熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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熱酸化によって4H-SiC(0001)基板上に形成したMOSデバイス中の可動イオンの異常生成を詳細に調べると共に,その改善策を検討した.熱酸化SiO_2/SiCに高温条件下での水素アニールを施すと,Siデバイスと同様にMOS界面の電気特性は向上するが,SiC-MOSデバイスでは正に帯電した可動イオンが生成されることが明らかとなった.可動イオンの存在によってSiC-MOSデバイスのバイアス温度ストレス(bias-temperature stress: BTS)耐性が劣化し,SiC-MOSデバイスの信頼性確保が困難となる.本研究では,可動イオンの評価を通じて,SiC-MOSデバイスへのBTS印加とウエットエッチングを組み合わせることで,界面電気特性と信頼性を大幅に改善する方法を提案し、その優位性を実証した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-06-11
著者
-
志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
-
渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
-
細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
-
中村 孝
ローム株式会社
-
中野 佑紀
ローム株式会社
-
チャンタパン アタウット
大阪大学大学院工学研究科
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