Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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高性能Geデバイスの実現には,1nm以下のSiO_2換算膜厚(Equivalent Oxide Thickness: EOT)と良好な界面特性を両立するmetal/high-kゲートスタック技術の確立が不可欠である.high-k/Geゲートスタックの特性劣化の要因として,high-k膜形成や熱処理工程におけるGeO_x界面層の意図しない形成や分解,Ge原子のhigh-k膜中への拡散が指摘されているが,その詳細は分かっていない.そこで本研究では,真空中で連続して作製したmetal/HfO_2/GeO_x/Geスタックの熱的構造変化を光電子分光法によりその場分析することで,ジャーマナイド形成やGeO_x層の還元反応を詳細に評価すると共に,電気特性との相関を調べた.
- 2013-06-11
著者
-
志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
-
吉越 章隆
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
-
細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
-
箕浦 佑也
大阪大学大学院工学研究科
-
吉越 章隆
日本原子力研究所
-
寺岡 有殿
日本原子力研究所
-
田中 亮平
大阪大学大学院工学研究科
-
秀島 伊織
大阪大学大学院工学研究科
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