STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性

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概要

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STN(Sr_2(Ta,Nb)_2O_7)薄膜を用いてMFMIS FET (Metal Ferroelectric Metal Insulator Semiconductor FET)を作成した。FET型強誘電体メモリは高速・高集積性に優れた不揮発性メモリであり、既存LSIメモリの大部分を置き換える可能性を持っている。しかし、FET型強誘電体メモリは種々の問題点があり実用化に至っていない。その問題点は主に強誘電体/半導体界面制に起因するプロセスに関するものである。そこで、我々は導電層と絶縁層をバッファ層として用いたMFMIS FETについて研究を進めており、その構造に適した強誘電体材料としてSTN薄膜を提案した。ここでは、STN薄膜の優位性を述べ、作成したMFMIS FETの電気的特性について評価結果をもとに議論する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-02-16

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