中村 孝 | ローム株式会社
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概要
関連著者
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中村 孝
ローム株式会社
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中村 孝
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
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高須 秀視
ローム株式会社
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高須 秀視
ローム株式会社研究開発本部
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中村 孝
ローム
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藤森 敬和
ローム株式会社半導体デバイス研究開発部
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藤森 敬和
ローム株式会社 半導体デバイス研究開発部
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中野 佑紀
ローム株式会社
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中村 亮太
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
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羽生 貴弘
東北大学電気通信研究所
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志村 考功
大阪大学大学院工学研究科
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亀山 充隆
東北大学大学院情報科学研究科
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渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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中村 亮太
ローム株式会社研究開発本部
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木村 啓明
東北大学大学院情報科学研究科
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細井 卓治
大阪大学大学院工学研究科
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引原 隆士
関西大学
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引原 隆士
京都大学大学院・工学研究科・電気工学専攻
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引原 隆士
関西大学大学院工学研究科電気工学専攻
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引原 隆士
京都大学
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中野 佑紀
ローム株式会社研究開発本部
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長尾 勝久
ローム株式会社研究開発本部
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笹川 将
ローム
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中野 佑紀
京大院・工
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笹川 将
ローム株式会社
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
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相馬 朗
株式会社 安川電機
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園田 澄利
株式会社 安川電機
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高塚 悠史
株式会社 安川電機
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原 英則
株式会社 安川電機
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引原 隆土
京都大学 大学院 工学研究科電気工学専攻
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佐藤 宣夫
京都大学
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大嶽 浩隆
ローム株式会社
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文野 貴司
京都大学
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引原 隆士
京都大学 大学院 工学研究科 電気工学専攻
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引原 隆士
京都大学大学院工学研究科電気工学教室
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中野 佑紀
ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター
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東雲 秀司
東京エレクトロン株式会社技術開発センター
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柏木 勇作
東京エレクトロン株式会社技術開発センター
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保坂 重敏
東京エレクトロン株式会社技術開発センター
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浅原 浩和
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
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井上 裕康
奈良女子大学食物栄養学科
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引原 隆士
関西大学工学部電気工学科
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井上 裕康
奈良女大・生活環境・食物栄養
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舟木 剛
大阪大学
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佐藤 宣夫
京都大学工学研究科電気工学専攻
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羽生 貴弘
東北大学大学院情報科学研究科
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井上 裕康
奈良女子大・生活環境・食物栄養
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井上 裕康
大阪大学
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神澤 公
ローム(株)
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神澤 公
ローム株式会社 半導体研究開発部 半導体プロセス研究開発部
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中尾 雄一
ローム株式会社VLSI研究開発部
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井上 裕康
奈良女・生活環境・食物科学
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宅野 嗣大
京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
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神澤 公
ローム株式会社vlsi研究開発部
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宅野 嗣大
京都大学
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引原 隆士
関西大
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明田 正俊
ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター
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大塚 拓一
ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター
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花田 俊雄
ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター
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箕谷 周平
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
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中野 佑紀
ローム株式会社新材料デバイス研究開発センター
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チャンタパン アタウット
大阪大学大学院工学研究科
著作論文
- 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 強誘電体デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- 強誘電体不揮発性ロジック素子(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 強誘電体キャパシタを用いた不揮発性ロジックの開発
- 強誘電体デバイスに基づくロジックインメモリVLSIの構成
- STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
- STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
- 「PZT薄膜の不揮発性メモリへの応用研究」
- SiC素子を用いたDC-DCコンバータの動作に関する一検討
- メモリ用PZT薄膜の開発と応用
- メモリ用PZT薄膜の開発と応用
- 強誘電体不揮発性メモリの開発動向
- 強誘電体不揮発性メモリの開発動向
- Pb(Zr,Ti)O_3膜による強誘電体メモリーの開発
- PZT薄膜の不揮発性メモリ応用
- 強誘電体メモリのプロセス技術 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2001年版) -- (総論)
- 強誘電体メモリのプロセス技術 (超LSI製造・試験装置ガイドブック1999年版)
- 不揮発性強誘電体メモリとその応用 (特集 次世代エレクトロニクスを展望する)
- SiCパワーデバイスを用いた電力変換システムの高性能化
- 絶縁型フライバックコンバータの1MHzスイッチングにおける挙動解析
- SiパワーMOSFETを用いた5MHzスイッチング動作による絶縁型フライバックコンバータの挙動解析
- SiCパワーデバイスを用いた電力変換システムの高性能化
- SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 : 低抵抗,高耐熱によるシステムの小型化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)