SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 : 低抵抗,高耐熱によるシステムの小型化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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超低抵抗SiCトレンチMOSFETを高耐圧モジュールに応用し,超小型・高効率モジュールを実現.
- 2012-11-08
著者
-
中野 佑紀
京大院・工
-
中村 孝
ローム株式会社
-
中野 佑紀
ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター
-
明田 正俊
ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター
-
大塚 拓一
ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター
-
花田 俊雄
ローム株式会社パワーエレクトロニクス研究開発ユニット新材料デバイス研究開発センター
-
中野 佑紀
ローム株式会社
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