真空一貫原子制御PVDプロセスによるTiO_2/HfSiO/SiO_2積層構造 High-k 絶縁膜の作製と電気特性評価
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概要
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- 2008-09-27
著者
-
渡部 平司
大阪大学
-
小須田 求
キヤノンアネルバ株式会社
-
小須田 求
キヤノンアネルバ
-
有村 拓晃
大阪大学
-
奥 雄大
大阪大学
-
細井 卓治
大阪大学
-
志村 考功
大阪大学
-
北野 尚武
大阪大学
-
内藤 裕一
産業技術総合研究所
-
山口 述夫
キヤノンアネルバ
-
志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
-
渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
-
細井 卓治
広島大学ナノデバイス・システム研究センター
-
細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
-
奥 雄大
大阪大学大学院工学研究科
-
有村 拓晃
大阪大学大学院工学研究科
-
北野 尚武
大阪大学大学院工学研究科
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