鳴オージェ刺激脱離研究
- 電子-イオン・コインシデンス分光法によるSi(001)表面上に単層吸着したH_2Oのオージェ刺激脱離研究
- 31p-PSB-70 放射光誘起表面ダイナミックス研究用光電子-光イオン・コインシデンス測定装置の開発
- 31a-K-11 放射光励起によるオージェ電子-光イオンコインシデンス測定法を用いた、低温凝縮したH_2Oの内殻励起イオン脱離の研究
- 学術としてのバイオインターフェイス
- 単色放射光励起によって堆積したAl膜組成の励起エネルギー依存性
- 渉外幹事この一年
- シンクロトロン放射光によるナノメートル加工と原子分子レベルでの反応評価
- 放射光励起プロセスの現状と将来展望
- 渉外幹事この一年
- 放射光Al-CVDにおけるサイトスペシフィック効果
- 高輝度X線源の利用技術-半導体プロセスへの応用-
- 分子による情報伝達 : 総研大生が開いた新分野
- サマリー・アブストラクト
- 多チャンネル神経細胞ネットワーク素子の開発
- 酸化物基板表面上の細胞膜モデルシステム : 支持平面脂質膜のダイナミクスと基板表面の影響
- 高分解能放射光を用いたその場光電子分光法でみるSi(001)表面の酸化反応ダイナミクス
- 超音速O_2分子ビームで誘起されるSi(001)室温酸化の反応ダイナミクス
- O_2分子のSi(001)表面への初期吸着とSiO脱離に及ぼす運動エネルギーの影響
- 超音速O_2分子線を用いたSi(001)表面の初期酸化過程 : 清浄表面と部分酸化表面での酸化反応機構の相違点
- 酸素分子の並進運動エネルギーで誘起されるSi(001)表面酸化状態の放射光光電子分光法によるリアルタイム観察
- 酸素分子の運動エネルギーによって誘起されるSi(001)初期酸化過程の高分解能光電子分光解析
- 部分酸化Si(001)表面のO_2並進運動エネルギー誘起酸化とその場放射光光電子分光観察
- 酸素分子の並進運動エネルギー誘起Si(001)表面初期酸化過程の放射光光電子分光法による"その場"観察
- 5a-R-11 表面研究のための電子-イオン・コインシデンス測定装置の開発
- Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 放射光リアルタイムXPSで観たSi(111)-7×7の室温酸化における初期酸化物とその生成過程
- Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定
- 6aSP-1 超音速酸素分子ビームによるCu{001}表面の酸化過程の光電子分光研究(表面界面ダイナミクス,領域9)
- Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)