PZT薄膜の不揮発性メモリ応用
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概要
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Pb(Zr, Ti)O_3(PZT)薄膜を不揮発性メモリへ応用していく上での問題点とその解決法について述べる。現在、強誘電体メモリに用いられている代表的な強誘電体材料であるPZT薄膜を強誘電体メモリに応用していくためには、電極材料が非常に重要な項目となる。耐熱性、拡散バリア性の非常に優れたIr系電極を用いる事により高信頼性のPZT薄膜が得られた。また、Ir系電極は将来必要不可欠となるSTC構造セル用電極としても非常に優れている。また、強誘電体メモリをエンベデッドとしてロジックLSIに混載していくためには多層配線技術が必要となる。上部電極にIr系電極を用いて熱処理工程を最適化する事により多層配線が可能である事を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-13
著者
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